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公开(公告)号：KR101129741B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020080100906
申请日：2008-10-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0218 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45542 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32522
Abstract: 반응실 내에서 제1 노즐로부터 성막 반응성 가스를 공급하여 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 반응실 내 및 상기 제1 노즐 내에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 반응실 내에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 반응성 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 반응성 가스의 공급을 정지하여 상기 반응실 내를 배기하는 배기 공정을, 이 순서로 행함으로써 클리닝 처리를 행한다. 상기 에칭 공정은 상기 반응실 내에 공급한 상기 클리닝 반응성 가스가 상기 제1 노즐 중으로 유입하는 조건을 사용한다.
성막 장치, 반응관, 배기관, 가스 분산 노즐, 플라즈마 생성부-
2.发明公开
公开(公告)号：KR1020100038274A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：KR1020090093078
申请日：2009-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: PURPOSE: A vertical batch CVD apparatus, a method for forming a film in the same, and a computer readable medium are provided to improve uniformity of the film thickness. CONSTITUTION: A source gas(DSC) is supplied to a process region in the adsorption process. The source gas is adsorbed on the surface of a substrate(W). In the reaction process, a reactive gas(NH3) is supplied to the process region. The source gas and the reactive are alternatively reacted. In the adsorption process, the reactive gas is not supplied to the process region. The adsorption process is inserted between a supply sub process(T1a) and a material sub process(T1b) and is repeated several times. The supply sub process supplies the source gas to the process region. An interposition sub process stops the supply of the source gas to the process region. The reactive process maintains the block of the supply of the source gas to the process region. The reactive process continuously supplies the reactive gas to the process region.
Abstract translation: 目的：提供垂直分批CVD装置，其中形成膜的方法和计算机可读介质，以提高膜厚度的均匀性。 构成：在吸附过程中向原料气体（DSC）供应原料气。 源气体被吸附在基板（W）的表面上。 在反应过程中，反应气体（NH 3）被提供给处理区域。 源气体和反应性交替反应。 在吸附过程中，反应气体不被供应到工艺区域。 吸附过程被插入在供应子过程（T1a）和材料子过程（T1b）之间并被重复几次。 供应子过程将源气体提供给过程区域。 插入子过程停止向处理区域供应源气体。 反应过程保持源气体供应到工艺区域的块。 反应过程将反应气体连续地供应到过程区域。
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公开(公告)号：KR101133402B1
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020080099371
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45525
Abstract: 반도체 처리용 성막 장치는 반응실 내에서 피처리 기판을 지지하도록 설정된 복수의 지지 레벨을 갖는 지지 부재와, 반응실에 성막 가스를 공급하는 가스 분산 노즐을 포함하는 성막 가스 공급계와, 반응실 내에 부착된 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 반응실 내를 배기하는 배기계를 구비한다. 클리닝 가스 공급계는 반응실의 저부 근방에서 상향으로 지향된 가스 공급구를 상단부에 갖는 가스 노즐을 포함하고, 가스 공급구는 지지 부재의 지지 레벨의 최하 레벨보다도 아래에 위치한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막-
公开(公告)号：KR101105130B1
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020090003552
申请日：2009-01-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/45542
Abstract: 성막 방법은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 동시에, 제2 처리 가스를 공급할 때에 여기하기 위한 여기 기구에 연통하는 처리 영역 내에서 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클을 복수회 반복하여 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 이 방법은 실리콘 질화막의 막질 요소에 대한 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클의 사이클 혼합 형태의 관계를 나타내는 관계식 또는 관계표를 구하는 공정과, 막질 요소의 목표값으로부터 관계식 또는 관계표를 참조하여 사이클 혼합 형태의 구체적 형태를 결정하는 공정과, 구체적 형태에 따라서 성막 처리를 어레인지하는 공정을 구비한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 보온통, 승강 기구, 가스 여기부Abstract translation: 成膜方法是选择性地向等离子体处理室供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体的方法， 循环和非等离子体循环被重复多次以在待处理的衬底上形成氮化硅膜。 等离子体循环的方法，和非一步骤，以获得关系表达式或一个关系表，其示出了等离子体循环的混合物的循环关系，请参见对氮化硅膜的膜质量因子从膜质量元件的目标值来循环混合形式的关系或关系表 确定特定形状的步骤，以及根据特定形式布置成膜处理的步骤。
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公开(公告)号：KR1020090077873A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：KR1020090001745
申请日：2009-01-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: A film formation method and an apparatus for processing a semiconductor and a computer readable medium are provided to form a silicon nitride layer with high quality by suppressing generation of particles. A film formation apparatus(2) for processing a semiconductor includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(28), a second processing gas supply system(30), an exciting unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing region for receiving a processing substrate. The supporting member is used for supporting the processing substrate in the process region. The heater heats the processing substrate within the process region. The exhaust system exhausts the air of the process area. The first processing gas supply system supplies the first processing gas including silane-based gas to the process region. The second processing gas supply system supplies the second processing gas including the nitrogen gas to the processing region. The exciting unit performs an excitation process in the supplying process of the second processing gas. The control unit controls operations of the film formation apparatus.
