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公开(公告)号：KR1020150138369A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
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公开(公告)号：KR101234566B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020117019101
申请日：2009-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J2237/2001 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/7833
Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100076021A
公开(公告)日：2010-07-05
申请号：KR1020107010462
申请日：2008-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32954 , H05H1/46
Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus (11) comprising an antenna unit (13) for generating plasmas by using microwaves a plasma source so that there are formed within a chamber a first region (25a) wherein the electron temperature of plasmas is relatively high and a second region (25b) wherein the electron temperature of plasmas is lower than that in the first region (25a), a first arrangement means for arranging a semiconductor substrate (W) in the first region (25a), a second arrangement means for arranging the semiconductor substrate (W) in the second region (25b), and a plasma generation stopping means for stopping plasma generation by the plasma generating means, while having the semiconductor substrate (W) arranged in the second region (25b).
Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置（11），其包括用于通过使用微波产生等离子体源来产生等离子体的天线单元（13），使得在腔室内形成第一区域（25a），其中等离子体的电子温度相对较高，并且 第二区域（25b），其中等离子体的电子温度低于第一区域（25a）中的电子温度;第一布置装置，用于在第一区域（25a）中布置半导体衬底（W）;第二布置装置， 在第二区域（25b）中的半导体衬底（W）和等离子体产生停止装置，用于在半导体衬底（W）布置在第二区域（25b）中的同时停止等离子体产生装置的等离子体产生。
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公开(公告)号：KR102205227B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020190034160
申请日：2019-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 하드마스크로서매우적합한특성을갖는붕소계막을얻을수 있는붕소계막의성막방법및 성막장치를제공한다. 기판상에붕소를주체로하는붕소계막을형성하는붕소계막의성막방법은, 용량결합플라즈마를이용한플라즈마 CVD에의해붕소계막을성막하는성막장치의챔버내에기판을반입하는제 1 공정과, 챔버내에붕소함유가스를포함한처리가스를공급하는제 2 공정과, 용량결합플라즈마를생성하기위한고주파전력을인가하는제 3 공정과, 고주파전력에의해처리가스의플라즈마를생성해서기판상에붕소계막을성막하는제 4 공정을포함하며, 제 3 공정의고주파전력의파워에의해붕소계막의막 응력을조정한다.
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公开(公告)号：KR102071794B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020180063972
申请日：2018-06-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/027
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170095887A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177017101
申请日：2015-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32403 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/335 , H01J2237/3365 , H01L21/02057 , H01L29/66803 , H01L21/22 , H01L21/02315 , H01L21/265 , H01L29/785
Abstract: 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 상기도핑방법에따르면, 플라즈마도핑처리시에공급하는바이어스전력의값을, 플라즈마도핑후에실시하는세정처리를전제로한 소정값으로설정하여, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행한다.
Abstract translation: 并且通过将掺杂剂注入到待处理的衬底中来执行掺杂。 根据掺杂法，偏置功率的值，以通过设置预定的值被提供给等离子体掺杂处理，以在假设等离子体掺杂之后执行清洗过程时，在处理室中，从而生成所述处理容器使用微波范围内的等离子 并且，对保持在保持台上的被处理基板实施等离子体掺杂处理。
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公开(公告)号：KR1020150077367A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020140190968
申请日：2014-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/265 , H05H1/46 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01L29/66803
Abstract: 플라즈마도핑방법은, 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는플라즈마도핑방법이다. 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써, 처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행하는플라즈마도핑처리공정을포함한다. 또한, 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 플라즈마도핑처리가행해진피처리기판에대하여어닐링처리를행하는어닐링처리공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的掺杂方法，掺杂装置和制造方法。 等离子体掺杂法通过将掺杂剂插入未处理衬底来进行掺杂。 等离子体掺杂方法包括等离子体掺杂工艺，以通过在一个实施例中通过使用微波在等离子体内在处理容器内产生等离子体来对保持在处理容器内的维持台上的未处理衬底进行等离子体掺杂。 此外，等离子体掺杂方法包括对在其中在一个实施例中执行等离子体掺杂工艺的未处理衬底执行取消处理的废止处理过程。
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公开(公告)号：KR101203038B1
公开(公告)日：2012-11-20
申请号：KR1020107010462
申请日：2008-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32954 , H05H1/46
Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 마이크로파를 플라즈마원으로 하고, 챔버 내에 상대적으로 플라즈마의 전자 온도가 높은 제1 영역(25a)과, 제1 영역(25a)보다도 플라즈마의 전자 온도가 낮은 제2 영역(25b)을 형성하도록 플라즈마를 발생시키는 안테나부(13)와, 반도체 기판(W)을 제1 영역(25a) 내에 위치시키는 제1 배치 수단과, 반도체 기판(W)을 제2 영역(25b) 내에 위치시키는 제2 배치 수단과, 반도체 기판(W)을 제2 영역(25b)에 위치시킨 상태에서, 플라즈마 발생 수단에 의한 플라즈마의 발생을 정지시키는 플라즈마 발생 정지 수단을 구비한다.
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公开(公告)号：KR102125122B1
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：KR1020180000197
申请日：2018-01-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 우에다히로카즈
IPC: H01L21/67
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公开(公告)号：KR101815746B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
Abstract translation: 本发明涉及用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和设备，其中掺杂剂例如是膦或胂。 用低浓度的掺杂剂掺杂惰性气体，如氦气或氩气。 为了提供共形掺杂，优选形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流入口位置，并且气体混合物主要在第一时间段期间流过处理室中的中央顶端口 在引入之后的第二时间段内，气体混合物主要通过外围或边缘注入口引入，并且开关作为等离子体工艺以交替方式继续。
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