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公开(公告)号：KR1020010107744A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020010028833
申请日：2001-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 복수종류, 예컨대 Ba, Sr, Ti 등의 금속원소를 포함하는 복합금속산화물막을 에칭하는 방법에 관한 것이다. Cl
2 가스를 이용하여 복합금속산화물막에서 알카리토류금속(Ba, Sr)을 제거하는 제 1 크리닝공정이 행하여지고, 그 후, ClF
3 가스를 사용하여 복합금속산화물막으로부터 알카리토류금속 이외의 금속(Ti)을 제거하는 제 2 크리닝공정이 이루어진다. 이 에칭방법, 반도체장치의 제조뿐만 아니라, 성막용의 처리용기의 크리닝에도 응용할 수가 있다.
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