公开(公告)号：KR100780199B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020077001738

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100767492B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020057017916

申请日：2004-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  가와무라고헤이 ,  아사노아키라 ,  데라이야스히로 ,  니시자와겐이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: 이 플라즈마 성막방법 및 장치에 있어서는, 진공 챔버의 윗면 개구부를 유전체로 막고, 그 윗면측에 평면 안테나부재를 설치한다. 이 평면 안테나부재의 윗면측에 동축 도파관을 설치하고, 이 도파관에 마이크로파 발생수단을 접속한다. 평면 안테나부재에는, 동심원형상으로 예를 들면 마이크로파의 반파장의 길이의 슬롯을 다수 설치하고, 이들 슬롯으로부터 예를 들면 원편파로서 마이크로파를 처리 분위기로 방사하여 원료 가스를 플라즈마화하고, 평균자승속도로 정의한 전자 온도가 3eV이하이고, 또한 전자 밀도가 5×10
11 개/cm
3 이상이 되는 플라즈마를 발생시켜 불소첨가 카본막을 성막한다. 이 경우 프로세스 압력을 19.95Pa이하로 설정하여 프로세스를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 플라즈마를 이용하여 불소첨가 카본막을 성막함에 있어서, 원료가스 예를 들면 C
5 F
8 가스의 분자 결합을 적절히 분해하여 CF결합이 긴 연쇄구조를 얻고, 이에 따라 유전율이 낮고 리크 전류가 작은 뛰어난 층간절연막을 성막할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070021323A

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020077001738

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100782673B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020067003057

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060038469A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020067003057

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: A method for forming a film, characterized in that it comprises a step of forming an F-added carbon film by the use of a raw material gas containing C and F, a step of modifying the above F-added carbon film by a radical, and a step of modifying the above F-added carbon film, wherein the raw material gas has a ratio (F/C) of the number of F atoms to the number of C atoms contained therein of more than 1 and less than 2.

Abstract translation: 一种膜的形成方法，其特征在于，其包括通过使用含有C和F的原料气体形成F添加碳膜的步骤，通过基团改性上述F添加碳膜的工序， 以及改性上述F添加碳膜的工序，其中原料气体的F原子数与其中所含的C原子数之比（F / C）大于1且小于2。

公开(公告)号：KR1020050117576A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020057017916

申请日：2004-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  가와무라고헤이 ,  아사노아키라 ,  데라이야스히로 ,  니시자와겐이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: A plasma film-forming method and apparatus in which an upper opening of a vacuum chamber is closed with a dielectric and a planar antenna member is provided on the top of the dielectric. A coaxial waveguide is provided on the top of the planar antenna member. Microwave generator means is connected to the coaxial waveguide. A multitude of slits having a length equal to, e.g., half the wavelength of the microwave are provided concentrically in the planar antenna member. For example, a circularly polarized microwave is emitted through these slits into a process atmosphere to produce a plasma from a material gas. The electron temperature the plasma defined by mean-square velocity is 3 eV or less, and the electron density is 5x1011 /cm3 or more. Thus, a fluorine-added carbon film is formed. It is preferable that the process pressure is 19.95 Pa or less.

Abstract translation: 在电介质的顶部设置等离子体成膜方法和装置，其中用电介质封闭真空室的上部开口和平面天线构件。 同轴波导设置在平面天线构件的顶部。 微波发生器装置连接到同轴波导。 长度等于例如微波波长的一半的多个狭缝同心地设置在平面天线构件中。 例如，通过这些狭缝将圆偏振微波发射到工艺气氛中，以从材料气体产生等离子体。 由均方速度定义的等离子体的电子温度为3eV以下，电子密度为5×10 11 / cm 3以上。 因此，形成氟加成碳膜。 处理压力优选为19.95Pa以下。