公开(公告)号：KR1020020029907A

公开(公告)日：2002-04-20

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래 보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR100705371B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.