公开(公告)号：KR101989141B1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：KR1020170133148

申请日：2017-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  하세가와토시오 ,  타케야마타마키 ,  이와시타신야 ,  히로세카츠히토

IPC: H01L21/67

公开(公告)号：KR101493130B1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020120123505

申请日：2012-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  아시자와히로아키 ,  하라준야 ,  이와이다카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L28/65

Abstract: CVD법에 의해, 인큐베이션 시간이 짧고 또한 고성막 레이트로 성막 가능하며, 또한 스텝 커버리지가 높아, 50 이상의 높은 어스펙트비의 오목부에의 성막이 가능한 산화루테늄막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에 기판을 수용하고, Ru에 2개의 β-디케톤, 및 올레핀, 아민, 니트릴 및 카르보닐로부터 선택되는 2개의 기가 배위된 이하의 화학식 1의 구조를 가지는 루테늄 화합물을 기상 상태로 기판 상에 공급하고, 또한 산소 가스를 기판 상에 공급하여, 상기 루테늄 화합물 가스와 산소 가스의 반응에 의해 기판 상에 산화루테늄막을 성막한다.
(화학식 1)

단, R
1 , R
2 는 총 탄소수가 2∼5인 알킬기이며, R
3 은 올레핀기, 아민기, 니트릴기 및 카르보닐기로부터 선택되는 기이다.

公开(公告)号：KR1020150075380A

公开(公告)日：2015-07-03

申请号：KR1020140187248

申请日：2014-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모무라코우지 ,  노로나오타카 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판에대하여마이크로파를이용하는플라즈마처리와마이크로파조사에의한가열처리를행하는것이가능한기판처리장치및 기판처리방법을제공한다. 기판처리장치(1)는, 처리용기(2)와, 처리용기(2) 내로마이크로파를도입하는마이크로파도입장치(3)와, 처리용기(2) 내에서웨이퍼(W)를지지하는재치대(4)를구비하고있다. 재치대(4)는마이크로파를투과시키는재료에의해구성되어있다. 처리용기(2) 내에는, 웨이퍼(W)에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리공간(S1)과, 마이크로파가직접도입되는마이크로파도입공간(S2)이형성되어있다. 재치대(4)를투과한마이크로파는, 플라즈마처리공간(S1)에도달하여플라즈마에소비되기전에, 우선적으로웨이퍼(W)의가열에이용된다.

Abstract translation: 提供了一种能够执行使用微波的等离子体处理和通过基板的微波投影的热处理的基板处理装置和基板处理方法。 基板处理装置（1）包括：处理容器（2）; 微波感应装置（3），用于将微波引入处理容器（2）中; 以及用于支撑处理容器（2）内的晶片（W）的放置台（4）。 放置台（4）由能够传输微波的材料制成。 在处理容器（2）中形成用于对晶片（W）进行等离子体处理的等离子体处理空间（S1）和微波感应空间（S2）。 通过放置台（4）的微波用于通过在等离子体消耗之前到达等离子体处理空间（S1）来加热晶片（W）。

公开(公告)号：KR1020100095398A

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020100015168

申请日：2010-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  미야하라타카히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a silicon film and a using method thereof are provided to suppress the deterioration of yield of a device due to particle contamination by etching a reactive tube or injector with hydrogen fluoride gas. CONSTITUTION: A quartz reaction tube(1) comprises a process area(1a) for receiving a plurality of objects. A quartz supporting device(21) supports the objects with the laminated state with a vertical space on the process area. A heater(17) surrounds the reaction tube and heats the object on the process area. A gas supply unit supplies process gas to the process area. An exhaust unit suctions the gate to the upper side of the process area and exhausts the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的设备及其使用方法，以通过用氟化氢气体蚀刻反应性管或喷射器来抑制由于颗粒污染导致的器件产量的劣化。 构成：石英反应管（1）包括用于接收多个物体的处理区域（1a）。 石英支撑装置（21）在处理区域上以垂直空间支撑层叠状态的物体。 加热器（17）围绕反应管并加热处理区域上的物体。 气体供应单元向处理区域供应处理气体。 排气单元将浇口吸入处理区域的上侧并排出反应管。

公开(公告)号：KR102114555B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020180110942

申请日：2018-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  기쿠치다카미치 ,  노로나오타카 ,  하세가와도시오 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

公开(公告)号：KR101300586B1

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020100015168

申请日：2010-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  미야하라타카히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 실리콘 성막 장치의 사용 방법은, 반응관을 실리콘 코팅막으로 피복하는 프리 코팅 처리, 제품용 피(被)처리체 상의 자연 산화막을 에칭하는 에칭 처리, 제품용 피처리체 상에 실리콘 제품막을 성막하는 실리콘 성막 처리 및, 반응관 상의 실리콘막을 에칭하는 클리닝 처리를 이 순서로 행한다. 프리 코팅 처리에서는, 반응관을 상방으로 배기하면서, 처리 영역보다 하측의 제1 위치에 최하 개구부를 갖는 제1 공급구로부터 반응관 내에 실리콘 소스 가스를 공급한다. 에칭 처리에서는, 반응관을 상방으로 배기하면서, 처리 영역과 제1 위치의 사이에 최하 개구부를 갖는 제2 공급구로부터 반응관 내에 에칭 가스를 공급한다.

公开(公告)号：KR1020130049743A

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020120123505

申请日：2012-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  아시자와히로아키 ,  하라준야 ,  이와이다카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L28/65

Abstract: PURPOSE: A method for forming a ruthenium oxide layer and a storage medium are provided to reduce incubation time by forming the ruthenium oxide layer with a high rate. CONSTITUTION: A chamber(1) is cylindrical. A susceptor(2) horizontally supports the wafer and is supported by a support member. A heater(5) is buried in the susceptor. A heater power source is connected to a heater. [Reference numerals] (23) Exhaust device; (51) Process controller; (52) User interface; (53) Memory unit; (53a) Memory medium; (6) Heater power; (8) Heater controller

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化钌层和存储介质的方法，以通过以高速率形成氧化钌层来减少孵育时间。 构成：室（1）为圆柱形。 感受器（2）水平地支撑晶片并由支撑构件支撑。 加热器（5）埋在基座中。 加热器电源连接到加热器。 （附图标记）（23）排气装置; （51）过程控制器; （52）用户界面; （53）存储单元; （53a）存储介质; （6）加热器功率; （8）加热器控制器

公开(公告)号：KR1020120106566A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120023318

申请日：2012-03-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홋타타카노부 ,  노로나오타카 ,  스즈키미키오

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for treating a substrate is provided to control the coherence of a nickel film by heating a wafer under the hydrogen atmosphere. CONSTITUTION: A nickel film(304) is formed on a substrate to be processed. The substrate to be processed is heated to predetermined temperature under the hydrogen atmosphere. The predetermined temperature is higher than or equal to 300degrees. A cap membrane(306) covering the surface of the nickel film is formed on the substrate to be processed. The cap membrane is formed with gas including one among tungsten, titanium, titanium nitride, tantalum, or tantalum nitride by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.

Abstract translation: 目的：提供一种处理基板的方法，以通过在氢气氛下加热晶片来控制镍膜的相干性。 构成：在被处理基板上形成镍膜（304）。 将待处理的基板在氢气氛下加热至预定温度。 预定温度高于或等于300度。 在被处理基板上形成覆盖镍膜表面的盖膜（306）。 通过CVD（化学气相沉积）方法，通过钨，钛，氮化钛，钽或氮化钽中的一种形成盖膜。