Abstract translation: 提供了一种成膜方法和用于处理半导体和计算机可读介质的装置，通过抑制颗粒的产生而形成高质量的氮化硅层。 用于处理半导体的成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（28），第二处理气体 供应系统（30），激励单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理衬底的处理区域。 支撑构件用于在处理区域中支撑处理衬底。 加热器加热处理区域内的处理衬底。 排气系统排出处理区域的空气。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包括硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统将包含氮气的第二处理气体供给到处理区域。 励磁单元在第二处理气体的供给过程中进行激励处理。 控制单元控制成膜装置的操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090037341A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020080099371
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45525
Abstract: An apparatus for forming a film for a semiconductor process is provided to prevent deterioration of a gas nozzle of a cleaning gas. An apparatus(1) for forming a film includes a reaction chamber(2) of a cylindrical shape having a ceiling. A plurality of wafers is loaded in a processing space(S) of the reaction chamber. An exhaust space is formed in one side of the reaction chamber. A partition(22) is arranged between the processing space and the exhaust space. A plurality of exhaust holes(3h) is formed according to a vertical direction of the partition. The processing space is connected to the exhaust space by the exhaust holes. A bottom part of a lowest exhaust hole is positioned on a position higher than a lowest level of a support level which supports the wafer of a wafer boat(6). A top part of a highest exhaust hole is positioned on a position lower than a highest level of the support level. A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction chamber. The wafer boat has a plurality of support levels. A heater(7) is installed around the reaction chamber. A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(10) are connected to a processing gas supply part(GS) through a mass flow control.
Abstract translation: 提供一种用于形成用于半导体工艺的膜的装置，以防止清洁气体的气体喷嘴的劣化。 用于形成膜的装置（1）包括具有顶板的圆柱形的反应室（2）。 多个晶片装载在反应室的处理空间（S）中。 在反应室的一侧形成排气空间。 在处理空间与废气空间之间配置有隔板（22）。 根据隔板的垂直方向形成多个排气孔（3h）。 处理空间通过排气孔连接到排气空间。 最低排气孔的底部位于比支撑晶片舟皿（6）的晶片的支撑水平的最低水平高的位置上。 最高排气孔的顶部位于比支撑水平的最高水平低的位置。 盖（5）布置在反应室的底部。 晶片舟具有多个支撑水平。 加热器（7）安装在反应室周围。 气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（10）通过质量流量控制连接到处理气体供应部分（GS）。
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公开(公告)号：KR1020090037340A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020080099370
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45519
Abstract: An apparatus for forming a film for a semiconductor process and a using method thereof are provided to improve yield of a semiconductor device by preventing generation of a particle due to an exfoliation of quartz and a by-product film. An apparatus(1) for forming a film includes a reaction tube(2) of a cylindrical shape. An exhaust pipe(3) for exhausting a gas is formed in a side of a bottom part of the reaction tube. An exhaust part(GE) is connected to the exhaust pipe through an exhaust tube(4). A pressure control unit is arranged on the exhaust part. A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction tube, and is moved to top and bottom by a boat elevator. A wafer boat(6) is loaded on a top of the cover. A plurality of semiconductor wafers(W) is loaded in the wafer boat. A heater(7) composed of a resistance heating body is installed around the reaction tube. The heater is arranged inside an insulation cover(71). A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(16) are inserted in a bottom part of the reaction tube, and are connected to a processing gas supply part(GS) through a mass flow control. A plasma generating part(10) is arranged in one part of a side wall of the reaction tube.
