公开(公告)号：KR101926478B1

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：KR1020157008419

申请日：2013-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L43/02

Abstract: 제 1 자성층 및 제 2 자성층에 의해 절연층을 개재하여 적층된 금속 적층막을 포함하는 다층막 재료를 에칭하는 에칭 처리 방법으로서, 처리 용기 내로 제 1 가스를 공급하여 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마에 의해 상기 금속 적층막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하고, 상기 제 1 가스는 PF
3 가스를 함유하는 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 처리 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101913676B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020120017271

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  소네타카시 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 에칭레이트를저하시키지않고애스펙트비가높은홀 등을실리콘층에형성할수 있는기판처리방법을제공한다. 웨이퍼(W)의폴리실리콘층(38)이취화(臭化) 수소가스, 산소가스및 삼불화질소가스를포함하는처리가스로부터생성된플라즈마중의취소양이온(45a) 및취소라디칼(45b)로에칭되고, 산소가스및 질소가스를포함하는처리가스로부터생성된플라즈마중의산소라디칼(46) 및질소라디칼(47)로애싱되고, 아르곤가스및 삼불화질소가스를포함하는처리가스로부터생성된플라즈마중의불소양이온(48a) 및불소라디칼(48b)로에칭되고, 상기애싱시, 취소양이온(45a) 등에의한폴리실리콘층(38)의에칭으로생성된취화규소에산화처리가실시된다.

公开(公告)号：KR1020150143435A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020157024987

申请日：2014-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리키타신야 ,  니시무라에이치 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 피처리체의하지층상에패턴을형성하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 하지층상에제 1 폴리머및 제 2 폴리머를포함하는자기조직화가능한블록·코폴리머층을형성하는공정과, (b) 블록·코폴리머층에제 1 폴리머를포함하는제 1 영역및 제 2 폴리머를포함하는제 2 영역을형성하도록피처리체를처리하는공정과, (c) 피처리체를처리하는공정후, 용량결합형의플라즈마처리장치내에있어서제 2 영역의막 두께의도중까지상기제 2 영역을에칭하는공정과, (d) 제 2 영역을에칭하는공정후, 플라즈마처리장치의상부전극에음의직류전압을인가하여상기상부전극으로부터이차전자를발생시키고, 상기이차전자를피처리체에조사하는공정과, (e) 이차전자를피처리체에조사하는공정후, 플라즈마처리장치내에있어서제 2 영역을추가로에칭하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR1020130086177A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020130006800

申请日：2013-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  코츠기타다시 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138

Abstract: PURPOSE: An etching method and an etching apparatus are provided to be able to rationalize the etching condition of a periodical pattern formed by the self-organization of block copolymer. CONSTITUTION: A high frequency power is lower than the ion energy distribution generating an etching yield of a first polymer, sets frequency so that the ion energy is highly spread in the range higher than the ion energy distribution generating an etching yield of a second polymer, and supplies a high frequency power to a process chamber (10). A gas source (60) supplies gas to the process chamber. A control unit (88) produces plasma from the gas introduced into the process room by the high frequency power, and controls the periodic pattern on a subject held on a holding support by using the generated plasma. [Reference numerals] (60) Processing gas supply source; (68,40,42) Matching unit; (76) Exhaust device; (83) DC controller; (86) Filter circuit; (88) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以使得通过嵌段共聚物的自组织形成的周期性图案的蚀刻条件合理化。 构成：高频功率低于产生第一聚合物的蚀刻产率的离子能量分布，设定频率使得离子能量在高于产生第二聚合物的蚀刻产率的离子能量分布的范围内高度扩散， 并向处理室（10）提供高频功率。 气体源（60）向处理室供应气体。 控制单元（88）通过高频功率从引入到处理室的气体产生等离子体，并且通过使用产生的等离子体来控制保持在保持支架上的被检体上的周期性图案。 （附图标记）（60）加工气体供给源; （68,40,42）配套单位; （76）排气装置; （83）直流控制器; （86）滤波电路; （88）控制单元

公开(公告)号：KR101220697B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.

公开(公告)号：KR1020120042864A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020127002124

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호징 야마나시다이가쿠

Inventor： 시미즈마사히로 ,  코마츠시게카즈 ,  니시무라에이치 ,  기무라요시오 ,  오오아사타카히코 ,  오쿠자키히데노리

IPC: H01L21/3065 ,  H02N11/00 ,  H02N2/00

CPC classification number: F03G7/005

Abstract: 액추에이터 소자(10)는, 실리콘을 포함하는 엘라스토머와 이온 액체의 혼합물로 이루어지고, 전압이 인가됨으로써 변위하는 변위자(11), 및 변위자(11)에 전압을 인가하기 위한 전극(12, 13)을 가지는 소자 본체(14)와, 변위자(11)의 변위에 의해 면외 방향으로 변위하는 변위 전달부(15)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101054791B1

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020090101802

申请日：2009-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 엔도테츠오 ,  니시무라에이치

IPC: H01L29/768

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66795

Abstract: 미세화된 3 차원적인 디바이스를 실현할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 개시된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 라인 앤드 스페이스 형상의 제 2 층(12)을 제 2 층(12)이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 라인 앤드 스페이스 형상의 제 8 층(25)을 마스크로 하여 에칭함으로써 2 차원적으로 배열되는 제 2 층(12)을 얻고, 이에 따라 하지층을 에칭함으로써 2 차원적으로 배열되는 필러를 형성할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种能够实现小型化的三维器件的半导体器件的制造方法。 根据本发明，线和空间的第二层12，第二层12的实施例，根据半导体装置的制造方法中所公开的，线和空间形状延伸的方向交叉的形状的延伸方向 由第八层25的蚀刻，以获得第二层12通过蚀刻作为掩膜被二维排列，这些层不因此能够形成支柱被布置在两个维度。

