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公开(公告)号：KR101751200B1
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32201
Abstract: 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
Abstract translation: 它提供了一个微波功率损耗和微波炉辐射天线，同时抑制异常放电，可以形成均匀的等离子体，微波等离子体源和等离子体处理装置。 辐射沿腔室中的微波传输传输的微波，和一个微波辐射天线45用于产生表面波等离子体，分别形成在由导体制成，天线主体121，入口的天线主体121的工艺气体 124，气体扩散空间123和被分离，以及多个气体喷出孔125和气体扩散空间中的天线主体121，123和气体排出口125，一个微波传输 它具有安装成环形形状，以包括槽形成所述多个狭槽形成122和天线单元121对应于的微波辐射表面侧区域的环形介电元件（126）。
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公开(公告)号：KR1020130095225A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020130016217
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma monitoring method are provided to distinguish the condition of plasma generated by microwaves before monitoring for preventing the process error. CONSTITUTION: A microwave induction device (5) introduces microwave within a treatment basin (2). The microwave induction device includes plural microwave conductor plates (73). A light emitting sensor (92) includes each antenna module (61) of the microwave induction device, and detects the radiation of the specific wave of plasma generated in the treatment basin. A control unit (8) monitors the condition of plasma based on the detection data of the light emitting sensor. [Reference numerals] (24) Adapter; (31) Gas supply source; (4) Exhaustion device; (50) Microwave output unit; (8) Control unit
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体监测方法，以区分在监测之前由微波产生的等离子体的状况，以防止过程误差。 构成：微波感应装置（5）在处理池（2）内引入微波。 微波感应装置包括多个微波导体板（73）。 发光传感器（92）包括微波感应装置的每个天线模块（61），并且检测在处理池中产生的等离子体波的辐射。 控制单元（8）基于发光传感器的检测数据来监视等离子体的状态。 （附图标记）（24）适配器; （31）供气源; （4）排气装置; （50）微波输出单元; （8）控制单元
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公开(公告)号：KR1020120112253A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033452
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a microwave introduction device are provided to uniformize distribution of plasma by providing a simple structure. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a microwave induction device for introducing microwaves into a processing container. The microwave induction device includes a plurality of microwave transmission plates(73) inserted into a plurality of openings on a ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates is arranged on one virtual plane which is parallel on a mounting surface of a mounting table while being inserted into a plurality of openings on the ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates includes microwave transmission plates(73A-73G). The distance between central points of microwave transmission plates and the distance between the central points of the microwave transmission plates are set to be identical.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和微波引入装置，通过提供简单的结构来均匀分布等离子体。 构成：等离子体处理装置包括用于将微波引入处理容器的微波感应装置。 微波感应装置包括插入天花板部分上的多个开口中的多个微波传输板（73）。 多个微波透射板被布置在一个虚拟平面上，该虚拟平面平行于安装台的安装表面，同时插入到天花板部分上的多个开口中。 多个微波透射板包括微波透射板（73A-73G）。 微波透射板的中心点与微波透射板的中心点之间的距离设定为相同。
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公开(公告)号：KR1020070047773A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020077002817
申请日：2005-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L27/10873
Abstract: In the present invention, when a gate insulation film in a DRAM is formed, an oxide film constituting a base of the gate insulation film is plasma-nitrided. The plasma nitridation is performed with microwave plasma generated by using a plane antenna having a large number of through holes. Nitrogen concentration in the gate insulation film formed by the plasma nitridation is 5 to 20% in atomic percentage. Even without subsequent annealing, it is possible to effectively prevent a boron penetration phenomenon in the DRAM and to reduce traps in the film causing deterioration in driving capability of the device.
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公开(公告)号：KR102259647B1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：KR1020190089311
申请日：2019-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후지노유타카
IPC: H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67 , H05H1/46 , C23C16/455
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101902112B1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：KR1020170052696
申请日：2017-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 본발명은처리가스를가스의특성에따른적절한해리상태로해리시킬수 있고, 또한처리가스의도입균일성및 소망한플라즈마균일성을양립시킬수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치는챔버(1)와, 웨이퍼를탑재하는탑재대(11)와, 천정벽(10)을거쳐서챔버(1) 내에마이크로파를도입하는플라즈마원(2)와, 천정벽(10)으로부터제 1 가스를챔버(1) 내에도입하는제 1 가스도입부(21)와, 천정벽(10)으로탑재대(11)의사이로부터제 2 가스를챔버(1) 내에도입하는제 2 가스도입부(22)를구비한다. 제 2 가스도입부(22)는복수의가스토출구멍(116)이형성되고, 천정벽(10)과탑재대(11)의사이의소정의높이위치에위치하도록마련된링 형상부재(110)와, 천정벽(10)과링 형상부재(110)를연결하는각부(111a)를갖고, 링형상부재(110)로의제 2 가스의공급은각부(11a)를거쳐서행해진다.
