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公开(公告)号：KR1020020075293A
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1020020015616
申请日：2002-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 다이세이 겐세쓰 가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67196 , G03F7/70833 , G03F7/709
Abstract: PURPOSE: To provide a device for manufacturing a semiconductor having strength and a damping effect appropriate for a whole system comprising an apparatus, an installation stand, and a installation floor different from a conventional excess design. CONSTITUTION: A scanning aligner 10 is installed on the installation stand 30 comprising a steel structure. The installation stand 30 is installed on a floor structure including the installation floor 32. The floor structure has a plurality of columns 34 for supporting the installation floor 32 extending in the horizontal direction. The distances among the columns are 4 to 12 m.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有适用于整个系统的强度和阻尼效果的半导体器件，该整个系统包括与常规多余设计不同的装置，安装支架和安装底板。 构成：扫描对准器10安装在包括钢结构的安装台30上。 安装台30安装在包括安装地板32的地板结构上。地板结构具有用于支撑沿水平方向延伸的安装地板32的多个柱34。 柱间距离为4〜12米。
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公开(公告)号：KR101025372B1
公开(公告)日：2011-03-28
申请号：KR1020080101962
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.-
公开(公告)号：KR1020090089800A
公开(公告)日：2009-08-24
申请号：KR1020090013012
申请日：2009-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/6116
Abstract: A method and an apparatus for inspecting a substrate, and a storage medium are provided to suppress the change of the brightness by preventing the charge up of an insulating layer in a region without a metal electrode. An electronic beam is irradiated on a surface of a substrate stacking a conductive film(11) and an insulating film(12) successively. The number of a secondary electron emitted from an outer layer of a metal electrode(13) reclaimed in a concave part of the insulating film is detected. The electronic beam is irradiated to the region including the metal electrode with a first acceleration voltage. The secondary electron emitted from the corresponding metal is detected. The electronic beam is irradiated to the region without the metal electrode with a second acceleration voltage. The metal different from the metal electrode is formed in the region without the metal electrode.
Abstract translation: 提供了用于检查基板的方法和装置以及存储介质，以通过防止没有金属电极的区域中的绝缘层的充电来抑制亮度的变化。 电子束依次照射在堆叠导电膜（11）和绝缘膜（12）的基板的表面上。 检测从绝缘膜的凹部回收的金属电极（13）的外层发射的二次电子的数量。 电子束以第一加速电压照射到包括金属电极的区域。 检测从相应的金属发射的二次电子。 电子束以不具有第二加速电压的金属电极照射到该区域。 与金属电极不同的金属形成在没有金属电极的区域中。
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公开(公告)号：KR1020090051714A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020080115143
申请日：2008-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090046689A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020080101962
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170130423A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020177026708
申请日：2016-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01N15/1436 , G01N15/1404 , G01N15/1459 , G01N2015/0053
Abstract: 미립자계측장치는, 액체의흐름을형성하도록개구로부터액체를방출하는노즐과, 액체의흐름이형성되는영역내에서전반하도록광을출사하는광출사부와, 영역의길이방향을따른일부영역으로부터의광을받도록, 상기영역의외측에마련된광검출기와, 영역의외주에, 액체가흐르는방향을따른기체의흐름을형성하는기류형성부를구비한다.
Abstract translation: 该粒子测量装置包括：喷嘴，用于从开口发射液体以形成液流;光输出部分，用于发射光以在液流形成的区域中传播; 设置在该区域外部以接收光的光学检测器以及形成沿着液体在该区域的外周边上流动的方向的气流的气流形成部。
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公开(公告)号：KR101009808B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080115143
申请日：2008-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090072991A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020080132188
申请日：2008-12-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: A method for forming a pattern, a manufacturing apparatus for semiconductor and storage media are provided to increase the process freedom degree by forming a micro-pattern in the selected insulating layer among laminated insulating layers. The pattern formation method comprises a formation step of the first and second insulating layers(21, 22), a formation step of first spacers(38a, 38b, 38c), an etch step of the second insulating layer, and a formation step of second spacers and an etch step of the first insulating layer. The formation step of the first and second insulating layers is performed in order to successively form the first and second insulating layers on the substrate(W). The substrate has a mask pattern on the second insulating layer. The mask pattern has a line shape. The formation step of the first spacer is performed in order to form on the side walls of the mask pattern. The mask pattern is removed after the formation step of first spacers is performed.
Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法，用于半导体和存储介质的制造装置，以通过在层叠的绝缘层中在选定的绝缘层中形成微图案来提高工艺自由度。 图案形成方法包括第一和第二绝缘层（21,22）的形成步骤，第一间隔物（38a，38b，38c）的形成步骤，第二绝缘层的蚀刻步骤和第二绝缘层的形成步骤 间隔物和第一绝缘层的蚀刻步骤。 执行第一绝缘层和第二绝缘层的形成步骤，以在衬底（W）上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层。 衬底在第二绝缘层上具有掩模图案。 掩模图案具有线形。 为了在掩模图案的侧壁上形成第一间隔物的形成步骤。 在执行第一间隔物的形成步骤之后去除掩模图案。
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公开(公告)号：KR100628612B1
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：KR1020020015616
申请日：2002-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 다이세이 겐세쓰 가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67196 , G03F7/70833 , G03F7/709
Abstract: 본 발명은 종래와 같이 과잉 설계가 아닌 장치와, 설치가대와, 설치 바닥을 포함한 설비 전체로서 적절한 강도 및 제진 효과를 갖는 반도체 제조 설비를 제공하는 것을 과제로 한다.
스캔형 노광 장치(10)는 철골 구조로 이루어진 설치가대(30)상에 설치된다. 설치가대(30)는 설치 바닥(32)을 포함하는 바닥 구조체에 설치된다. 바닥 구조체는 수평방향으로 연장되는 설치 바닥(32)을 지지하는 복수의 지주(34)를 갖는다. 지주(34)의 간격은 4m 내지 12m이다.-
公开(公告)号：KR101274897B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110003785
申请日：2011-01-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/6875
Abstract: 본발명은반도체웨이퍼등의피처리체를지지할때에, 이이면(하면)에스크래치나흠집등이생기는것을방지하는것이가능한유지체구조를제공한다. 피처리체(W)를유지하기위한유지체구조에있어서, 피처리체의하중을받기위한유지체본체(104)와, 유지체본체의상면에형성된복수의오목부형상의지지체수용부(106)와, 각지지체수용부내에수용되고상단이유지체본체의상면보다도위쪽으로돌출되어상단에서피처리체의하면과맞닿아지지하면서지지체수용부내에서회전가능하게이루어진지지체(108)를구비한다. 이것에의해, 반도체웨이퍼등의피처리체를지지할때에, 이이면(하면)에스크래치나흠집등이생기는것을방지한다.
Abstract translation: 用于支撑处理目标物体的支撑结构包括支撑主体，其支撑加工对象物的重量和形成在支撑主体的顶表面上的凹形支撑体容纳部。 支撑结构还包括容纳在相应的支撑体容纳部分中的支撑体，以在支撑主体的顶表面上方突出。 支撑体可在相应的支撑体容纳部分中滚动，同时支撑底表面与支撑体的上峰部分接触的处理对象物体。
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