中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

71 records (took 0.038 seconds)

    검사 장치, 검사 방법 및 기억 매체
    3.
    发明授权
    검사 장치, 검사 방법 및 기억 매체 失效
    检验设备，检验方法和存储介质

    公开(公告)号：KR101009808B1

    公开(公告)日：2011-01-19

    申请号：KR1020080115143

    申请日：2008-11-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 시가마사히로 ,  후지하라가오루 ,  사이토미사코 ,  하야시데루유키

    IPC: H01L21/66

    Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
    기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.

    패턴 형성 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체
    4.
    发明公开
    패턴 형성 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체 有权
    图案形成方法，半导体器件制造设备和存储介质

    公开(公告)号：KR1020090072991A

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：KR1020080132188

    申请日：2008-12-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다무라아키타케 ,  하야시데루유키 ,  후지하라가오루

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

    Abstract: A method for forming a pattern, a manufacturing apparatus for semiconductor and storage media are provided to increase the process freedom degree by forming a micro-pattern in the selected insulating layer among laminated insulating layers. The pattern formation method comprises a formation step of the first and second insulating layers(21, 22), a formation step of first spacers(38a, 38b, 38c), an etch step of the second insulating layer, and a formation step of second spacers and an etch step of the first insulating layer. The formation step of the first and second insulating layers is performed in order to successively form the first and second insulating layers on the substrate(W). The substrate has a mask pattern on the second insulating layer. The mask pattern has a line shape. The formation step of the first spacer is performed in order to form on the side walls of the mask pattern. The mask pattern is removed after the formation step of first spacers is performed.

    Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法，用于半导体和存储介质的制造装置，以通过在层叠的绝缘层中在选定的绝缘层中形成微图案来提高工艺自由度。 图案形成方法包括第一和第二绝缘层（21,22）的形成步骤，第一间隔物（38a，38b，38c）的形成步骤，第二绝缘层的蚀刻步骤和第二绝缘层的形成步骤 间隔物和第一绝缘层的蚀刻步骤。 执行第一绝缘层和第二绝缘层的形成步骤，以在衬底（W）上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层。 衬底在第二绝缘层上具有掩模图案。 掩模图案具有线形。 为了在掩模图案的侧壁上形成第一间隔物的形成步骤。 在执行第一间隔物的形成步骤之后去除掩模图案。

    기판 검사장치 및 기판 검사방법
    6.
    发明公开
    기판 검사장치 및 기판 검사방법 失效
    基板检查装置和基板检查方法

    公开(公告)号：KR1020080083056A

    公开(公告)日：2008-09-12

    申请号：KR1020087019110

    申请日：2007-01-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사이토미사코 ,  하야시데루유키

    IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

    CPC classification number: G01N23/2251 ,  G01N2223/611

    Abstract: Provided is a substrate inspection device for inspecting a defect of a pattern formed in such a way that in a layered structure including a first layer formed on a substrate and a second layer having different composition from the first layer and formed on the first layer, the second layer is partially exposed. The substrate inspection device includes: electron emitting means for applying primary electrons onto the substrate; electron detecting means for detecting secondary electrons generated by the application of the primary electrons; data processing means for processing data on the secondary electrons detected by the electron detecting means; and voltage control means for controlling primary electron accelerating voltage. The voltage control means controls the acceleration voltage so that the primary electrons reach inside the first layer or the second layer at the portion where the second layer is exposed excluding the vicinity of the boundary between the first layer and the second layer.

    Abstract translation: 提供一种基板检查装置，用于检查形成的图案的缺陷，使得在包括形成在基板上的第一层和具有与第一层不同的组成的第二层并且形成在第一层上的层叠结构中， 第二层部分露出。 基板检查装置包括：将一次电子施加到基板上的电子发射装置; 电子检测装置，用于检测通过施加一次电子产生的二次电子; 用于处理由电子检测装置检测的二次电子数据的数据处理装置; 以及用于控制一次电子加速电压的电压控制装置。 电压控制装置控制加速电压，使得一次电子在除了第一层和第二层之间的边界附近的第二层露出的部分处到达第一层或第二层内部。

    진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
    7.
    发明公开
    진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 无效
    真空处理装置和真空处理方法

    公开(公告)号：KR1020080075202A

    公开(公告)日：2008-08-14

    申请号：KR1020087015401

    申请日：2007-01-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 곤도마사키 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코

    IPC: C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67288 ,  Y10S414/139

    Abstract: An exhaust mechanism (24) evacuates the inside of a vacuum transporting chamber (10) at a constant exhaust amount or exhaust rate. An exhaust valve (36) is kept normally open, and purge gas (N2 gas) is supplied from a purge gas supply source (30) into the vacuum transporting chamber (10) via an MFC (34) and an on/off valve (36). A main control unit (38) controls a pressure in the vacuum transporting chamber (10) to within a specified range through a flow rate value set to the MFC (34), monitors, at the same time, a pressure in the vacuum transporting chamber (10) via a vacuum gage (40), and judges abnormality when the pressure exceeds a specified upper limit to take such actions as changing a flow rate value set to the MFC (34), giving an alarm and stopping a device operation.

