公开(公告)号：KR101247857B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020030021180A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：KR1020027017662

申请日：2001-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엔이씨 주식회사

Inventor： 모리다쿠야 ,  이나자와고이치로 ,  고바야시노리유키 ,  스기우라마사히토 ,  하야시요시히로 ,  기노시타게이조

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 숄더 로스가 적은 듀얼 다마신 구조를 얻는다. 유기 low k 막(208)과 그 위에 형성된 마스크층(210)을 피에칭층으로 하여, 유기 low k 막층에 숄더부를 갖는 듀얼 다마신 구조를 적어도 2개 이상의 혼합 기체를 사용하여 드라이 에칭으로 형성하는 방법에 있어서, 제 1 프로세스 기체에 의해 마스크층을 에칭한 후, 계속해서 상기 제 1 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 소정 깊이까지 에칭하는 제 1 공정과, 제 1 공정후에, 제 2 프로세스 기체에 의해 유기 low k 막층을 에칭하는 제 2 공정을 실시한다. 제 1 공정에 의해 비아 측벽에 보호벽을 형성할 수 있기 때문에 트렌치와 비아의 접합 영역에 형성되는 숄더 로스를 경감시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101270285B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248691B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248709B1

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101154559B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 진공배기가능한처리용기(10)내에, 상부전극(34)과하부전극(16)을대향하도록배치하고, 상부전극(34)에플라즈마형성용의고주파전력을공급하는제 1 고주파전원(48)을접속하고, 하부전극(16)에이온인입바이어스용의고주파전력을인가하는제 2 고주파전원(90)을접속하고, 제 2 고주파전원(90)에제어기(95)를마련하고, 이제어기(95)는, 제 2 고주파전원(90)을, 웨이퍼(W)의소정의막에폴리머가퇴적되는제 1 파워와웨이퍼(W)의소정의막의에칭이진행하는제 2 파워사이에서소정주기로파워변조하는파워변조모드로동작하도록제어한다.

Abstract translation: 在被真空排气的处理容器（10）中，上电极（34）和下电极（16）彼此相对设置。 上电极（34）连接到被配置为施加用于等离子体产生的第一RF功率的第一RF电源（48）。 下电极（16）连接到被配置为施加用于离子吸引的第二RF功率的第二RF电源（90）。 第二RF电源（90）设置有控制器（95），其被设置为控制第二RF电源（90）以在第一功率组之间以预定周期执行功率调制的功率调制模式，以在第一功率组上沉积聚合物 在晶片（W）上的预定膜和用于促进蚀刻晶片（W）上的预定膜的第二功率组。

公开(公告)号：KR1020120009513A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090057088A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: An upper electrode (34) and a lower electrode (16) are arranged to oppose to each other in a treatment vessel (10) which can be evacuated. The upper electrode (34) is connected to a first high-frequency power source (48) for supplying high-frequency power for plasma formation. The lower electrode (16) is connected to a second high-frequency power source (90) for applying high-frequency power for ion take-in bias. A controller (95) is arranged in the second high-frequency power source (90). The controller (95) controls the second high-frequency power source (90) in a power modulation mode where power modulation is performed at a predetermined cycle between a first power at which polymer is deposited on a predetermined film of a wafer W and a second power at which etching of a predetermined film of the wafer W is performed.

Abstract translation: 上部电极（34）和下部电极（16）在能够被抽真空的处理容器（10）中相对配置。 上电极（34）连接到用于提供用于等离子体形成的高频电力的第一高频电源（48）。 下电极（16）连接到第二高频电源（90），用于施加用于离子吸收偏压的高频电力。 控制器（95）布置在第二高频电源（90）中。 控制器（95）以功率调制模式控制第二高频电源（90），在功率调制模式下，以聚合物沉积在晶片W​​的预定薄膜上的第一功率与第二高频电源 执行对晶片W的预定膜的蚀刻的功率。