公开(公告)号：KR100675523B1

公开(公告)日：2007-01-29

申请号：KR1020000042964

申请日：2000-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가시마신지

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y10T29/49808 ,  Y10T29/49826

Abstract: 본 발명은, 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 비활성기체를 공급하면서 가열처리를 수행하는 핫 플레이트에 있어서, 재치대에는 홈이 설치되어 있어, 뚜껑체의 하단부는 구 홈으로 삽입할 수 있으며, 뚜껑구동장치에 의해 뚜껑체는 2단계로 나누어 하강하는데, 뚜껑체는 1단계의 하강에서 재치대와의 사이에 처리실을 형성하고, 2단계의 하강에서 뚜껑체의 하단부가 홈에 삽입되어 처리실의 용적이 작아지게 됨으로써, 기체의 공급이 필요한 기판처리장치에 있어서 처리실의 용적을 작게하여 필요한 기체의 양을 줄일 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法及基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置，特别涉及一边供给惰性气体一边进行热处理的热板，其中，在载置台上设有槽， 并且，由盖驱动装置的盖是分为两个阶段，盖形成在载置台和所述第1阶段的下降之间的腔室，在阶段2的下降沿所述盖的下端被插入到沟 提出了一种技术，该技术通过减小处理室的容积来减少需要供给气体的基板处理装置中的处理室的容积，由此能够减小处理室的容积。

公开(公告)号：KR100503391B1

公开(公告)日：2005-07-22

申请号：KR1020050046175

申请日：2005-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케시타가즈히로 ,  나가시마신지 ,  무라마쓰마코토 ,  미즈타니요지 ,  야노가즈토시 ,  가타야마교시게

IPC: B05C5/00 ,  B05C9/08

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0486 ,  B05D3/107 ,  H01L21/6715 ,  Y10S134/902

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.

公开(公告)号：KR1020010030453A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000055283

申请日：2000-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코미야타카유키 ,  나가시마신지 ,  코지마시케요시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  Y10S414/135

Abstract: PURPOSE: To provide a method and apparatus for forming an insulating film for forming a first insulating film and a second insulating film having satisfactory low directivity characteristics and satisfactory adherence between the first insulating film and the second insulating film in the same apparatus, and for widening the selection range of the materials of the second insulating film. CONSTITUTION: Since both a first insulating film 402 and a second insulating film 403 are formed by a spin coat method, the first insulating film 402 and the second insulating film 403 can be formed in the same SOD processing system 1. Also, at formation of the first insulating film 402 and the second insulating film 403 using the spin coat method, low permittivity characteristic can be made satisfactory, and adherence between the first insulating film and the second insulating film can be made satisfactory.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成第一绝缘膜的绝缘膜和在同一装置中具有令人满意的低方向特性和令人满意的第一绝缘膜与第二绝缘膜之间粘附性的第二绝缘膜的方法和装置， 第二绝缘膜的材料的选择范围。 构成：由于通过旋涂法形成第一绝缘膜402和第二绝缘膜403两者，所以可以在同一SOD处理系统1中形成第一绝缘膜402和第二绝缘膜403。 使用旋涂法的第一绝缘膜402和第二绝缘膜403可以使电容率低的特性令人满意，并且可以令第一绝缘膜和第二绝缘膜之间的粘附性令人满意。

公开(公告)号：KR100264109B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 하는 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리스테이션과, 카세트 스테이션과 처리스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고 받기 수단을 포함하는 인터페이스부를 가지며, 처리스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전 가능한 기판처리시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019960002497A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어 놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리 스테이션과, 카세트 스테이션과 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고받기 수단을 포함하는 인텨페이스부를 가지며, 처리 스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전가 능한 기판처리 시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR100646912B1

公开(公告)日：2006-11-17

申请号：KR1020000037857

申请日：2000-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가시마신지

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 기판의 표면에 제 1 처리액을 확산시켜 기판의 표면을 소정의 기판온도로 조정한 후, 기판의 표면에 제 2 처리액을 확산시키는데, 기판의 표면을 소정의 기판온도로 한 상태에서 제 2 처리액을 확산시킬 수 있음으로 인해, 기판의 표면에 밀착성이 좋은 층간 절연막 등을 균일하게 형성할 수 있으며, 또한 처리액의 사용량도 적게 할 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020060117296A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：KR1020060094090

