公开(公告)号：KR1020170113147A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020170034722

申请日：2017-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토유사쿠 ,  시모아오키다케시 ,  후쿠다마사히로 ,  다나카고우이치로우

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/3028 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3092 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명은레지스트막이형성되고, 노광된후의반도체장치제조용기판의면내에있어서레지스트패턴의치수의균일성이높아지도록현상처리를행하는것을과제로한다. 상기기판의표면에현상액을공급하여현상하는현상공정과, 이어서, 상기기판으로부터상기현상액의일부를뿌리쳐제거하기위해, 상기기판이중심축둘레의제1 회전방향으로회전하도록, 그기판의회전수를상승시키는제1 회전공정과, 이어서, 상기기판에잔류하는상기현상액을그 기판으로부터뿌리쳐제거하기위해, 상기기판을상기제1 회전방향과는반대의제2 회전방향으로회전시키는제2 회전공정을실시한다. 그에의해, 기판의면내의각 부에있어서의현상시간이불균일해지는것을막을수 있기때문에, 기판의각 부에균일성높은치수로레지스트패턴을형성할수 있다.

Abstract translation: 发明内容本发明的目的是进行显影处理，从而形成抗蚀剂膜，并且曝光后用于半导体器件制造的基板表面中的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性增加。 向所述基板的表面供应显影液并显影所述显影液的显影步骤;以及通过使所述基板围绕所述中心轴在第一旋转方向上旋转来显影所述显影液的显影步骤， 以及第二旋转步骤，在与第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转基板，以从基板去除残留在基板上的显影溶液， 经受处理。 由此，能够防止基板面内的各部分的显影时间不均匀，能够在基板的各部分高度均匀地形成抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1020160129768A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020160052821

申请日：2016-04-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이아키코 ,  니시하타히로시 ,  다나카고우이치로우 ,  아라키히로후미

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/423 ,  H01L21/324 ,  G03F7/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/60

Abstract: 레지스트패턴의평활성을보다간단하게높일수 있는방법, 장치및 시스템을제공한다. 기판처리방법은기판의표면상에형성된레지스트막에현상처리를실시하는단계, 현상처리후에, 기판이배치되는공간에불활성가스를공급하는단계, 불활성가스를통하여레지스트막에에너지선을조사하는단계를포함한다.