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    유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치
    2.
    发明公开
    유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치 审中-实审
    使用含有机溶剂的开发商解决方案的开发处理方法和开发处理设备

    公开(公告)号：KR1020120097331A

    公开(公告)日：2012-09-03

    申请号：KR1020120017769

    申请日：2012-02-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 혼타케코우이치 ,  니와타카후미 ,  쿄우다히데하루 ,  요시하라코우스케

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/30

    Abstract: PURPOSE: A development processing method and apparatus using a developing solution containing an organic solvent are provided to improve melting and removal rates of a resist film by maintaining a liquid film of the developing solution to be thin. CONSTITUTION: A wafer is rotated by a rotary drive mechanism(S1). A developing nozzle is carried from a peripheral portion of the wafer to an upper portion of a central portion(S2). A developing solution is provided from the developing nozzle to the central portion of the wafer(S3). The developing nozzle is carried from the central portion of the wafer to the peripheral portion(S4). A rinse solution including an organic solvent is provided to the surface of the wafer(S5). Spin dry processing for eliminating the rinse solution from the surface of the wafer is performed(S6). [Reference numerals] (A) Supplying a development solution; (AA) Start; (B) Stopping supplying the development solution; (BB) End; (C) Supplying the developing solution; (S1) Rotating a wafer; (S2) Moving a developing nozzle to the center portion; (S4) Moving the developing nozzle to the peripheral portion; (S5) Rinsing; (S6) Drying

    Abstract translation: 目的：提供使用含有有机溶剂的显影液的显影处理方法和装置，以通过将显影液的液膜保持薄而提高抗蚀剂膜的熔融和除去速度。 构成：通过旋转驱动机构旋转晶片（S1）。 显影喷嘴从晶片的周边部分运送到中心部分的上部（S2）。 从显影喷嘴提供到晶片的中心部分的显影液（S3）。 显影喷嘴从晶片的中心部分运送到周边部分（S4）。 将包含有机溶剂的冲洗溶液提供到晶片的表面（S5）。 进行用于从晶片表面去除冲洗溶液的旋转干燥处理（S6）。 （附图标记）（A）提供开发解决方案; （AA）开始; （二）停止供应开发解决方案; （BB）结束; （C）提供开发解决方案; （S1）旋转晶圆; （S2）将显影喷嘴移动到中心部分; （S4）将显影喷嘴移动到周边部分; （S5）冲洗; （S6）干燥

    기판 처리 방법
    3.
    发明公开
    기판 처리 방법 无效
    基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020070039946A

    公开(公告)日：2007-04-13

    申请号：KR1020077003169

    申请日：2005-07-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 시모아오키타케시 ,  쿄우다히데하루 ,  니와타카후미

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

    CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/02057

    Abstract: 본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 노광광선을 조사하기 위하여 레지스트막이 대면하는 광학부품과 웨이퍼의 표면의 사이에 노광광선을 투과하고, 또한 웨이퍼의 표면 및 광학부품의 표면을 세정하는 기능을 가지는 액체로 액층을 형성하고, 광학부품에서 조사되는 노광광선을 액층을 통하여 레지스트막에 소정의 패턴으로 조사하는 것으로 레지스트막을 노광하고, 노광이 종료한 웨이퍼를 현상하고, 웨이퍼에 소정의 패턴을 형성하는 기술을 제공한다.

    Abstract translation: 在晶片的表面上形成抗蚀剂膜。 然后，从面向抗蚀剂膜的光学部件和晶片的表面之间的液体形成用于用曝光光线照射抗蚀剂膜的液体层。 液体能够透射曝光光线，并且具有清洁晶片的表面和光学部件的表面的功能。 然后，用从光学部件投射的透射光束照射抗蚀剂膜，并透过液体层，在抗蚀膜上进行规定图案的曝光。 然后，在曝光后在晶片上进行显影，以在晶片上形成预定图案。

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