公开(公告)号：KR1020070039946A

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020077003169

申请日：2005-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모아오키타케시 ,  쿄우다히데하루 ,  니와타카후미

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/02057

Abstract: 본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 노광광선을 조사하기 위하여 레지스트막이 대면하는 광학부품과 웨이퍼의 표면의 사이에 노광광선을 투과하고, 또한 웨이퍼의 표면 및 광학부품의 표면을 세정하는 기능을 가지는 액체로 액층을 형성하고, 광학부품에서 조사되는 노광광선을 액층을 통하여 레지스트막에 소정의 패턴으로 조사하는 것으로 레지스트막을 노광하고, 노광이 종료한 웨이퍼를 현상하고, 웨이퍼에 소정의 패턴을 형성하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 在晶片的表面上形成抗蚀剂膜。 然后，从面向抗蚀剂膜的光学部件和晶片的表面之间的液体形成用于用曝光光线照射抗蚀剂膜的液体层。 液体能够透射曝光光线，并且具有清洁晶片的表面和光学部件的表面的功能。 然后，用从光学部件投射的透射光束照射抗蚀剂膜，并透过液体层，在抗蚀膜上进行规定图案的曝光。 然后，在曝光后在晶片上进行显影，以在晶片上形成预定图案。