Abstract translation: 提供一种用于形成半导体工艺的膜的设备及其使用方法，以通过防止由于石英和副产物膜的剥离而产生颗粒而提高半导体器件的产量。 用于形成膜的装置（1）包括圆柱形的反应管（2）。 用于排出气体的排气管（3）形成在反应管的底部的一侧。 排气部（GE）通过排气管（4）与排气管连接。 排气部设有压力控制单元。 在反应管的底部设置有盖（5），并通过船用电梯移动到顶部和底部。 晶片舟（6）装载在盖的顶部。 多个半导体晶片（W）装载在晶片舟皿中。 由电阻加热体构成的加热器（7）安装在反应管的周围。 加热器布置在绝缘盖（71）内。 将气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（16）插入反应管的底部，并通过质量流量控制与处理气体供给部（GS）连接。 等离子体产生部件（10）布置在反应管的侧壁的一部分中。
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公开(公告)号：KR1020080108912A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020080054102
申请日：2008-06-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: A film formation method and an apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to suppress the generation of particle and form the silicon nitride film in which the thin film is excellent with the high deposition rate. A film formation method for a semiconductor process comprises the following processes. A plurality of cycles are performed within the process area(5) in which the processed substrate is arranged. The film forming process for the silicon nitride film which has the predetermined thickness by laminating the thin film is provided. Each cycle comprises the first supply process and the second supply process. The first supply process performs the supply of the first process gas about the process area. The first supply process maintains the cut off of the supply of the second process gas about the process area. The second supply process performs the supply of the second process gas about the process area. The second supply process maintains the cut off of the supply of the first process gas about the process area. The first cycle set and the second cycle set is repeated without the task which materially changes the fixing heating temperature about the process area to the mixed product.
Abstract translation: 提供一种成膜方法和半导体工艺装置以及计算机可读介质，以抑制颗粒的产生并形成其中薄膜以高沉积速率优异的氮化硅膜。 半导体工艺的成膜方法包括以下工序。 在其中布置经处理的基板的处理区域（5）内执行多个周期。 提供了通过层叠薄膜而具有预定厚度的氮化硅膜的成膜工艺。 每个循环包括第一个供应过程和第二个供应过程。 第一供应过程执行关于处理区域的第一工艺气体的供应。 第一供应过程维持关于处理区域的第二工艺气体的供应的切断。 第二供应过程执行关于处理区域的第二处理气体的供应。 第二供应过程维持关于处理区域的第一工艺气体的供应的切断。 重复第一循环组和第二循环组，而没有任何将对加工区域的定影加热温度实质上改变为混合产物的任务。
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公开(公告)号：KR101149097B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020080099370
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45519
Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 성막에 기여하는 성막 가스를 공급하는 성막 가스 공급계로부터 상기 반응실을 통해 배기계에 이르는 가스 경로의 소정 영역에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해, 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 소정 영역에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 가스의 공급을 정지하여 상기 소정 영역이 존재하는 공간을 상기 배기계에 의해 배기하는 배기 공정을 교대로 복수회 반복함으로써 클리닝 처리를 행한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막-
公开(公告)号：KR101146397B1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020090001745
申请日：2009-01-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 주단계와 보조 단계로 구성되어, 보조 단계는 성막 처리의 초기 및 말기의 한쪽 또는 양쪽에 설정된다. 주단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖는다. 보조 단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖지 않는다.
반도체 처리용 성막 장치, 실란계 가스, 처리 가스, 질화 가스, 가스 분산 노즐
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