Abstract:
본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 노광광선을 조사하기 위하여 레지스트막이 대면하는 광학부품과 웨이퍼의 표면의 사이에 노광광선을 투과하고, 또한 웨이퍼의 표면 및 광학부품의 표면을 세정하는 기능을 가지는 액체로 액층을 형성하고, 광학부품에서 조사되는 노광광선을 액층을 통하여 레지스트막에 소정의 패턴으로 조사하는 것으로 레지스트막을 노광하고, 노광이 종료한 웨이퍼를 현상하고, 웨이퍼에 소정의 패턴을 형성하는 기술을 제공한다.
Abstract:
A coater/developer ensuring coating/development with high precision and high in-plane uniformity by suppressing the influence of components eluted from resist at the time of processing a substrate subjected to liquid immersion exposure. The surface of the substrate is coated with resist using a coating unit, the substrate is then cleaned using a first cleaning means such as a cleaning nozzle before exposed. Since the quantity of components eluted from the resist is small even if a liquid layer for passing light at the time of exposure is formed on the surface of the substrate, exposure can be carried out with high line width accuracy, and resultantly a resist pattern can be formed with high precision and high in-plane uniformity on the developed substrate.
Abstract:
A transfer arm cleaning device, a transfer arm cleaning method, a program and a computer-readable recording medium are provided to allow a user to clean a maintenance unit of the transfer arm efficiently by preventing a foreign material and a washing solution from being leaked. In a transfer arm cleaning device, a transfer arm cleaning method, a program and a computer-readable recording medium, a cleaning device(1) washes a maintenance unit of a transfer arm(10) having a plurality of the substrate maintenance units. An opening part is formed at one side of a treatment basin(20) so that it allows the access of the transfer arm, and a cleaning gas or the washing solution is discharged to the cleaning nozzle(40). A gas jet part(30) is installed at the opening of the treatment basin and discharges the gas.
Abstract:
본 발명은 도포· 현상장치 및 도포 · 현상방법에 관한 것으로서 도포 유니트에서 기판의 표면에 레지스트를 도포해 그 다음에 제1의 세정 수단 예를 들면 세정 노즐에 의해 기판을 세정하고 그 후 노광하는 구성으로 한다. 이 경우, 노광시에 기판의 표면에 빛을 투과시키는 액층을 기판의 표면에 형성해도 레지스트로부터 용출하는 성분의 양이 적기 때문에 선폭 정밀도가 높은 노광 처리를 할 수가 있어 결과적으로 현상후의 기판에 고정밀도 또한 면내 균일성이 높은 레지스트 패턴을 형성할 수가 있다. 액침노광이 적용되는 기판을 처리할 때에 레지스트로부터 용출 하는 성분의 영향을 억제해 고정밀도 또한 면내 균일성이 높은 도포, 현상을 하는 기술을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 반송 아암 세정 장치, 반송 아암 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것으로서 반송 아암 세정 장치(1)는 반송 아암(102)측의 측면이 개구한 처리 용기(20)를 가지고 있다. 처리 용기(20)의 개구부(21)의 상부와 하부에는, 기체를 분사하는 기체 분사부(30, 31)가 설치되고 있다. 기체 분사부(30)로부터의 기체의 분사에 의해 개구부(21)에는 에어 커튼이 형성된다. 처리 용기(20)내의 상부에는 세정 가스 및 세정액을 토출하는 세정 노즐(40)이 설치되고, 세정 노즐(40)은 수평 방향 및 수직 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 세정 노즐(40)으로부터 토출되는 세정 가스 및 세정액은 가열되고 세정액은 미스트형상이 되어 있다. 처리 용기(20)의 바닥면에는 세정 노즐(40)로부터 토출되고 처리 용기(20)의 바닥면에 낙하한 세정액을 회수하는 배액구(50)가 형성되고 있는 반송 아암의 보유 지지부를 효율적으로 세정하는 기술을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A development processing method and apparatus using a developing solution containing an organic solvent are provided to improve melting and removal rates of a resist film by maintaining a liquid film of the developing solution to be thin. CONSTITUTION: A wafer is rotated by a rotary drive mechanism(S1). A developing nozzle is carried from a peripheral portion of the wafer to an upper portion of a central portion(S2). A developing solution is provided from the developing nozzle to the central portion of the wafer(S3). The developing nozzle is carried from the central portion of the wafer to the peripheral portion(S4). A rinse solution including an organic solvent is provided to the surface of the wafer(S5). Spin dry processing for eliminating the rinse solution from the surface of the wafer is performed(S6). [Reference numerals] (A) Supplying a development solution; (AA) Start; (B) Stopping supplying the development solution; (BB) End; (C) Supplying the developing solution; (S1) Rotating a wafer; (S2) Moving a developing nozzle to the center portion; (S4) Moving the developing nozzle to the peripheral portion; (S5) Rinsing; (S6) Drying
Abstract:
본 발명은 기판세정장치 및 기판세정방법에 관한 것으로서 세정액노즐로부터의 세정액의 공급 위치를 기판의 중앙부로부터 주변으로 향해 이동시킴과 동시에 공급 위치에서 기판의 회전 방향에 있어서의 하류측 영역에 대해서 기판의 외측으로 향해 가스를 불어낸다. 이것에 의해 세정액이 기판의 표면을 조금 흘러 액막을이룬 상태로 기류에 의한 외측으로 향한 힘이 작용하므로 주방향으로 흐르는 액흐름이 외측으로 이동한다. 또 세정액노즐로부터 토출된 세정액을 토출구와 같은 높이나 그것보다 낮은 위치에 형성된 액누름면부에 의해 구속함으로써 액의 응집이 생기므로 저회전에서도 원심력이 커져 그 액의 응집이 밖으로 향하는 작용이 커진다. 기판의 표면을 스핀 세정하는 것에 있어 기판상에 잔존하는 물방울을 저감하고 예를 들면 노광 후의 가열 처리시에 있어서의 물방울 혹은 워터마크에 의한 가열 얼룩을 억제하는 기술을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A developing processing apparatus, a developing processing method, and a computer readable storage medium are provided to properly form a resist pattern on a resist film by developing the resist film on a substrate with high precision. CONSTITUTION: A processing container(110) receives a substrate(W). A processing gas supply unit(122) supplies gas to the processing container. A density measuring unit(130) measures the density of acetic acid butyl gas in the processing container. A spin chuck(140) holds the substrate in the processing container. A developer nozzle supplies a developer with an organic solvent to the substrate held on the spin chuck.