公开(公告)号：KR1020140083882A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159409

申请日：2013-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J21/22 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/22

Abstract: An objective of the present invention is to provide a plasma doping apparatus for stably doping a substrate to be treated, and to increase surface uniformity of dopant on the substrate to be treated. A plasma generation device (39) provided in the plasma doping apparatus (31) includes a microwave generation unit (35) to generate a microwave for plasma excitation; a dielectric window (36) allowing the microwave generated from the microwave generation unit (35) to be transmitted into a processing vessel (32); and a radial line slot antenna (37) provided thereon with a plurality of slots to radiate the microwave to the dielectric window (36). A control unit (28) controls a gas supplying unit (33) to supply a doping gas and a gas for the plasma excitation into the processing vessel (32) while positioning a substrate (W) to be treated on a supporting unit (34), and controls the plasma generation device (39) to generate the plasma after the doping gas and the gas for the plasma excitation are supplied by the gas supplying unit (33) so that doping is performed on the substrate (W) such that a density of a dopant implanted into the substrate (W) to be treated is less than 1X1013atoms/cm2.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于稳定地掺杂待处理衬底的等离子体掺杂装置，并且增加待处理衬底上的掺杂剂的表面均匀性。 设置在等离子体掺杂装置（31）中的等离子体产生装置（39）包括产生用于等离子体激发的微波的微波产生单元（35） 允许从微波产生单元（35）产生的微波被传送到处理容器（32）中的电介质窗（36）; 以及设置有多个槽的径向线缝隙天线（37），以将所述微波辐射到所述电介质窗口（36）。 控制单元（28）控制气体供给单元（33），以将待处理的基板（W）定位在支撑单元（34）上以将等离子体激发的掺杂气体和气体供给到处理容器（32） 并且在气体供给单元（33）供给掺杂气体和等离子体激发用气体之后，控制等离子体产生装置（39）产生等离子体，使得在基板（W）上进行掺杂，使得密度 注入到待处理的基板（W）中的掺杂剂小于1×10 13原子/ cm 2。

公开(公告)号：KR1020140113663A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020147018379

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  가라카와다카유키

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  C23C16/452 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7833

Abstract: 플라즈마 도핑 장치(31)는, 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입하여 도핑을 하는 플라즈마 도핑 장치(31)로서, 그 내부에서 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입시키는 처리 용기(32)와, 처리 용기(32) 내에 도핑 가스 및 플라즈마 여기용의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부(33)와, 처리 용기(32) 내에 배치되고, 그 위에서 피처리 기판(W)을 유지하는 유지대(34)와, 마이크로파를 이용하여, 처리 용기(32) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구(39)와, 처리 용기(32) 내의 압력을 조정하는 압력 조정 기구와, 플라즈마 도핑 장치(31)를 제어하는 제어부(28)를 구비한다. 제어부(28)는, 처리 용기(32) 내의 압력을 100 mTorr 이상 500 mTorr 미만으로 하도록 압력 조정 기구를 제어하고, 플라즈마 발생 기구(39)에 의해 발생시킨 플라즈마에 의해 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 한다.

公开(公告)号：KR102205227B1

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：KR1020190034160

申请日：2019-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베요시마사 ,  오카마사히로 ,  리진왕 ,  야마모토유우키 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 하드마스크로서매우적합한특성을갖는붕소계막을얻을수 있는붕소계막의성막방법및 성막장치를제공한다. 기판상에붕소를주체로하는붕소계막을형성하는붕소계막의성막방법은, 용량결합플라즈마를이용한플라즈마 CVD에의해붕소계막을성막하는성막장치의챔버내에기판을반입하는제 1 공정과, 챔버내에붕소함유가스를포함한처리가스를공급하는제 2 공정과, 용량결합플라즈마를생성하기위한고주파전력을인가하는제 3 공정과, 고주파전력에의해처리가스의플라즈마를생성해서기판상에붕소계막을성막하는제 4 공정을포함하며, 제 3 공정의고주파전력의파워에의해붕소계막의막 응력을조정한다.

公开(公告)号：KR102071794B1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：KR1020180063972

申请日：2018-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베요시마사 ,  오카마사히로 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR1020170095887A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020177017101

申请日：2015-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/22 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/335 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/66803 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/265 ,  H01L29/785

Abstract: 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 상기도핑방법에따르면, 플라즈마도핑처리시에공급하는바이어스전력의값을, 플라즈마도핑후에실시하는세정처리를전제로한 소정값으로설정하여, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 并且通过将掺杂剂注入到待处理的衬底中来执行掺杂。 根据掺杂法，偏置功率的值，以通过设置预定的值被提供给等离子体掺杂处理，以在假设等离子体掺杂之后执行清洗过程时，在处理室中，从而生成所述处理容器使用微波范围内的等离子 并且，对保持在保持台上的被处理基板实施等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR1020150077367A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020140190968

申请日：2014-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  스기모토야스히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01L29/66803

