-
公开(公告)号：KR1020110055701A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020117007196
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/3145 , C23C16/308 , C23C16/511 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스와 질소 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 2차 이온 질량 분석(SIMS)에 의해 측정되는 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하인 질화 산화 규소막을 형성하는 방법에 관한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140123993A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：KR1020147025025
申请日：2013-01-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02164 , H01J37/32201 , H01J37/32238 , H01J37/32266 , H01J37/32311 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 처리 용기 내로 복수의 마이크로파를 도입하여, 플라즈마를 생성시키는 방식의 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 복수의 마이크로파의 파워의 합계를 웨이퍼(W)의 면적당 1 W/cm
2 이하로 하여 플라즈마를 생성시킨다. 예를 들면, 플라즈마 산화 처리에서는, 플라즈마 생성용의 희가스와 산소 함유 가스를 이용하여 처리 온도를100 ℃ 이하, 마이크로파의 공급 개시부터 30 초간에서의 평균 산화 레이트를 0.03 nm/초 이하로 한다. 복수의 마이크로파에 의해 플라즈마를 착화할 시에는 임피던스 정합을 행하지 않고, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)를 처리할 시 임피던스 정합을 행하는 것이 바람직하다.-
3.发明公开질화규소막의 제조 방법, 질화규소막 적층체의 제조 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 플라즈마 ＣＶＤ 장치 无效用于生产氮化硅膜的方法，用于生产氮化硅薄膜层压体的方法，计算机可读存储介质和等离子体CVD装置
公开(公告)号：KR1020100129311A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020107021877
申请日：2009-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45523 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J2237/3321 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282
Abstract: CVD법으로 밴드갭의 크기를 제어하여 질화규소막을 제조하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 처리 용기(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 CVD 장치(100)에 있어서, 0.1 Pa 이상 1333 Pa 이하의 범위 내에서 선택되는 일정한 처리 압력으로, 실리콘 함유 화합물 가스와 질소 가스의 유량비(실리콘 함유 화합물 가스 유량/질소 가스 유량)를 0.005 이상 0.2 이하의 범위 내에서 선택하여 플라즈마 CVD를 수행하고, 막 내에 포함되는 Si/N의 비를 제어하여 밴드갭의 크기가 2.5 eV 이상 7 eV 이하의 범위 내에 있는 질화규소막을 형성한다.
-
公开(公告)号：KR101681061B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020147025025
申请日：2013-01-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02164 , H01J37/32201 , H01J37/32238 , H01J37/32266 , H01J37/32311 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 처리용기내로복수의마이크로파를도입하여, 플라즈마를생성시키는방식의플라즈마처리장치를이용하고, 복수의마이크로파의파워의합계를웨이퍼(W)의면적당 1 W/cm이하로하여플라즈마를생성시킨다. 예를들면, 플라즈마산화처리에서는, 플라즈마생성용의희가스와산소함유가스를이용하여처리온도를100 ℃이하, 마이크로파의공급개시부터 30 초간에서의평균산화레이트를 0.03 nm/초이하로한다. 복수의마이크로파에의해플라즈마를착화할시에는임피던스정합을행하지않고, 플라즈마에의해웨이퍼(W)를처리할시 임피던스정합을행하는것이바람직하다.
Abstract translation: 使用将多个微波引入处理容器并产生等离子体的设计的等离子体处理装置，产生等离子体，使得多个微波的总功率为每单位表面积为1W / cm 2以下 的晶片（W）。 例如，在使用含氧气体和惰性气体进行等离子体生成的等离子体氧化处理中，将处理温度设定为100℃以下，将微波开始30秒后的平均氧化率设定为 0.03nm / sec以下。 在优选的实践中，当晶片（W）被等离子体处理时，进行阻抗匹配，而不是当等离子体被微波点燃时发生阻抗匹配。
-
公开(公告)号：KR1020110063790A
公开(公告)日：2011-06-14
申请号：KR1020117007195
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/792
Abstract: 2차 이온 질량 분석(SIMS)에 의해 측정되는 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하인 이산화 규소막을 형성하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하여 성막을 행하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 그 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, 실리콘 원자와 염소 원자로 이루어지는 화합물의 가스와 산소 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행한다.-
公开(公告)号：KR1020110055700A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020117007190
申请日：2009-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/308 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3145
Abstract: 0.5％ 희(希)불산 용액에 의한 에칭 레이트가 0.11nm/초 이하인 치밀하고 절연성이 우수하여, 고품질인 산화 규소막(SiO
2 막, SiON막)을 형성하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스 또는 Si
2 H
6 가스와 산소 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행한다.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.022 seconds)
