公开(公告)号：KR1020140096277A

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：KR1020147012235

申请日：2012-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  고츠기다다시 ,  야마시타후미코 ,  아다치겐지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/32137

Abstract: 기판 상에 형성되며, 패터닝된 실리콘 함유층의 측벽부를 질화실리콘층 또는 산화실리콘층으로 덮도록 질화실리콘층 또는 산화실리콘층을 형성하는 성막 공정과, 실리콘 함유층을 선택적으로 제거하여, 측벽부에 형성된 질화실리콘층 또는 산화실리콘층을 남기는 플라즈마 에칭 공정을 포함한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 플라즈마 에칭 공정에서는, SF
6 가스를 포함하는 에칭 가스를 이용한다.

公开(公告)号：KR100782632B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020037008446

申请日：2001-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아다치겐지 ,  고바야시노리유키

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31056

Abstract: A mixed gas containing at least a first fluorocarbon gas having C>=4 and a C/F ratio of 0.625 or higher, a second fluorocarbon gas having F>=4 and a C/F ratio of 0.5 or lower, an Ar gas, and an O2 gas is used as an etching gas to etch an insulating film formed of a silicon oxide film or the like. This can improve an etching rate and a resist mask selection ratio, and in addition, prevent the formation of a contact hole in a bowing shape even when a high-aspect-ratio contact hole is formed.

公开(公告)号：KR1020010030196A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000051044

申请日：2000-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아다치겐지 ,  사노미치아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: An etching method is provided to improve a resist selection ratio and an etching shape. CONSTITUTION: A treatment gas is introduced into an airtight treatment chamber(104) to form an SiO2 layer formed on a wafer W placed in the chamber. In this method of etching this SiO2 layer, the treatment gas contains at least C5F8 and CH2F2. The flow ratio of C5F8 and CH2F2 in the treatment gas is substantially 1/4

Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法以提高抗蚀剂选择比和蚀刻形状。 构成：将处理气体引入密封处理室（104）中以形成形成在放置在室中的晶片W上的SiO 2层。 在这种蚀刻该SiO 2层的方法中，处理气体至少包含C5F8和CH2F2。 处理气体中的C5F8和CH2F2的流量比基本上为1/4（= C5F8的流量/ CH2F2的流量）<1/2。 由于使用含有C5F8和CH2F2的处理气体，因此可以提高抗蚀剂选择比。 此外，当C5F8和CH2F2的流量比基本上为1/4或更高时，可以防止形成的槽的垂直线或曲折形状异常。 如果C5F8和CH2F2的流量比基本上为1/2或更低，则可以防止由于形成的凹槽弯曲引起的异常形状。

公开(公告)号：KR1020030066747A

公开(公告)日：2003-08-09

申请号：KR1020037008446

申请日：2001-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아다치겐지 ,  고바야시노리유키

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31056

Abstract: 에칭 가스로서, C의 수가 4 이상이고 C/F 비가 0.625 이상인 제 1 플루오로카본계 가스, F의 수가 4 이상이고 C/F 비가 0.5 이하인 제 2 플루오로카본계 가스, Ar 가스 및 O
2 가스를 적어도 함유하는 혼합 가스를 사용하고, 실리콘 산화막 등으로 이루어진 절연막의 에칭을 실시한다. 이에 따라, 종횡비가 높은 콘택트홀을 형성하는 경우에 있어서도, 에칭속도 및 레지스트 마스크 선택비를 향상시킴과 동시에 콘택트홀이 보우잉 형상이 되는 것을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 至少含有C> = 4且C / F比率为0.625或更高的第一氟碳化合物气体，F> = 4且C / F比率为0.5或更低的第二氟碳化合物气体，Ar气体， 并且使用O 2气体作为蚀刻气体以蚀刻由氧化硅膜等形成的绝缘膜。 这可以提高蚀刻速率和抗蚀剂掩模选择比，此外，即使当形成高纵横比接触孔时，也可以防止形成弯曲形状的接触孔。

公开(公告)号：KR100536359B1

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020000051044

申请日：2000-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아다치겐지 ,  사노미치아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 본 발명에 따라, 레지스트-상대 선택비를 향상시키면서 에칭 형상을 개선시킬 수 있는 에칭 방법이 제공된다.
기밀 처리실(104)내에 처리 가스를 도입하여, 처리실 내에 배치된 웨이퍼(W)에 형성된 SiO
2 층을 에칭하는 방법은, 처리 가스가 적어도 C
5 F
8 과 CH
2 F
2 를 함유하고, 처리 가스의 C
5 F
8 과 CH
2 F
2 의 유량비가 실질적으로 하기 수학식 1을 만족함을 특징으로 한다:

C
5 F
8 과 CH
2 F
2 를 함유하는 처리 가스를 이용함으로써, 레지스트-상대 선택비(resist-relative selection ratio)를 향상시킬 수 있다. 또한, C
5 F
8 과 CH
2 F
2 의 유량비가 실질적으로 1/4 이상이면, 형성된 홈의 종방향 긁힘선(streaking)이나 파형 요철(waviness)에 의한 형상 이상을 제거할 수 있고, C
5 F
8 과 CH
2 F
2 의 유량비가 실질적으로 1/2 이하이면, 형성된 홈의 구부러짐(bowing)에 의한 형상 이상을 제거할 수 있다.