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야자키게이 ,  우치하마유이치로 ,  야스다겐지 ,  사카구치기미나리 ,  나가시마신지

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: A substrate processing apparatus is provided to form a thick uniform insulating layer on a substrate by using an enhanced pressure control unit. A substrate processing apparatus comprises a transfer unit, a heat treatment unit, a cooling unit, and a pressure control unit. The transfer unit(22) is used for transferring a substrate to an aiming position. The heat treatment unit(53) is used for performing a heat treatment on the substrate. The cooling unit is installed adjacent to the heat treatment unit. The pressure control unit is used for adjusting properly the pressure of the heat treatment unit. The pressure control unit is capable of adjusting the pressure of the cooling unit.

Abstract translation: 提供基板处理装置，通过使用增强的压力控制单元在基板上形成厚均匀的绝缘层。 基板处理装置包括转印单元，热处理单元，冷却单元和压力控制单元。 转印单元（22）用于将基板转印到瞄准位置。 热处理单元（53）用于对基板进行热处理。 冷却单元安装在热处理单元附近。 压力控制单元用于适当地调节热处理单元的压力。 压力控制单元能够调节冷却单元的压力。

公开(公告)号：KR100524204B1

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1019980054574

申请日：1998-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케시타가즈히로 ,  나가시마신지 ,  미즈타니요지 ,  가타야마교시게

IPC: H01L21/02

Abstract: 정류면부(37a)는 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부로부터 밀폐용기의 중심부로 가는 도중에 일단 웨이퍼(W)에서 가장 멀어지고, 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 중앙 근방의 부분에서 다시 웨이퍼(W)에 근접하도록 아래쪽을 향하여 볼록하게 나와 있다. 즉, 정류면부(37a)를 종단면에서 볼 때에 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 주변영역에 볼록부(37c)가 형성되어 있다. 이 정류면부(37a)의 표면에 따라 처리가스가 흐르기 때문에 웨이퍼(W)의 반경방향에 걸쳐 처리가스와 웨이퍼(W)와의 접촉이 균일화되고, 그에 따라 균일한 막이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020020063805A

公开(公告)日：2002-08-05

申请号：KR1020020003500

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가시마신지

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B05D3/0466

Abstract: PURPOSE: To provide coating film treatment equipment and a coating film treatment method wherein treatment gas having a prescribed composition can be supplied stably to a treatment chamber for treatment a coating film. CONSTITUTION: An SOD system is one embodiment of coating film treatment equipment and forms an interlayer insulating film on a surface of a semiconductor wafer W. The system is provided with a chamber 61 in which a semiconductor wafer W is accommodated, a first gas supplying mechanism which supplies ammonia gas in the chamber 61 while flow rate of the ammonia gas is controlled by a mass flow controller (MFC) 37, and a second gas supplying mechanism which supplies nitrogen gas containing steam of a prescribed concentration in the chamber 61 while flow rate of the nitrogen gas is controlled by a mass flow controller (MFC) 38. As a result, treatment gas having a specified composition can be supplied stably in the chamber 61.

Abstract translation: 目的：提供涂膜处理设备和涂膜处理方法，其中可以将具有规定组成的处理气体稳定地供给到用于处理涂膜的处理室。 构成：SOD系统是涂膜处理设备的一个实施例，并且在半导体晶片W的表面上形成层间绝缘膜。该系统设置有容纳半导体晶片W的室61，第一气体供给机构 其在氨气的流量由质量流量控制器（MFC）37控制的同时在室61中供应氨气;以及第二气体供给机构，其在室61中供给含有规定浓度的蒸汽的氮气，同时流量 的氮气由质量流量控制器（MFC）38控制。结果，可以在室61中稳定地供应具有特定组成的处理气体。

公开(公告)号：KR1019990063060A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019980054990

申请日：1998-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케시타가즈히로 ,  나가시마신지 ,  무라마쓰마코토 ,  미즈타니요지 ,  야노가즈토시 ,  가타야마교시게

IPC: B05C5/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.