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公开(公告)号:KR1020160129768A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:KR1020160052821
申请日:2016-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/423 , H01L21/324 , G03F7/00 , H01L21/677 , H01L21/60
Abstract: 레지스트패턴의평활성을보다간단하게높일수 있는방법, 장치및 시스템을제공한다. 기판처리방법은기판의표면상에형성된레지스트막에현상처리를실시하는단계, 현상처리후에, 기판이배치되는공간에불활성가스를공급하는단계, 불활성가스를통하여레지스트막에에너지선을조사하는단계를포함한다.