公开(公告)号：KR1020040008212A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR1020037015945

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.

公开(公告)号：KR1020070117005A

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020077027864

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: A thermal treatment apparatus cleaning method includes a heating step to heat a reaction chamber up to 300 °C and a cleaning step to remove silicon nitride from an inner portion of the thermal treatment apparatus. In the cleaning step, a reaction tube heated up to 300°C is filled with a cleaning gas containing fluorine gas, chlorine gas, and nitrogen gas and silicon nitride is removed, thereby cleaning the inner portion of the thermal treatment apparatus.

Abstract translation: 热处理装置的清洗方法包括：将反应室加热至300℃的加热工序，以及从热处理装置的内部除去氮化硅的清洗工序。 在清洗工序中，将加热至300℃的反应管填充有含氟气体，氯气，氮气的清洗气体，除去氮化硅，清洗热处理装置的内部。

公开(公告)号：KR100825135B1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020037015945

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.