公开(公告)号：KR1020070021323A

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020077001738

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050108395A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).

Abstract translation: 公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。 励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。 在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。 切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

公开(公告)号：KR100300097B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019950009915

申请日：1995-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아키라 ,  가와무라고헤이 ,  이시즈카슈이치 ,  하타지로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리장치는 처리용기내에서 피처리면을 가지는 피처리물을 지지하기 위한 서셉터와, 처리응기내로 피처리물 처리가스를 공급하기 위한 다수개의 처리가스 공급노즐과, 처리가스의 플라즈마를 발생하기 위하여 처리용기내에 전자파를 발생시키는 고주파 코일을 포함하여 구성된다. 공급노즐은 처리용기내의 피처리체의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 다수개의 높이로 형성된 처리가스 분출구멍을 가지며, 높은 곳에 위치하는 가스 분출구멍들은 낮은 곳의 가스분출구멍의 표면보다 더 중심에 가까이 위치한다.

公开(公告)号：KR100282462B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019930017889

申请日：1993-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카슈이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로오

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 피처리체상에 형성된 절연막을 에칭하기 위한 에칭장치로서 제1챔버; 상기 제1챔버 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 수단; 상기 제1챔버 내에 불활성 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 수단; 상기 제1챔버와 통하는 제2챔버; 상기 제2챔버 내에 상기 절연막을 에칭하기 위한 반응 가스를 공급하기 위한 수단; 상기 제2챔버내의 물체를 지지하기 위한 지지 수단; 상기 지지 수단에 의해서 지지되는 상기 물체에 대한 불활성 가스의 플라즈마에서 이온을 끌어당기기 위한 인력 수단; 상기 제1챔버의 압력이 에칭 중에 상기 제2챔버에서 보다 더 높게 조정되도록 상기 제1 및 제2챔버의 압력을 제어하기 위한 제어 수단을 포함하며, 상기 제2챔버내에 유입된 반응 가스가 상기 제 1 챔버로부터 상기 제2챔버까지 확산되는 불활성 가스의 플라즈마에 의해서 자극될 때 기가 발생되며, 절연막 및 기가 불활성 가스의 이온의 지지에 의해서 서로 반응하며, 이에 의해서 절연막에 에칭하는 것을 특징으로 하는 피처리체에 형성된 절연막을 에칭하기 위한 에칭 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100762031B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020067003117

申请日：2004-08-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로 ,  제온 코포레이션

Inventor： 고바야시야스오 ,  가와무라고헤이 ,  오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  스기모토다쓰야 ,  야마다도시로 ,  다나카기미아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 본 발명은, 420℃ 이하의 열이력을 거친 불소 첨가 카본막으로 이루어진 절연막을 구비한 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 특징은, 상기 불소 첨가 카본막중의 수소 원자의 함유량이, 상기 열이력을 거치기 전에 3원자% 이하인 것에 있다.

公开(公告)号：KR1020060016814A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020057024111

申请日：2004-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  오시마야스히로 ,  요시이나오키 ,  시게오카다카시 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L2221/1078

Abstract: A process for depositing a film on a substrate being processed placed in a processing container, comprising a first film deposition step repeating a first step for supplying a first material gas of organic metal compound containing no halogen element into the processing container and then removing the first material gas from the inside of the processing container and a second step for supplying a second material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the second material gas from the inside of the processing container, and a second film deposition step repeating a third step for supplying a third material gas of metal halide into the processing container and then removing the third material gas from the substrate being processed and a fourth step for supplying a fourth material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the fourth material gas from the inside of the processing container.

