公开(公告)号：KR1020010073221A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100662929B1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

Abstract translation: 本发明的热处理方法包括：装载步骤，将其表面上形成有微细不规则形状的硅膜加工到处理容器中的待处理物体;