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公开(公告)号：KR102205227B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020190034160
申请日：2019-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 하드마스크로서매우적합한특성을갖는붕소계막을얻을수 있는붕소계막의성막방법및 성막장치를제공한다. 기판상에붕소를주체로하는붕소계막을형성하는붕소계막의성막방법은, 용량결합플라즈마를이용한플라즈마 CVD에의해붕소계막을성막하는성막장치의챔버내에기판을반입하는제 1 공정과, 챔버내에붕소함유가스를포함한처리가스를공급하는제 2 공정과, 용량결합플라즈마를생성하기위한고주파전력을인가하는제 3 공정과, 고주파전력에의해처리가스의플라즈마를생성해서기판상에붕소계막을성막하는제 4 공정을포함하며, 제 3 공정의고주파전력의파워에의해붕소계막의막 응력을조정한다.
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