    Abstract translation: 排气机构（24）以恒定的排气量或排气速率排出真空输送室（10）的内部。 排气阀（36）保持常开，并且吹扫气体（N 2气体）经由MFC（34）和开/关阀（...）从吹扫气体供应源（30）供应到真空输送室（10） 36）。 主控制单元（38）通过设置在MFC（34）的流量值将真空输送室（10）中的压力控制在规定范围内，同时监视真空输送室 （40），并且当压力超过规定的上限时判断异常，以采取改变设定到MFC（34）的流量值的动作，发出警报并停止装置的操作。

    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법
    8.
    发明授权
    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법 失效
    用于半导体制造设备的QUARTZ会员，半导体制造设备的QUARTZ会员制造方法，热处理设备以及QUARTZ会员中金属的分析方法

    公开(公告)号：KR100733201B1

    公开(公告)日：2007-06-27

    申请号：KR1020027010172

    申请日：2000-12-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마루모요시노리 ,  스즈키가나메 ,  하야시데루유키 ,  다나하시다카시

    IPC: H01L21/324

    Abstract: 본 발명은 처리 기판의 오염을 야기하지 않고 열처리를 할 수 있는 반도체 제조장치용의 석영관 등의 석영 부재, 그와 같은 석영 부재의 제조방법, 그와 같은 석영 부재를 갖춘 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법을 제공한다. 석영 시료편을 불화수소산중에 침지하여 소정의 깊이에 위치하는 피분석층을 노출시켜, 노출면에 불화수소산 또는 질산 등의 분해액을 적하하여 극히 얇은 피분석층의 두께 분만 분해시켜, 분해액을 회수한다. 분해액을 원자 흡광 분석법(AAS) 등에 의해 정량 분석하여 분해액중에 포함되는 금속량을 측정한다. 분해 전후의 석영 시료의 두께의 차이와 적하한 분해액의 면적으로부터 분해된 피분석층의 부피를 구하고, 이 값과 분해액에 포함되어 있는 금속량으로부터 피분석층의 함유 금속 농도, 나아가 피분석층의 확산 계수를 산출한다. 이렇게 해서 구한 확산 계수를 지표로 하여 금속 원자가 확산하기 어려운 석영 재료를 선정하고, 그 석영 재료로 석영관 등의 반도체 제조장치용 석영 부재를 제조한다.

    진공 처리 시스템 및 그 사용 방법
    9.
    发明公开
    진공 처리 시스템 및 그 사용 방법 失效
    真空加工装置及其使用方法

    公开(公告)号：KR1020060090760A

    公开(公告)日：2006-08-16

    申请号：KR1020060012459

    申请日：2006-02-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사이토미사코 ,  하야시데루유키 ,  고미야다카유키

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: C23C16/4401 ,  H01L21/67069

    Abstract: 진공 처리 시스템은 피 처리 부재를 수용하여 진공 분위기 하에서 처리를 하기 위한 처리 챔버를 포함한다. 상기 처리 챔버는 배기계와 공급계를 갖는다. 상기 처리 챔버 밖에서 또한 상기 처리 챔버 내와 선택적으로 연통되는 공간 내에 마이너스 이온을 발생시키는 이온 발생기가 배치된다. 상기 처리 챔버 내에서 상기 피 처리 부재가 마이너스로 대전한 상태를 형성하기 위해, 마이너스 전하 어플리케이터가 배치된다.
    처리 시스템, 피 처리 부재, 처리 챔버, 반송 챔버, 이온 발생기, 이온 취출부, 이온 반송부

    피처리체의 처리방법 및 처리장치
    10.
    发明公开
    피처리체의 처리방법 및 처리장치 失效
    피처리체의처리방법및처리장치

    公开(公告)号：KR1020030062366A

    公开(公告)日：2003-07-23

    申请号：KR1020037007373

    申请日：2001-12-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히시야신고 ,  후루사와요시카즈 ,  우메자와고타 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코 ,  사토쇼이치

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

    Abstract: 열처리장치(1)는 승온용 히터(12)를 갖아, 유기물이 부착한 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2)과, 반응관(2)내에 산소가스를 공급하는 제 1 가스도입관(13)과, 수소가스를 공급하는 제 2 가스도입관(14)을 구비하고 있다. 제 1 가스도입관(13)에 의해 산소가스, 제 2 가스도입관(14)에 의해 수소가스가 반응관(2)내에 공급되어, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)이 산소가스 및 수소가스가 활성화가능한 온도로 가열된다. 그리고, 반응관(2)내에서 연소반응이 일어나, 웨이퍼(10)에 부착한 유기물이 산화, 분해하여, 제거된다.

    Abstract translation: 热处理装置1包括：用于容纳被有机物污染的晶片10的反应管2，该反应管2具有能够加热反应管的加热器12; 用于将氧气输送到反应管2中的第一气体供给管13; 和用于将氢气输送到反应管2中的第二气体供给管14.将氧气和氢气分别通过第一气体供给管13和第二气体供给管14供给到反应管2中，并且将加热器12 在能够活化氧气和氢气的温度下加热反应管2。 在反应管2中发生燃烧反应，从而附着在晶片10上的有机物质被氧化，分解并除去。 ＆lt;图像＆GT;

Patent Agency Ranking