公开(公告)号：KR1020070023610A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020060080753

申请日：2006-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오크테크 ,  이비덴 가부시키가이샤

Inventor： 야마니시요시키 ,  하라다무네오 ,  기타노다카히로 ,  가와구치다츠조 ,  히로타요시히로 ,  야마다긴지 ,  시노다도모타카 ,  오쿠무라가츠야 ,  가와노슈이치

IPC: H01G5/00 ,  H01G4/002

CPC classification number: H01L2924/19041

Abstract: 본 발명은 고품질 콘덴서와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
콘덴서(10)는 산화막(12) 상에 형성된 하부 전극(13a)과, 하부 전극(13a) 상에 형성된 유전체층(14)과, 하부 전극(13a)에 유전체층(14)을 사이에 두고 대향하도록 형성된 상부 전극(15a)과, 상부 전극(15a)을 덮고, 상부 전극(15a)의 개구부(62v) 및 유전체층(14)의 개구부(61v)를 덮도록 형성된 상부 전극(15b)을 구비한다. 유전체층(14) 상에 상부 전극(15a)이 형성됨으로써, 이 상부 전극을 마스크로 하여 유전체층(14)을 패터닝하는 것이 가능해지며, 유전체층(14) 내로의 불순물 확산을 억제하고, 또한, 상부 전극(15b)에 의해 유전체층(14)이 에칭액, 현상액 등에 노출되는 사태를 방지하여 고품질 유전체층(14)을 구비하는 콘덴서(10)를 제공할 수 있다.
콘덴서, 인터포저, 전극 패드, 유전체, 배리어

公开(公告)号：KR100903842B1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：KR1020077008447

申请日：2005-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노도모히사 ,  야마니시요시키 ,  하시모토히로유키

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06733 ,  G01R1/07342 ,  G01R3/00

Abstract: 프로브 니들(20)은 캔틸레버(21)와, 기둥 형상부(22)와, 꼭대기부(23)를 포함하고, 기둥 형상부(22)는 캔틸레버(21)의 일단에, 외팔보식으로 지지되도록 형성되어 있고, 기둥 형상부(22)의 선단에 꼭대기부(23)가 형성되어 있다. 기둥 형상부(22)의 높이가 꼭대기부(23)의 높이보다도 높게 형성되며, 기둥 형상부(22)와 꼭대기부(23)의 높이가 폭에 비해 2배 이상이 되도록 선택되고 있다.

公开(公告)号：KR1020070050991A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020077008447

申请日：2005-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노도모히사 ,  야마니시요시키 ,  하시모토히로유키

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06733 ,  G01R1/07342 ,  G01R3/00

Abstract: 프로브 니들(20)은 캔틸레버(21)와, 기둥 형상부(22)와, 꼭대기부(23)를 포함하고, 기둥 형상부(22)는 캔틸레버(21)의 일단에, 외팔보식으로 지지되도록 형성되어 있고, 기둥 형상부(22)의 선단에 꼭대기부(23)가 형성되어 있다. 기둥 형상부(22)의 높이가 꼭대기부(23)의 높이보다도 높게 형성되며, 기둥 형상부(22)와 꼭대기부(23)의 높이가 폭에 비해 2배 이상이 되도록 선택되고 있다.

公开(公告)号：KR1020070023611A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020060080754

申请日：2006-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오크테크 ,  이비덴 가부시키가이샤

Inventor： 야마니시요시키 ,  하라다무네오 ,  기타노다카히로 ,  가와구치다츠조 ,  히로타요시히로 ,  마츠다겐지 ,  야마다긴지 ,  시노다도모타카 ,  왕다오하이 ,  오쿠무라가츠야

IPC: H01G5/00

Abstract: 본 발명은 짧은 소성 시간으로 형성할 수 있으며, 또한, 고품질 유전체층을 구비하는 콘덴서와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
처리 장치(100) 내의 분위기를 가스 공급원(112) 등에 의해, 예컨대 산소 분위기 등으로 조절한다. 열처리 장치(101) 내의 분위기를 산소 분위기로 하고, 소정정도까지 온도를 상승시킨다. 다음에 열처리 장치(101) 내에 웨이퍼(W)에 불량이 생기지 않는 속도로, 유전체 전구체층이 형성된 웨이퍼 보우트(161)를 로드한다. 로드 후, 열처리 장치(101)의 반응관 안을 소성 온도까지 상승시키고, 소정 시간 소성시킨다. 열처리 장치(101) 내에서 소정 정도까지 냉각시킨 후, 처리 장치(100) 내에서 실온 정도까지 냉각하여 처리 장치(100) 밖으로 반출한다. 또한, 웨이퍼(W) 상에 형성된 유전체 전구체층을 소성하기 전에, 유전체 전구체층 용제의 휘발 온도보다 높고, 또한, 유전체 전구체의 결정화 개시 온도보다 낮은 온도에서 소정 시간 유지하여 잔류 용제를 증발시킨다.
콘덴서, 인터포저, 전극 패드, 유전체, 배리어