公开(公告)号：KR1020010107782A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR100720777B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060104499

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR1020010073221A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100662929B1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

Abstract translation: 本发明的热处理方法包括：装载步骤，将其表面上形成有微细不规则形状的硅膜加工到处理容器中的待处理物体;

公开(公告)号：KR100554113B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1019990018418

申请日：1999-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지타요시유키 ,  히라이준 ,  이이타카아즈사 ,  다무라다쓰야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405

Abstract: 성막장치의 처리용기내의 처리공간에 크리닝 가스를 흐르게 하고, 처리용기내에 설치한 가스온도센서에 의해 처리용기내의 가스 온도를 소정시간 계속하여 검출한다. 처리공간을 통과하고 있는 크리닝 가스가 불필요한 부착막과 반응함으로써 크리닝하고 있는 동안에는 점차로 가스온도센서의 검출치가 상승한다. 가스온도센서에 의해서 검출한 검출치의 시간변화에 의거하여 크리닝 조작의 종료시점을 검출한다. 바람직하게는, 검출치가 피크치를 넘어선 후 소정 시간 경과한 시점을 크리닝 조작의 종료시점으로 한다. 그 결과, 크리닝 부족이나 과다한 에칭을 발생시키지 않고, 정확하게 크리닝의 종료시점을 검출하여 크리닝 조작을 거의 완전하게 행할 수 있다.

公开(公告)号：KR100809759B1

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR100720778B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060104505

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR1020060113880A

公开(公告)日：2006-11-03

申请号：KR1020060104509

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon oxide film are provided to increase uniformity of a film thickness of an oxide film by performing a dry oxidation process on an object to be treated. An apparatus for forming a silicon oxide film includes a reaction chamber(302), a reaction chamber heater(312), a reaction chamber pressure adjuster, a first supply unit(313), a second supply unit(314), a gas heater(315), and a controller(321). The reaction chamber receives an object to be treated. The reaction chamber heater heats the reaction chamber up to a predetermined temperature. The reaction chamber pressure adjuster adjusts a pressure of the reaction chamber to a predetermined value. The first supply unit supplies silane-based gas into the reaction chamber. The second supply unit supplies N2O into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the second supply unit and heats up the N2O up to a predetermined temperature. The controller heats up the N2O inside the reaction chamber to a temperature of 700‹C.

Abstract translation: 提供一种用于形成氧化硅膜的方法和装置，以通过对被处理物进行干式氧化处理来提高氧化膜的膜厚均匀性。 用于形成氧化硅膜的装置包括反应室（302），反应室加热器（312），反应室压力调节器，第一供应单元（313），第二供应单元（314），气体加热器 315）和控制器（321）。 反应室接收待处理物体。 反应室加热器将反应室加热至预定温度。 反应室压力调节器将反应室的压力调节到预定值。 第一供应单元将硅烷基气体供应到反应室中。 第二供应单元向反应室供应N2O。 气体加热器布置在第二供应单元上，并将N2O加热至预定温度。 控制器将反应室内的N2O加热至700℃的温度。

公开(公告)号：KR1020060113879A

公开(公告)日：2006-11-03

申请号：KR1020060104505

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon nitride film are provided to increase uniformity of a film thickness of an oxide film by forming the silicon nitride film at a low temperature. An apparatus of forming a silicon nitride film includes a reaction chamber(202), a reaction chamber heater(212), a reaction chamber pressure adjuster, a first supply unit(213), a second supply unit(214), a gas heater(215), and a controller(221). The reaction chamber receives an object to be treated. The reaction chamber heater heats the reaction chamber up to a predetermined temperature. The reaction chamber pressure adjuster adjusts a pressure of the reaction chamber to a predetermined value. The first supply unit supplies silane-based gas into the reaction chamber. The second supply unit supplies trimethylamine into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the second supply unit and heats up the trimethylamine up to a predetermined temperature. The controller heats up the trimethylamine inside the reaction chamber to a temperature for generating nitrogen.

Abstract translation: 提供了一种用于形成氮化硅膜的方法和装置，以通过在低温下形成氮化硅膜来提高氧化膜的膜厚度的均匀性。 形成氮化硅膜的装置包括反应室（202），反应室加热器（212），反应室压力调节器，第一供应单元（213），第二供应单元（214），气体加热器 215）和控制器（221）。 反应室接收待处理物体。 反应室加热器将反应室加热至预定温度。 反应室压力调节器将反应室的压力调节到预定值。 第一供应单元将硅烷基气体供应到反应室中。 第二供应单元向反应室供应三甲胺。 气体加热器布置在第二供应单元上，并将三甲胺加热至预定温度。 控制器将反应室内的三甲胺加热至产生氮气的温度。

公开(公告)号：KR1020060113878A

公开(公告)日：2006-11-03

申请号：KR1020060104499

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A method and an apparatus of forming a silicon oxide film are provided to increase a film forming speed by reducing a thickness of a nitride film and forming the nitride film at a low temperature. An apparatus for forming a silicon oxide film includes a reaction chamber(131), a reaction chamber heater(132), a supply unit(105), and a gas heater(102). The reaction chamber receives an object to be treated. A silicon layer is formed at least on a surface of the object to be treated. The reaction chamber heater raises a temperature of the reaction chamber to a predetermined temperature. The supply unit supplies gas, which is made of hydrogen and chlorine, and process gas, which contains oxygen, into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the supply unit and heats up the process gas before the process gas is supplied into the reaction chamber, to generate humidity.

Abstract translation: 提供一种形成氧化硅膜的方法和装置，以通过减小氮化物膜的厚度并在低温下形成氮化物膜来提高成膜速度。 用于形成氧化硅膜的装置包括反应室（131），反应室加热器（132），供应单元（105）和气体加热器（102）。 反应室接收待处理物体。 至少在待处理物体的表面上形成硅层。 反应室加热器将反应室的温度升高到预定温度。 供应单元将由氢和氯制成的气体以及含氧的处理气体供入反应室。 气体加热器布置在供应单元上，并且在将工艺气体供应到反应室中之前加热处理气体，以产生湿度。