公开(公告)号：KR1020100106576A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).

公开(公告)号：KR101248651B1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).