처리 장치
    2.
    发明公开
    처리 장치 无效
    加工设备

    公开(公告)号:KR1020160028971A

    公开(公告)日:2016-03-14

    申请号:KR1020150123722

    申请日:2015-09-01

    Abstract: 본발명의과제는피처리체의충분한회전과, 충분한냉각을실행하고, 스퍼터링에의한성막을실행하는것이가능한처리장치를제공하는것이다. 해결수단으로서, 스퍼터링용의타겟이내부에배치되는처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에배치되고, 피처리체가탑재되며, 회전가능한탑재대(2)와, 탑재대(2)를냉각하는냉각기구(5)와, 냉각기구(5)에대한탑재대의상대위치를변경시키는구동기구(6)를구비하고, 구동기구(6)는탑재대(2)를냉각기구(5)에근접시키며, 또한, 이격시킬수 있다. 이것에의해, 탑재대(2)로부터냉각기구(5)에의열전달율을변경할수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够充分旋转和冷却待处理物体并且还通过溅射沉积的处理设备。 为此,本发明的处理装置包括:处理容器(1),其中设置溅射靶; 一个设置在处理容器(1)中并被加载物体的可旋转的装载架(2) 和冷却装置(5),用于冷却装载架(2); 以及改变用于冷却装置(5)的装载台的相对位置的驱动装置(6)。 驱动装置(6)使装载架(2)靠近冷却装置(5)移动,或者将两者分开,从而将装载架(2)的导热性改变为冷却装置(5)。

    성막 장치 및 성막 방법
    3.
    发明公开
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号:KR1020160016644A

    公开(公告)日:2016-02-15

    申请号:KR1020150107439

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 금속산화막을피처리체상에형성하기위한성막장치가제공된다. 일실시형태의성막장치는금속타겟으로부터의금속을피처리체상에퇴적시키는스퍼터장치이다. 이성막장치는피처리체를보지하기위한보지부에제 1 히터를구비하고있다. 또한, 이성막장치는보지부를향해산소가스를공급하는도입기구를구비하고있다. 또한, 이성막장치는가열기구를구비하고있다. 가열기구는피처리체를가열하기위한제 2 히터, 및이동기구를갖고있다. 이동기구는제 2 히터를보지부의상방의제 1 공간내의영역과해당제 1 공간으로부터이격된제 2 공간내의영역과의사이에서이동시키도록구성되어있다.

    Abstract translation: 提供了一种用于在物体上形成金属氧化物层的成膜装置。 实施例的成膜装置是将金属从金属靶材沉积在物体上的溅射装置。 成膜装置包括用于支撑物体的支撑部中的第一加热器。 此外,成膜装置包括用于将氧气供应到支撑部分的引入装置。 此外,成膜装置使第二加热器在支撑部分的上部的第一空间中的区域和与第一空间分离的第二空间中的区域之间移动。

    성막 장치 및 성막 방법
    5.
    发明授权
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号:KR101716547B1

    公开(公告)日:2017-03-14

    申请号:KR1020140123660

    申请日:2014-09-17

    Abstract: 일실시형태의성막장치는, 처리용기와, 처리용기내를감압하기위한배기장치와, 피처리체를탑재하기위한탑재대로서, 처리용기내에마련된탑재대와, 탑재대의위쪽에마련되고, 제 1 절연재료제의제 1 및제 2 타겟과, 처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 1 타겟에충돌시키기위한제 1 고주파전력을발생하는제 1 고주파전원과, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 2 타겟에충돌시키기위한제 2 고주파전력을발생하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력과제 2 고주파전력간의위상차를조정하는위상조정기를구비한다.

    Abstract translation: 绝缘膜沉积的系统和方法。 溅射沉积室包括由相同绝缘材料制成的一对靶。 每个目标同时施加高频功率信号。 相位调整单元用于将提供给该对目标的高频功率信号之间的相位差调整为规定值,从而提高所得到的膜的面内厚度分布。 预定值是目标材料特定的。

    성막 장치 및 성막 방법
    6.
    发明公开
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号:KR1020150032498A

    公开(公告)日:2015-03-26

    申请号:KR1020140123660

    申请日:2014-09-17

    Abstract: 일 실시 형태의 성막 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 장치와, 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대로서, 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 탑재대의 위쪽에 마련되고, 제 1 절연 재료제의 제 1 및 제 2 타겟과, 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 1 타겟에 충돌시키기 위한 제 1 고주파 전력을 발생하는 제 1 고주파 전원과, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 2 타겟에 충돌시키기 위한 제 2 고주파 전력을 발생하는 제 2 고주파 전원과, 제 1 고주파 전력과 제 2 고주파 전력간의 위상차를 조정하는 위상 조정기를 구비한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种能够容易地控制绝缘层厚度内的分布的膜的形成装置和方法。 根据本发明的实施例的用于形成膜的设备包括:处理容器; 用于在处理容器内部进行减压的排气装置; 安装有待处理物体的安装台,并且设置在处理容器的内部; 第一绝缘材料的第一和第二靶,其设置在安装台的上方; 用于向处理容器供给气体的气体供给单元; 用于产生第一高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第一目标相撞的第一高频电源; 用于产生第二高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第二目标相撞的第二高频电源; 以及用于调整第一高频功率和第二高频功率之间的相位差的移相器。

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