처리 장치
    2.
    发明公开
    처리 장치 无效
    加工设备

    公开(公告)号:KR1020160028971A

    公开(公告)日:2016-03-14

    申请号:KR1020150123722

    申请日:2015-09-01

    Abstract: 본발명의과제는피처리체의충분한회전과, 충분한냉각을실행하고, 스퍼터링에의한성막을실행하는것이가능한처리장치를제공하는것이다. 해결수단으로서, 스퍼터링용의타겟이내부에배치되는처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에배치되고, 피처리체가탑재되며, 회전가능한탑재대(2)와, 탑재대(2)를냉각하는냉각기구(5)와, 냉각기구(5)에대한탑재대의상대위치를변경시키는구동기구(6)를구비하고, 구동기구(6)는탑재대(2)를냉각기구(5)에근접시키며, 또한, 이격시킬수 있다. 이것에의해, 탑재대(2)로부터냉각기구(5)에의열전달율을변경할수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够充分旋转和冷却待处理物体并且还通过溅射沉积的处理设备。 为此,本发明的处理装置包括:处理容器(1),其中设置溅射靶; 一个设置在处理容器(1)中并被加载物体的可旋转的装载架(2) 和冷却装置(5),用于冷却装载架(2); 以及改变用于冷却装置(5)的装载台的相对位置的驱动装置(6)。 驱动装置(6)使装载架(2)靠近冷却装置(5)移动,或者将两者分开,从而将装载架(2)的导热性改变为冷却装置(5)。

    기판 처리 장치
    4.
    发明公开
    기판 처리 장치 有权
    衬底处理设备

    公开(公告)号:KR20180037621A

    公开(公告)日:2018-04-12

    申请号:KR20187008876

    申请日:2013-04-30

    Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

    Abstract translation: 一种设备包括:一排衬底传送装置3,其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM,该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此,当不能使用单个处理模块PM时,可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM,该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此,即使在不能使用一个处理模块PM的情况下,也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理,能够减少浪费的晶圆W的数量。

    성막 장치 및 성막 방법
    7.
    发明公开
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号:KR1020160016644A

    公开(公告)日:2016-02-15

    申请号:KR1020150107439

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 금속산화막을피처리체상에형성하기위한성막장치가제공된다. 일실시형태의성막장치는금속타겟으로부터의금속을피처리체상에퇴적시키는스퍼터장치이다. 이성막장치는피처리체를보지하기위한보지부에제 1 히터를구비하고있다. 또한, 이성막장치는보지부를향해산소가스를공급하는도입기구를구비하고있다. 또한, 이성막장치는가열기구를구비하고있다. 가열기구는피처리체를가열하기위한제 2 히터, 및이동기구를갖고있다. 이동기구는제 2 히터를보지부의상방의제 1 공간내의영역과해당제 1 공간으로부터이격된제 2 공간내의영역과의사이에서이동시키도록구성되어있다.

    Abstract translation: 提供了一种用于在物体上形成金属氧化物层的成膜装置。 实施例的成膜装置是将金属从金属靶材沉积在物体上的溅射装置。 成膜装置包括用于支撑物体的支撑部中的第一加热器。 此外,成膜装置包括用于将氧气供应到支撑部分的引入装置。 此外,成膜装置使第二加热器在支撑部分的上部的第一空间中的区域和与第一空间分离的第二空间中的区域之间移动。

    성막 장치
    8.
    发明公开
    성막 장치 无效
    电影制作装置

    公开(公告)号:KR1020150050474A

    公开(公告)日:2015-05-08

    申请号:KR1020140149021

    申请日:2014-10-30

    CPC classification number: H01J37/3423 H01J37/3417 H01J37/3447

    Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 대략직사각형의복수의타겟이, 중심축선을중심으로하는원을따라균등하게배치되어있다. 또한, 셔터가, 복수의타겟과스테이지의사이에마련되어있다. 셔터는, 복수의타겟중 1개의타겟을스테이지에대하여선택적으로노출시키는것이가능한개구를갖고있다. 이셔터는, 회전축에결합되어있고, 이회전축은, 중심축선을따라연장되어있다. 이성막장치에서는, 중심축선을중심으로하는원에대한접선방향의셔터의개구의폭이, 복수의타겟중 해당중심축선에대하여둘레방향에있어서인접하는 2개의타겟의각각을부분적으로또한동시에노출시키는폭으로되어있다.

    Abstract translation: 成膜装置技术领域本发明涉及一种成膜装置。 具有矩形形状的许多靶材基于中心轴线沿着圆周均匀地布置。 此外,在许多目标和阶段之间准备快门。 快门具有能够选择性地将舞台上的目标从许多目标曝光的孔。 快门与旋转轴组合,旋转轴沿着中心轴线延伸。 沿着中心轴线的圆的切线方向上的快门孔的宽度被设计为宽度,以在圆周方向上分别暴露两个附近的目标,用于部分地或在 同时。

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