公开(公告)号：KR100634122B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020000061066

申请日：2000-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  하야시신이치 ,  아이다나루아키 ,  마츠야마유지 ,  데케치요이치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67161 ,  G07C9/00103 ,  G07C9/00111 ,  G08G3/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/14

Abstract: 본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 제 1 주 웨이퍼 반송부 및 제 2 주 반송부의 주위에 10단의 각 열처리유니트부, 5단의 각 도포처리유니트부를 각각 배치하고, 열처리유니트부에 있어서는 온도조정·반송장치에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 조절하면서 웨이퍼(W)의 반송을 수행함으로써, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간이 스루풋의 저하에 끼치는 영향을 극력히 감소시킬 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法中，第一主晶片传输部分和所述第一和每批2主输送部，所述10个单位的每个热处理单元周围，五个部分每个涂层单元，热处理 通过尽可能多地您好进行晶片（W）的晶片（W），同时控制通过转印装置中的温度，对所述衬底的温度调节处理所需的时间的效果对吞吐量下降的转移减少;在单位区间温度调节＆middot 技术呈现。

公开(公告)号：KR1020010051079A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000061066

申请日：2000-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  하야시신이치 ,  아이다나루아키 ,  마츠야마유지 ,  데케치요이치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67161 ,  G07C9/00103 ,  G07C9/00111 ,  G08G3/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/14

Abstract: PURPOSE: A substrate-treating apparatus and a method is provided to reduce the influence given from the time required for the temperature-control treatment of a substrate to the reduction in throughput, and to accurately control the temperature in a treatment unit for treating liquid for the substrate. CONSTITUTION: Each of the five stages of application treatment unit portion(G1,G2) of each of the ten stages in heat treatment unit portion(G3-G5) is arranged around the first and second main wafer conveyance portion(A1,A2), and the temperature of a wafer(W) is controlled by a temperature control/conveyance device(C) at the heat treatment unit portion(G3-G5) and at the same time the wafer(W) is carried, thus reducing the influence given to reduction in throughput, by the time required to conduct the temperature-control treatment of a substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和方法，以减少由基板温度控制处理所需的时间降低生产量所产生的影响，并且精确地控制用于处理液体的处理单元中的温度 底物。 构成：热处理单元部（G3-G5）中的10个级的各施加处理单元部（G1，G2）中的每一个分别围绕第一和第二主晶片输送部（A1，A2）配置， 晶片（W）的温度由热处理单元部（G3-G5）的温度控制输送装置（C）控制，同时承载晶片（W），因此减小了 以减少进行基板的温度控制处理所需的时间。