Abstract: 플라즈마도핑방법은, 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는플라즈마도핑방법이다. 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써, 처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행하는플라즈마도핑처리공정을포함한다. 또한, 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 플라즈마도핑처리가행해진피처리기판에대하여어닐링처리를행하는어닐링처리공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的掺杂方法，掺杂装置和制造方法。 等离子体掺杂法通过将掺杂剂插入未处理衬底来进行掺杂。 等离子体掺杂方法包括等离子体掺杂工艺，以通过在一个实施例中通过使用微波在等离子体内在处理容器内产生等离子体来对保持在处理容器内的维持台上的未处理衬底进行等离子体掺杂。 此外，等离子体掺杂方法包括对在其中在一个实施例中执行等离子体掺杂工艺的未处理衬底执行取消处理的废止处理过程。

公开(公告)号：KR1020160140423A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160063384

申请日：2016-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  미요시히데노리 ,  오카마사히로 ,  나카무리겐지 ,  고바야시유키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76826 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은게르마늄또는 III-V족을포함하는피처리기판을이용하여고품질의 PN 접합을수반하는반도체소자를제조하는것을목적으로한다. 피처리기판에도펀트를주입하여반도체소자를제조하는방법이다. 마이크로파를이용하여처리용기내에고주파플라즈마를발생시킨다. 발생시킨고주파플라즈마를이용하여, 처리용기내의유지대에유지된게르마늄을포함하는피처리기판에대해플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 公开了一种通过将掺杂剂注入到待处理的基板上来制造半导体元件的方法。 通过使用微波在处理容器内产生高频等离子体。 通过使用所生成的高频等离子体，对保持在处理容器内的保持台上的含锗被处理基板进行等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR1020160078880A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150179284

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01J37/32 ,  H01L21/225 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/2256

Abstract: 본발명은도핑직후에피처리기판의열처리를할 수없는경우라도, 컨포멀도핑을실현하는것을그 과제로한다. 본발명에따른도핑방법은피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 우선, 산화막형성공정에있어서, 도핑처리를실시하기전에, 피처리기판상에산화막을형성한다. 그리고, 피처리기판상에산화막을형성한후에, 해당산화막의위로부터플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 本发明的目的是进行适形掺杂，即使在掺杂后不能立即对待处理的基板进行热处理。 根据本发明，掺杂方法通过将掺杂剂注入待处理的基板来进行掺杂。 首先，在氧化膜形成工序中，在掺杂处理前的基板上形成氧化膜。 此外，在待处理的基板上形成氧化膜之后，从相应的氧化膜的顶部进行等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR101544938B1

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020130159409

申请日：2013-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J21/22 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/22

Abstract: 본발명은피처리기판에대한안정된도핑을행할수 있고, 피처리기판에대한도우즈량의면내균일성을높일수 있는플라즈마도핑장치를제공하는것을과제로한다. 이러한플라즈마도핑장치(31)에구비되는플라즈마발생기구(39)는, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(35)와, 마이크로파발생기(35)에의해발생시킨마이크로파를처리용기(32) 내에투과시키는유전체창(36)과, 복수의슬롯이마련되어있고, 마이크로파를유전체창(36)에방사하는레이디얼라인슬롯안테나(37)를포함한다. 제어부(28)는, 유지대(34) 상에피처리기판(W)을배치시킨상태로, 처리용기(32) 내에가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급하고, 가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급한후에플라즈마발생기구(39)에의해플라즈마를발생시켜피처리기판(W)에도핑을행하며, 피처리기판(W)에주입되는도펀트의농도가 1×10atoms/㎠미만이되도록제어한다.

公开(公告)号：KR1020140043677A

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：KR1020130115028

申请日：2013-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  우에다히로카즈 ,  호리고메마사히로

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66803

Abstract: Provided is a plasma doping apparatus which performs doping without deforming a substrate before and after the doping with good conformaility, and makes the injected dopants be not separated in a process of cleaning after the doping. A control unit (28), which is formed to the plasma doping apparatus, controls a pressure control unit to make the pressure in a processing container (32) be a first pressure, controls a bias power supply unit to make a bias power which is supplied to a maintenance unit (34) be a first bias power; performs a first plasma processing on a substrate (W) which is to be processed by the plasma generated by a plasma generation unit (39); controls the pressure control unit to make the pressure within the processing container be a second pressure which is higher than the first pressure after the first plasma processing; controls the bias power supply unit to make the bias power supplied to the maintenance unit to be a second bias power which is lower than the first bias power; and performs a second plasma processing on the target substrate by the plasma generated by the plasma generation unit.

Abstract translation: 提供了一种等离子体掺杂装置，其在良好的适形性下，在掺杂前后进行掺杂而不使基板发生变形，并且使得注入的掺杂剂在掺杂后的清洗过程中不分离。 形成在等离子体掺杂装置上的控制单元（28）控制压力控制单元使处理容器（32）中的压力为第一压力，控制偏压供电单元以产生偏压功率 提供给维护单元（34）的是第一偏置功率; 对由等离子体产生单元（39）产生的等离子体进行处理的基板（W）进行第一等离子体处理。 控制所述压力控制单元使得所述处理容器内的压力为所述第一等离子体处理之后的所述第一压力以上的第二压力; 控制所述偏置电源单元，使提供给所述维护单元的偏置功率为低于所述第一偏置功率的第二偏置功率; 并且通过由等离子体产生单元产生的等离子体对目标衬底进行第二等离子体处理。