公开(公告)号：KR1020010104651A

公开(公告)日：2001-11-26

申请号：KR1020010024621

申请日：2001-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  마츠오다케노부 ,  기무라고이치로 ,  박경호 ,  가토요시노리 ,  야기야스시

IPC: H01L21/00

Abstract: 웨이퍼와 웨이퍼를 유지하는 홀더의 사이에 접촉면이 대략 평면형으로 형성되고, 내주면이 대략 평면형으로 되고 그리고 접촉면에 대하여 대략 수직으로 형성된 시일 부재가 설치된다. 이 시일 부재는 밀봉 상태에서 시일 부재의 내주면과 접촉면과의 경계부에 곡률반경이 0.5㎜ 이하의 가장자리부가 존재한다. 이 가장자리부가 존재함으로써, 시일 부재의 접촉면과 웨이퍼(W)의 피도금면 사이의 간극을 작게 할 수 있고, 이 간극에 들어가는 기포를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100802810B1

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020010024670

申请日：2001-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  가토요시노리 ,  사토히로시 ,  박경호

IPC: H01L21/00

Abstract: 처리액으로서 정리되어 폐기되는 빈도를 대폭 경감하여, 제조부담이 적고 원활하면서 또한 고품질로 액 처리가 가능한 액 처리 장치를 제공한다. 피 처리 기판에 액처리를 실시하는 처리액을 수용 가능한 처리액조와, 수용가능한 처리액을 처리액조 바깥과의 사이에서 순환시키는 처리액 순환계와, 순환되는 처리액중에 포함된 액 처리에 의한 반응 생성물을 제거하는 생성물 제거부를 포함한다. 수용된 처리액을 처리액조 외부와의 사이에서 순환시켜, 순환중인 처리액에 포함된 반응 생성물을 생성물 제거부에 의해 제거한다. 이것에 의해, 처리액에 잔류하는 화학 변화물, 분해물을 제거할 수 있으며, 처리액으로서의 열화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020029907A

公开(公告)日：2002-04-20

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래 보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1020010102941A

公开(公告)日：2001-11-17

申请号：KR1020010024670

申请日：2001-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  가토요시노리 ,  사토히로시 ,  박경호

IPC: H01L21/00

Abstract: 처리액으로서 정리되어 폐기되는 빈도를 대폭 경감하여, 제조부담이 적고 원활하면서 또한 고품질로 액 처리가 가능한 액 처리 장치를 제공한다. 피 처리 기판에 액처리를 실시하는 처리액을 수용 가능한 처리액조와, 수용가능한 처리액을 처리액조 바깥과의 사이에서 순환시키는 처리액 순환계와, 순환되는 처리액중에 포함된 액 처리에 의한 반응 생성물을 제거하는 생성물 제거부를 포함한다. 수용된 처리액을 처리액조 외부와의 사이에서 순환시켜, 순환중인 처리액에 포함된 반응 생성물을 생성물 제거부에 의해 제거한다. 이것에 의해, 처리액에 잔류하는 화학 변화물, 분해물을 제거할 수 있으며, 처리액으로서의 열화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100705371B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：KR1020027001085

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야다카유키 ,  고토히데토 ,  시미즈가츠수케 ,  오노미치히로 ,  박경호 ,  마루모요시노리

IPC: C25D7/12

Abstract: 종래보다도 고품질의 평탄화 처리를 달성할 수 있는 도금 처리 방법은, 피처리체(10)와 전극판(20)을 목적 금속 이온을 포함하고 있는 수용액에 침지하는 단계와, 상기 피처리체와 상기 전극판에 순방향 전류를 흐르게 하여 상기 피처리체 상에 필요한 것보다 더 두꺼운 두께를 가진 도금막을 형성함으로써 상기 피처리체 상에 금속을 퇴적시키는 단계와, 상기 피처리체(10)와 상기 전극판(20)에 역방향 전류를 흐르게 하여 상기 금속막의 적어도 일부를 균일하게 제거하는 단계를 포함한다. 도금 처리 장치 및 도금 처리 시스템도 마찬가지로 개시되어 있다.