公开(公告)号：KR101009808B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020080115143

申请日：2008-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시가마사히로 ,  후지하라가오루 ,  사이토미사코 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.

公开(公告)号：KR101025372B1

公开(公告)日：2011-03-28

申请号：KR1020080101962

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시가마사히로 ,  후지하라가오루 ,  사이토미사코 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.

公开(公告)号：KR1020090051714A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020080115143

申请日：2008-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시가마사히로 ,  후지하라가오루 ,  사이토미사코 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090046689A

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：KR1020080101962

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시가마사히로 ,  후지하라가오루 ,  사이토미사코 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.