公开(公告)号：KR101773806B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：KR1020100140228

申请日：2010-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  야마시타후미코 ,  니시무라에이치 ,  오오이와토쿠히사 ,  마츠시타타카야 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 실리콘층의노출부를포함하는패턴을플라즈마에칭에의해형성할때, 부생성물의제거와잔류불소의제거를패턴에손상을주지않고행할수 있는기판의클리닝방법및 기판의클리닝장치를제공한다. 기판상의패턴을플라즈마에칭에의해형성한후에, 기판의표면을클리닝하는기판의클리닝방법으로서, 기판을 HF 가스분위기에노출하여부생성물을제거하는부생성물제거공정과, 수소가스와, 탄소와수소를구성원소로서포함하는화합물의가스와, 희가스를포함하는클리닝가스를플라즈마화하여기판에작용시키고, 상기기판에잔류한불소를제거하는잔류불소제거공정을구비하고있다.

Abstract translation: 当通过包括硅层，以等离子体蚀刻的暴露部分上形成图案而形成，为副产物和残留的氟基板清洗方法和基板能够执行而不会对图案除去的损坏的去除提供的清洁装置。 通过在衬底的等离子体蚀刻的图案形成Hanhue，衬底的清洗方法来清洁衬底的表面，并暴露于HF气体气氛的底物和副产物除去步骤，以除去副产物，氢气，碳和氢 和含有作为构成元素的化合物的气体，以及含有该等离子体清洗气体的稀有气体和作用于底物，并且具有在所述基板上除去残留的氟的残留的氟去除过程。

公开(公告)号：KR1020150014434A

公开(公告)日：2015-02-06

申请号：KR1020147026698

申请日：2013-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 소네타카시 ,  우라야마다이스케 ,  쿠시비키마사토 ,  코이즈미나오 ,  쿠메와타루 ,  니시무라에이치 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32825 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32908 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

Abstract: 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마가 생성되는 처리 공간(S)을 구획 형성하는 처리 용기(12)와, 처리 공간(S) 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(44)를 구비하는 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여, 제 1 자성층(105) 및 제 2 자성층(103)이 절연층(104)을 개재하여 적층된 적층 구조를 포함하는 다층막 재료를 에칭하는 플라즈마 처리 방법으로서, 처리 용기(12)로 제 1 처리 가스를 공급하고, 플라즈마를 발생시켜 제 1 자성층(105)을 에칭하고, 절연층(104)의 표면에서 에칭을 종료하는 제 1 에칭 공정과, 처리 용기(12)로 제 2 처리 가스를 공급하고, 플라즈마를 발생시켜 제 1 에칭 공정에서 생성된 잔류물(Z)을 제거하는 제 2 에칭 공정을 구비하고, 제 1 자성층(105) 및 제 2 자성층(103)은 CoFeB를 포함하고, 제 1 처리 가스는 Cl
2 를 포함하고, 제 2 처리 가스는 H
2 를 포함� �다.

Abstract translation: 蚀刻具有第一磁性层105和第二磁性层103层叠有绝缘层104的结构的多层材料的等离子体处理方法通过包括处理室12的等离子体处理装置10进行，处理室12的处理空间S 形成了; 以及将处理气体供给到处理空间中的气体供给部44，其包括通过供给第一处理而产生等离子体来蚀刻第一磁性层的第一蚀刻工序，在第一蚀刻工序 绝缘层; 以及通过供给第二处理气体并产生等离子体来除去残渣Z的第二蚀刻工艺。 第一磁性层和第二磁性层含有CoFeB，第一处理气体含有Cl 2，第二处理气体含有H 2。

公开(公告)号：KR1020140063453A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020130138483

申请日：2013-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  코츠기타다시 ,  소네타카시

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724

Abstract: Provided are a plasma processing method and a plasma processing device, capable of improving properties of an MRAM element by preventing a leak current. The plasma processing method comprises etching a multi-layered material by using a plasma processing device. The device of the present invention includes a processing container and a gas supply part. The multi-layered material includes a lamination structure laminated in order of a first magnetic layer, an insulating layer, a second magnetic layer, and a mask material. The method includes a mask forming process and an etching process. In the mask forming process, a mask is formed on the second magnetic layer by etching the mask material. In the etching process, process gas is supplied to the processing container, plasma is generated, the second magnetic layer is etched by using the mask, and the etching is terminated on the insulating layer, wherein the second magnetic layer includes CoFeB. The insulating layer includes MgO. The processing gas includes H_2 and F or fluoric compound.

Abstract translation: 提供了能够通过防止泄漏电流来改善MRAM元件的特性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。 等离子体处理方法包括通过使用等离子体处理装置来蚀刻多层材料。 本发明的装置包括处理容器和气体供给部。 多层材料包括按照第一磁性层，绝缘层，第二磁性层和掩模材料的顺序层叠的叠层结构。 该方法包括掩模形成工艺和蚀刻工艺。 在掩模形成工艺中，通过蚀刻掩模材料在第二磁性层上形成掩模。 在蚀刻工序中，将处理气体供给至处理容器，生成等离子体，利用掩模蚀刻第二磁性层，在绝缘层上终止蚀刻，其中第二磁性层包括CoFeB。 绝缘层包括MgO。 处理气体包括H_2和F或氟化合物。