公开(公告)号：KR1020150075380A

公开(公告)日：2015-07-03

申请号：KR1020140187248

申请日：2014-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모무라코우지 ,  노로나오타카 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판에대하여마이크로파를이용하는플라즈마처리와마이크로파조사에의한가열처리를행하는것이가능한기판처리장치및 기판처리방법을제공한다. 기판처리장치(1)는, 처리용기(2)와, 처리용기(2) 내로마이크로파를도입하는마이크로파도입장치(3)와, 처리용기(2) 내에서웨이퍼(W)를지지하는재치대(4)를구비하고있다. 재치대(4)는마이크로파를투과시키는재료에의해구성되어있다. 처리용기(2) 내에는, 웨이퍼(W)에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리공간(S1)과, 마이크로파가직접도입되는마이크로파도입공간(S2)이형성되어있다. 재치대(4)를투과한마이크로파는, 플라즈마처리공간(S1)에도달하여플라즈마에소비되기전에, 우선적으로웨이퍼(W)의가열에이용된다.

Abstract translation: 提供了一种能够执行使用微波的等离子体处理和通过基板的微波投影的热处理的基板处理装置和基板处理方法。 基板处理装置（1）包括：处理容器（2）; 微波感应装置（3），用于将微波引入处理容器（2）中; 以及用于支撑处理容器（2）内的晶片（W）的放置台（4）。 放置台（4）由能够传输微波的材料制成。 在处理容器（2）中形成用于对晶片（W）进行等离子体处理的等离子体处理空间（S1）和微波感应空间（S2）。 通过放置台（4）的微波用于通过在等离子体消耗之前到达等离子体处理空间（S1）来加热晶片（W）。