公开(公告)号：KR100701718B1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：KR1020000053436

申请日：2000-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100687950B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060094090

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100687949B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060094084

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.

Abstract translation: 在晶片W上形成的绝缘膜材料的表面上照射紫外线以减小绝缘膜材料表面的接触角。 因此，当绝缘膜材料被施加到其上时，材料平滑地膨胀，并且上绝缘膜材料的表面不具有凹凸。 这使得可以在基板上形成更厚且更平坦的绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020060108587A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020060094084

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010039876A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000053436

申请日：2000-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate-treating device which can quickly perform treatment for obtaining desired characteristics, while the device suppresses the contamination by particles to the utmost. CONSTITUTION: When a wafer(W) is delivered from a main wafer transfer mechanism into a heat treatment chamber(151), the air pressure in the chamber(151) is made higher than the air pressure on the transfer mechanism side by blowing nitrogen gas into the chamber(151). Thereafter, a hermetically sealed space for heat treatment is formed in the chamber(151), and heat treatment is performed on the wafer(W), by stopping the blown-out nitrogen gas and setting the inside of the chamber(151) at an air pressure which is lower than the atmospheric pressure by starting a vacuum pump(170).

Abstract translation: 目的：提供一种能够快速进行处理以获得所需特性的基板处理装置，同时该装置最大限度地抑制颗粒污染。 构成：当将晶片（W）从主晶片传送机构传送到热处理室（151）时，通过吹氮气使室（151）中的空气压力高于传送机构侧的空气压力 进入腔室（151）。 然后，在室（151）中形成用于热处理的气密密封空间，通过停止吹出的氮气并将室（151）的内部设置在罐（151）的内部，对晶片（W）进行热处理 通过启动真空泵（170），气压低于大气压。

公开(公告)号：KR1020060117296A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：KR1020060094090

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: A substrate processing apparatus is provided to form a thick uniform insulating layer on a substrate by using an enhanced pressure control unit. A substrate processing apparatus comprises a transfer unit, a heat treatment unit, a cooling unit, and a pressure control unit. The transfer unit(22) is used for transferring a substrate to an aiming position. The heat treatment unit(53) is used for performing a heat treatment on the substrate. The cooling unit is installed adjacent to the heat treatment unit. The pressure control unit is used for adjusting properly the pressure of the heat treatment unit. The pressure control unit is capable of adjusting the pressure of the cooling unit.

Abstract translation: 提供基板处理装置，通过使用增强的压力控制单元在基板上形成厚均匀的绝缘层。 基板处理装置包括转印单元，热处理单元，冷却单元和压力控制单元。 转印单元（22）用于将基板转印到瞄准位置。 热处理单元（53）用于对基板进行热处理。 冷却单元安装在热处理单元附近。 压力控制单元用于适当地调节热处理单元的压力。 压力控制单元能够调节冷却单元的压力。