피처리 기판의 탑재 위치의 설정 방법 및 성막 시스템
    1.
    发明公开
    피처리 기판의 탑재 위치의 설정 방법 및 성막 시스템 审中-实审
    一种设定待处理衬底和成膜系统的安装位置的方法

    公开(公告)号:KR1020170142924A

    公开(公告)日:2017-12-28

    申请号:KR1020170077131

    申请日:2017-06-19

    Abstract: 피처리기판의탑재위치를설정하는방법에서, 테스트용기판은제 1 위치로부터떨어진제 2 위치에반송된다. 마스크는테스트용기판이제 1 위치에탑재되어성막처리될때, 비성막영역이미리설정된폭 치수를갖는예상배치위치를갖는다. 마스크를이용해서테스트용의피처리기판에성막처리된다. 성막처리후의테스트용의피처리기판에형성된비성막영역의폭 치수가측정된다. 제 1 위치에대한제 2 위치의어긋남의방향및 거리와, 비성막영역의폭 치수의측정결과에근거해서, 마스크의실제의배치위치가특정된다. 마스크의실제의배치위치에근거해서, 비성막영역이미리설정된폭 치수로되도록, 제 1 위치가보정된다.

    Abstract translation: 在设定被处理基板的安装位置的方法中,将测试容器板输送到远离第一位置的第二位置。 当测试容器板现在被放置在位置1并且被成膜时,掩模具有预期的放置位置,其中非膜区域具有预设的宽度尺寸。 使用掩模在要测试的基板上形成膜。 测量在成膜过程之后形成在测试目标基板上的非成膜区域的宽度尺寸。 基于偏离方向的测量结果和第二位置相对于第一位置的距离和非沉积区域的宽度尺寸来指定掩模的实际放置位置。 基于掩模的实际放置位置,校正第一位置,使得非胶片区域具有预设的宽度尺寸。

    성막 장치 및 성막 방법
    2.
    发明公开
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号:KR1020160016644A

    公开(公告)日:2016-02-15

    申请号:KR1020150107439

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 금속산화막을피처리체상에형성하기위한성막장치가제공된다. 일실시형태의성막장치는금속타겟으로부터의금속을피처리체상에퇴적시키는스퍼터장치이다. 이성막장치는피처리체를보지하기위한보지부에제 1 히터를구비하고있다. 또한, 이성막장치는보지부를향해산소가스를공급하는도입기구를구비하고있다. 또한, 이성막장치는가열기구를구비하고있다. 가열기구는피처리체를가열하기위한제 2 히터, 및이동기구를갖고있다. 이동기구는제 2 히터를보지부의상방의제 1 공간내의영역과해당제 1 공간으로부터이격된제 2 공간내의영역과의사이에서이동시키도록구성되어있다.

    Abstract translation: 提供了一种用于在物体上形成金属氧化物层的成膜装置。 实施例的成膜装置是将金属从金属靶材沉积在物体上的溅射装置。 成膜装置包括用于支撑物体的支撑部中的第一加热器。 此外,成膜装置包括用于将氧气供应到支撑部分的引入装置。 此外,成膜装置使第二加热器在支撑部分的上部的第一空间中的区域和与第一空间分离的第二空间中的区域之间移动。

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