公开(公告)号：KR1020090037341A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR1020080099371

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525

Abstract: An apparatus for forming a film for a semiconductor process is provided to prevent deterioration of a gas nozzle of a cleaning gas. An apparatus(1) for forming a film includes a reaction chamber(2) of a cylindrical shape having a ceiling. A plurality of wafers is loaded in a processing space(S) of the reaction chamber. An exhaust space is formed in one side of the reaction chamber. A partition(22) is arranged between the processing space and the exhaust space. A plurality of exhaust holes(3h) is formed according to a vertical direction of the partition. The processing space is connected to the exhaust space by the exhaust holes. A bottom part of a lowest exhaust hole is positioned on a position higher than a lowest level of a support level which supports the wafer of a wafer boat(6). A top part of a highest exhaust hole is positioned on a position lower than a highest level of the support level. A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction chamber. The wafer boat has a plurality of support levels. A heater(7) is installed around the reaction chamber. A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(10) are connected to a processing gas supply part(GS) through a mass flow control.

Abstract translation: 提供一种用于形成用于半导体工艺的膜的装置，以防止清洁气体的气体喷嘴的劣化。 用于形成膜的装置（1）包括具有顶板的圆柱形的反应室（2）。 多个晶片装载在反应室的处理空间（S）中。 在反应室的一侧形成排气空间。 在处理空间与废气空间之间配置有隔板（22）。 根据隔板的垂直方向形成多个排气孔（3h）。 处理空间通过排气孔连接到排气空间。 最低排气孔的底部位于比支撑晶片舟皿（6）的晶片的支撑水平的最低水平高的位置上。 最高排气孔的顶部位于比支撑水平的最高水平低的位置。 盖（5）布置在反应室的底部。 晶片舟具有多个支撑水平。 加热器（7）安装在反应室周围。 气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（10）通过质量流量控制连接到处理气体供应部分（GS）。

公开(公告)号：KR1020090038819A

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：KR1020080100906

申请日：2008-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: A film formation apparatus for a semiconductor process and a using method thereof are provided to form a silicone nitride film by supplying two film formation gases without a plasma assist at the same time. A film formation apparatus(1) includes a reaction tube(2) which provides a process space(S). An exhaust space(21) is formed into a vertical direction according to the reaction tube. A partition(22) is arranged between the process space and the exhaust space. An exhaust pipe connects the process space to the exhaust space. An exhaust part(GE) is contacted with the exhaust space through an exhaust tube(4). A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction tube. A wafer boat(6) is loaded on the cover. An insulation cover(71) including a heater(7) is arranged around the reaction tube. A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(10) are inserted in a side of a bottom part of the reaction tube, and are connected to a process gas supply part(GS) through a mass flow control. A plasma generating part(11) is arranged in a part of the side wall of the reaction tube. A radio frequency power source for generating plasma is connected to an electrode(12) through a feed line. A plurality of temperature sensors and a plurality of manometers are arranged inside the reaction tube. A control part(100) controls each part of the film formation apparatus.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以通过同时供给两种不产生等离子体辅助的成膜气体来形成氮化硅膜。 成膜装置（1）包括提供处理空间（S）的反应管（2）。 根据反应管，排气空间（21）形成为垂直方向。 在处理空间与排气空间之间配置隔板（22）。 排气管将过程空间连接到排气空间。 排气部（GE）通过排气管（4）与排气空间接触。 盖（5）布置在反应管的底部。 晶片舟（6）装载在盖上。 包括加热器（7）的绝缘盖（71）布置在反应管周围。 气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（10）插入在反应管的底部的一侧，并通过质量流量控制连接到处理气体供应部分（GS）。 等离子体产生部件（11）布置在反应管的侧壁的一部分中。 用于产生等离子体的射频电源通过馈电线连接到电极（12）。 反应管内设有多个温度传感器和多个压力计。 控制部（100）控制成膜装置的各部分。

公开(公告)号：KR1020080001646A

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020070064148

申请日：2007-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  하세베가즈히데 ,  야마모또가즈야

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: A film forming apparatus is provided to suppress contamination of particles in forming a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer by forcibly exhausting the byproducts separated from the inner surface of a reaction chamber. A layer selected from a group composed of a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer is formed on a substrate to be processed in a reaction chamber of a film forming apparatus. The substrate to be processed is unloaded from the reaction chamber. While the inner surface of the reaction chamber is heated to a post-process temperature, post-process gas for nitridization is supplied to the inside of the reaction chamber to perform nitridization of a byproduct layer attached to the inner surface of the reaction chamber. The inner surface of the reaction chamber is cooled rapidly from the post-process temperature to crack the byproduct layer after the nitridization by using thermal stress while the byproduct layer is separated from the inner surface of the reaction chamber. The inside of the reaction chamber is forcibly exhausted so that the byproduct layer separated from the inner surface is loaded into an air current to be exhausted from the reaction chamber. The post-process gas includes gas selected from a group composed of ammonia and nitride oxide.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，通过强制地排出从反应室的内表面分离的副产物来抑制形成氮化硅层或氧氮化硅层时的颗粒的污染。 在成膜装置的反应室内的被处理基板上形成从由氮化硅层或氮氧化硅层构成的组中选择的层。 待处理的基材从反应室中卸载。 当反应室的内表面被加热到后处理​​温度时，用于氮化的后处理气体被供应到反应室的内部，以对连接到反应室的内表面的副产物层进行氮化。 反应室的内表面从后处理温度迅速冷却，通过使用热应力在氮化后裂解副产物层，同时副反应室与反应室的内表面分离。 反应室的内部被强制排空，使得从内表面分离的副产物层被加载到从反应室排出的空气流中。 后处理气体包括选自由氨和氮氧化物组成的组的气体。

公开(公告)号：KR101129741B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020080100906

申请日：2008-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 반응실 내에서 제1 노즐로부터 성막 반응성 가스를 공급하여 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 반응실 내 및 상기 제1 노즐 내에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 반응실 내에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 반응성 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 반응성 가스의 공급을 정지하여 상기 반응실 내를 배기하는 배기 공정을, 이 순서로 행함으로써 클리닝 처리를 행한다. 상기 에칭 공정은 상기 반응실 내에 공급한 상기 클리닝 반응성 가스가 상기 제1 노즐 중으로 유입하는 조건을 사용한다.
성막 장치, 반응관, 배기관, 가스 분산 노즐, 플라즈마 생성부

公开(公告)号：KR101133402B1

公开(公告)日：2012-04-09

申请号：KR1020080099371

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치는 반응실 내에서 피처리 기판을 지지하도록 설정된 복수의 지지 레벨을 갖는 지지 부재와, 반응실에 성막 가스를 공급하는 가스 분산 노즐을 포함하는 성막 가스 공급계와, 반응실 내에 부착된 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 반응실 내를 배기하는 배기계를 구비한다. 클리닝 가스 공급계는 반응실의 저부 근방에서 상향으로 지향된 가스 공급구를 상단부에 갖는 가스 노즐을 포함하고, 가스 공급구는 지지 부재의 지지 레벨의 최하 레벨보다도 아래에 위치한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막