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公开(公告)号：KR1020140123993A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：KR1020147025025
申请日：2013-01-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02164 , H01J37/32201 , H01J37/32238 , H01J37/32266 , H01J37/32311 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 처리 용기 내로 복수의 마이크로파를 도입하여, 플라즈마를 생성시키는 방식의 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 복수의 마이크로파의 파워의 합계를 웨이퍼(W)의 면적당 1 W/cm
2 이하로 하여 플라즈마를 생성시킨다. 예를 들면, 플라즈마 산화 처리에서는, 플라즈마 생성용의 희가스와 산소 함유 가스를 이용하여 처리 온도를100 ℃ 이하, 마이크로파의 공급 개시부터 30 초간에서의 평균 산화 레이트를 0.03 nm/초 이하로 한다. 복수의 마이크로파에 의해 플라즈마를 착화할 시에는 임피던스 정합을 행하지 않고, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)를 처리할 시 임피던스 정합을 행하는 것이 바람직하다.-
公开(公告)号：KR101393890B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120033452
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 본 발명의 과제는 간단한 구성으로 플라즈마의 분포를 균일화하는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 처리용기(2)내에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(5)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(5)는 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞추는 복수의 마이크로파 투과판(73)을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞춘 상태에서, 탑재대(21)의 탑재면(21a)에 평행한 1개의 가상의 평면상에 배치되어 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 마이크로파 투과판(73A∼73G)을 포함하고 있다. 마이크로파 투과판(73G, 73A)의 중심점 P
G , P
A 간 거리와 마이크로파 투과판(73G, 73B)의 중심점 P
G , P
B 간 거리는 서로 동등하거나 대략 동등하게 되도록 설정된다.-
公开(公告)号：KR100966927B1
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020077022436
申请日：2006-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28211 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/31662
Abstract: 게이트 절연막의 제조 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 피처리체 표면의 실리콘에 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘 산화막을 형성하는 산화처리 공정을 포함하고, 산화처리 공정에 있어서의 처리온도는 600℃ 초과 1000℃ 이하이며, 산소함유 플라즈마는 적어도 희가스와 산소 가스를 포함하는 산소함유 처리가스를 상기 처리실 내에 도입함과 동시에, 안테나를 거쳐서 해당 처리실 내에 고주파 또는 마이크로파를 도입하는 것에 의해서 형성되는 산소함유 처리가스의 플라즈마이다.
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公开(公告)号：KR100887270B1
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020077002817
申请日：2005-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L27/10873
Abstract: 본 발명에서는, DRAM에서의 게이트 절연막을 형성하는 경우, 게이트 절연막의 베이스로 되는 산화막에 대하여 플라즈마 질화 처리를 행한다. 다수의 관통 구멍이 형성되어 있는 평판 안테나를 이용한 마이크로파 플라즈마에 의해 플라즈마 질화 처리한다. 플라즈마 질화 처리에 의해 형성된 게이트 절연막 속의 질소 농도는 5∼20%원자 농도이다. 그 후, 어닐링 처리를 행하지 않더라도, DRAM에서 붕소의 침투 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 추가로, 디바이스의 구동 능력 저하의 원인이 되는 막 속의 트랩을 억제한다.
Abstract translation: 在本发明中，当形成DRAM中的栅极绝缘膜时，构成栅极绝缘膜的基底的氧化膜被等离子体氮化。 通过使用具有大量通孔的平面天线产生的微波等离子体进行等离子体氮化。 通过等离子体氮化形成的栅极绝缘膜中的氮浓度以原子百分比为5〜20％。 即使不进行随后的退火，也可以有效地防止DRAM中的硼渗透现象，并且能够减少膜中的陷阱，导致器件的驱动能力下降。
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