公开(公告)号：KR100791864B1

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020000045155

申请日：2000-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  오노미치히로 ,  고토히데토 ,  모리히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/12 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명에 따라, 피처리 대상물의 금속 배선층 등이 산화되는 것을 방지할 수 있는 세정 기구가 제공된다. 상기 세정 기구는 피처리 대상물(W)의 체적보다 약간 더 큰 체적의 처리 공간(S)이 있는 세정 용기(72)와, 상기 대상물을 처리하는 세정 유체(32)를 저장하는 유체 저장 탱크(30)와, 상기 세정 유체를 유체 저장 탱크로부터 세정 용기에 공급하는 공급 라인(46A 내지 46D)과, 상기 세정 유체를 세정 용기로부터 유체 저장 탱크로 복귀시키는 환류 라인(47A 내지 47D)을 포함하고, 상기 유체 저장 탱크와 공급 라인 및 환류 라인은 서로 연결되어 폐쇄된 세정 유체 순환 라인(51A 내지 51D)을 형성한다. 따라서, 대상물의 금속 배선층 등이 산화되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010049985A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1020000045155

申请日：2000-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  오노미치히로 ,  고토히데토 ,  모리히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/12 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A cleaning device is provided to be capable of preventing a metal wiring and the like from being oxidized. CONSTITUTION: A cleaning device comprises a cleaning vessel having a processing space for storing a work W to be processed, a liquid storage tank for storing a cleaning liquid for processing the work W, supply passages for supplying the cleaning liquid from the liquid storage tank to the cleaning vessel, and return passages for returning the cleaning liquid from the cleaning vessel to the storing tank, and the cleaning vessel, the liquid storage tank, the supply passages, and the return passages constitute a closed cleaning liquid circulation passages. The cross-sectional area of the processing space, normal to the direction of the laminar flow of the cleaning liquid crossing over the work W, is set at a value which is a prescribed times larger than the maximum cross-sectional area of the work W normal to the direction described.

Abstract translation: 目的：提供一种能够防止金属布线等被氧化的​​清洁装置。 构成：清洁装置包括清洗容器，该清洁容器具有用于储存待加工的工件W的处理空间，用于储存用于处理工件W的清洗液的储液罐，用于从液体储存罐供给清洗液的供给通道 清洁容器和用于将清洁液从清洗容器返回到储存罐的返回通道，清洗容器，液体储存罐，供给通道和返回通道构成封闭的清洁液循环通道。 与工件W相交的清洗液的层流方向垂直于处理空间的横截面积被设定为大于工件W的最大截面积的规定倍数的值 与所描述的方向正常。

公开(公告)号：KR1020020029907A

公开(公告)日：2002-04-20

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래 보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR100705371B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1020020019056A

公开(公告)日：2002-03-09

申请号：KR1020017015451

申请日：2000-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니유야다카유키 ,  오노미치히로 ,  고토히데토

IPC: H01L21/3205

Abstract: 본 발명은 상감 프로세스(damascene process)를 이용한 반도체 장치로의 배선의 매립 공정에 있어서 절연막의 유전율을 높이지 않고 제조 공정의 간략화를 달성하는 것을 과제로 하고, 상감 프로세스에 있어서의 금속층으로 보호막을 형성하는 공정에서, 연마된 기판상에 부착되어 있는 입자를 제거하기 위한 세정 유닛과, 입자가 제거된 기판상의 금속층에 부착되는 유기 물질, 예컨대 벤조트리아졸 용액을 접촉시키기 위한 처리 유닛을 조합한 것으로서, 처리 유닛과 세정 유닛의 조합은 배치식(batch type), 매엽식(single wafer type)의 각각의 장치를 이용하는 것이 가능하다.