公开(公告)号：KR101681061B1

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：KR1020147025025

申请日：2013-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와토시히코 ,  미야하라준야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 처리용기내로복수의마이크로파를도입하여, 플라즈마를생성시키는방식의플라즈마처리장치를이용하고, 복수의마이크로파의파워의합계를웨이퍼(W)의면적당 1 W/cm이하로하여플라즈마를생성시킨다. 예를들면, 플라즈마산화처리에서는, 플라즈마생성용의희가스와산소함유가스를이용하여처리온도를100 ℃이하, 마이크로파의공급개시부터 30 초간에서의평균산화레이트를 0.03 nm/초이하로한다. 복수의마이크로파에의해플라즈마를착화할시에는임피던스정합을행하지않고, 플라즈마에의해웨이퍼(W)를처리할시 임피던스정합을행하는것이바람직하다.

Abstract translation: 使用将多个微波引入处理容器并产生等离子体的设计的等离子体处理装置，产生等离子体，使得多个微波的总功率为每单位表面积为1W / cm 2以下 的晶片（W）。 例如，在使用含氧气体和惰性气体进行等离子体生成的等离子体氧化处理中，将处理温度设定为100℃以下，将微波开始30秒后的平均氧化率设定为 0.03nm / sec以下。 在优选的实践中，当晶片（W）被等离子体处理时，进行阻抗匹配，而不是当等离子体被微波点燃时发生阻抗匹配。

公开(公告)号：KR1020140123993A

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：KR1020147025025

申请日：2013-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와토시히코 ,  미야하라준야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 처리 용기 내로 복수의 마이크로파를 도입하여, 플라즈마를 생성시키는 방식의 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 복수의 마이크로파의 파워의 합계를 웨이퍼(W)의 면적당 1 W/cm
2 이하로 하여 플라즈마를 생성시킨다. 예를 들면, 플라즈마 산화 처리에서는, 플라즈마 생성용의 희가스와 산소 함유 가스를 이용하여 처리 온도를100 ℃ 이하, 마이크로파의 공급 개시부터 30 초간에서의 평균 산화 레이트를 0.03 nm/초 이하로 한다. 복수의 마이크로파에 의해 플라즈마를 착화할 시에는 임피던스 정합을 행하지 않고, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)를 처리할 시 임피던스 정합을 행하는 것이 바람직하다.