Abstract translation: 一种用于在被处理的基板上沉积薄膜的方法，放置在处理容器中，包括第一薄膜沉积步骤，重复第一步骤，用于将不含卤素元素的有机金属化合物的第一原料气体供应到处理容器中， 从处理容器的内部的原料气体和向处理容器供给含有氢或氢化合物的第二原料气体，然后从处理容器的内部除去第二原料气体的第二工序，以及第二成膜工序 重复第三步骤，将金属卤化物的第三原料气体供应到处理容器中，然后从被处理的基板中除去第三原料气体;第四步骤，将含有氢或氢化合物的第四材料气体供应到处理容器中， 然后从处理配件的内部去除第四原料气体 TAINER。

公开(公告)号：KR100374993B1

公开(公告)日：2003-04-18

申请号：KR1019980027273

申请日：1998-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  호리이케야스히로

Inventor： 호리이케야스히로 ,  가와무라고헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C14/35 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32678

Abstract: In an ECR plasma generator, radio frequency ranging from 3 to 300 MHz is applied from a radio frequency power supply to an electrode which is provided in a chamber having an exhaust system and which serves as a shower head for gas introduction, and power is supplied to a coil provided at the outer periphery of the chamber, so as to form a magnetic field an integer number of times as large as a resonant magnetic field corresponding to the applied radio frequency, parallel with the direction of an electric field and to generate ECR plasma in an atmosphere of the supplied process gas.

Abstract translation: 在ECR等离子体发生器中，从射频电源向设置在具有排气系统的腔室中的电极施加3至300MHz的射频，该电极用作用于引入气体的喷头，并且供电 连接到设置在腔室外围的线圈，以形成与所施加的射频对应的谐振磁场的整数倍的平行于电场方向的磁场并产生ECR 等离子体在供应的工艺气体的气氛中。

公开(公告)号：KR100274307B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940016829

申请日：1994-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시츠카슈우이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31051

Abstract: 플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제 1 전극과, 피처리물을 사이에 두고 제 1 전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제 2 전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제 1 및 제 2 전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파전계가 형성되는데, 전극의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다.
그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화 한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력으로 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr이하로 되어 있어도, 고밀도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이오 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

公开(公告)号：KR1019940007221A

公开(公告)日：1994-04-26

申请号：KR1019930017889

申请日：1993-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카슈이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로오

IPC: H01L21/306

Abstract: 피처리체상에 형성된 절연막을 에칭하기 위한 에칭장치는 불활성가스가 도입되는 제1 챔버와, 제1 챔버내에서 불활성 가스를 플라즈마하는 플라즈마 생성부와, 제1 챔버와 연이어 설치되고, 절연막을 에칭하기 위한 반응성 가스가 도입되며, 그 중에서 반응성 가스의 활성원이 형성되는 제2 챔버와, 제2 챔버내에 있어서 상기 피처리체를 지지함과 동시에 불활성 가스의 플라즈마중의 이온을 피처리체에 인입하기 위한 지지전극을 가진다. 활성원은 제2 챔버에 도입된 반응성 가스가 제1 챔버로 부터 제2 챔버로 확산된 불활성 가스의 플라즈마에 의하여 여기되는 것에 의하여 생성되고, 불활성 가스 이온의 어시스트에 의하여 절연막과 상기 활성원이 반응하여 절연막이 에칭된다.

公开(公告)号：KR100887439B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020067023454

申请日：2005-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  가와무라고헤이

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 등의 전자 장치용의 기판, 및 그 처리 방법에 관한 것이다. 그 기판의 처리 방법에 있어서는 우선 전자 장치용의 기판을 준비하고, 이 기판의 표면상에 불소첨가카본(CF)으로 이루어지는 절연막(I)을 형성한다. 다음에, 예를 들면 크립톤(Kr) 가스의 플라즈마중에서 생성된 활성종(Kr
+ )을 절연막(I)의 표면에 충돌시키는 것에 의해서, 절연막(I)의 표면에 노출되어 있는 불소(F)원자를 해당 절연막으로부터 이탈시킨다. 그 때, 적어도, 절연막을 형성하는 공정의 직후부터 불소원자를 이탈시키는 공정의 완료까지의 동안에는 기판에 수분이 접촉하지 않도록 유지한다.