公开(公告)号：KR101813420B1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：KR1020167011101

申请日：2014-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마,야스히코 ,  소네,히로시 ,  고미,아츠시 ,  나카무라,간토 ,  기타다,도루 ,  스즈키,야스노부 ,  스즈키,유스케 ,  다카츠키,고이치 ,  히라사와,다츠오 ,  사토,게이스케 ,  야스무로,치아키 ,  시마다,아츠시

IPC: H01L43/12 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/081 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.

Abstract translation: 膜装置的一个实施例包括处理容器。 处理容器内设有装载台，在装载台上方设有金属靶。 此外，头部构造成朝向装载台注入氧化气体。 头部是第一区域和从金属靶和装载区域和所述目标对象装载在金属靶，加载目的地之间的装载区域之间的空间分隔的第二区域之间移动。

公开(公告)号：KR1020160078969A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020167011101

申请日：2014-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마,야스히코 ,  소네,히로시 ,  고미,아츠시 ,  나카무라,간토 ,  기타다,도루 ,  스즈키,야스노부 ,  스즈키,유스케 ,  다카츠키,고이치 ,  히라사와,다츠오 ,  사토,게이스케 ,  야스무로,치아키 ,  시마다,아츠시

IPC: H01L43/12 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/081 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.

Abstract translation: 根据一个实施例的沉积装置包括处理容器。 安装台安装在加工容器的内部，金属靶被安装在安装台的上方。 此外，头部构造成朝向安装台注入氧化气体。 该头部构造成在限定在金属靶和安装在安装台上的目标物体的安装区域之间的第一区域和从金属靶和安装区域之间限定的空间间隔开的第二区域之间移动。 出版物摘要该沉积装置设有处理容器。 在处理容器中设置有安装平台，在安装平台的上方设置有金属靶。 此外，头部构造成朝向安装平台喷射氧化气体。 该头部可以在金属靶和安装在安装平台上的工件的安装区域之间的第一区域和与金属靶材与安装区域之间的空间分离的第二区域之间移动。

公开(公告)号：KR1020150100509A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020150020579

申请日：2015-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시마다,아츠시 ,  후루카와,신지 ,  하타노,다츠오

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/3205 ,  H01L2924/01027

Abstract: 본 발명은 피처리체의 절연막에 형성된 오목부에 코발트를 공급하는 방법을 제공한다. 일 형태에 관한 방법은, (a)오목부를 구획 형성하는 면을 포함하는 절연막의 표면을 따라 코발트 질화막을 형성하는 공정과, (b)코발트 질화막 상에 코발트막을 형성하는 공정과, (c)코발트막을 가열하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种将钴供给到形成在待处理物体的绝缘膜上的凹部的方法。 根据本发明实施例的方法包括：（a）沿着绝缘膜的表面形成氮化钴膜的方法，包括表面分隔和形成凹部; （b）在氮化钴膜上形成钴膜的工序; 和（c）加热钴膜的工艺。