公开(公告)号：KR100676543B1

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020010056135

申请日：2001-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  샤수닐 ,  팬디프래딥 ,  에릭슨마크

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B31/18 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67248

Abstract: 피처리체의 온도를 추정하여, 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 정확한 온도를 추정한다.
반응관(2)은 히터(31∼35)와, 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼Sout
5 )를 구비하고, 웨이퍼 보트(23)를 수용한다. 제어부(100)는 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼ Sout
5 )와 히터(31∼35)의 전력을 사용하여, 반응관(2)내의 히터(31∼35)에 대응하는 5개의 영역의 웨이퍼(W)의 온도와 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 온도를 추정한다. 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 추정 온도와 실측 온도와의 관계로부터, 영역별로 추정 온도와 실측 온도와의 관계를 나타내는 함수(f1∼f5)를 구한다. 함수(f1∼f5)에, 추정한 웨이퍼 온도를 대입하여, 추정 웨이퍼 온도를 교정한다. 교정된 웨이퍼 온도가 목표 온도 궤도에 수렴하도록, 히터(31∼35)에 공급하는 전력을 개별로 제어한다.

公开(公告)号：KR1020020021054A

公开(公告)日：2002-03-18

申请号：KR1020010056135

申请日：2001-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  샤수닐 ,  팬디프래딥 ,  에릭슨마크

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B31/18 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: To estimate an accurate temperature for a heat treatment equipment by estimating the temperature of a substance to be treated in order to perform the heat treatment of the substance. CONSTITUTION: A reactive pipe 2 is provided with heaters 31-35, temperature sensors Sin1-Sin5 and Sout1-Sout5 and houses a wafer boat 23. A control part 100 estimates the temperatures of wafers W of five zones corresponding to the heaters 31-35 of the pipe 2 and also the temperatures of sensors Sin1-Sin5 by means of the electric power of the sensors Sin1-Sin5, Sout1-Sout5 and the heaters 31-35. The functions f1-f5 showing the relation between the estimated temperature and actual temperature of every zone are calculated from the relation of estimated and actual temperatures among sensors Sin1-Sin5. The estimated wafer temperatures are substituted for the functions f1-f5 for correcting the wafer temperatures. The electric power supplied to the heaters 31-35 are individually controlled so that the corrected wafer temperatures are converged on a target temperature track.

Abstract translation: 目的：通过估计待处理物质的温度以进行物质的热处理来估计热处理设备的准确温度。 构成：反应管2设置有加热器31-35，温度传感器Sin1-Sin5和Sout1-Sout5并容纳晶片舟23.控制部件100估计对应于加热器31-35的五个区域的晶片W的温度 并且还通过传感器Sin1-Sin5，Sout1-Sout5和加热器31-35的电力传递Sin1-Sin5传感器的温度。 表示各区域的估计温度与实际温度之间的关系的函数f1-f5根据传感器Sin1-Sin5中估计温度与实际温度的关系计算。 估计的晶片温度代替用于校正晶片温度的功能f1-f5。 供给到加热器31-35的电力被单独控制，使得校正的晶片温度会聚在目标温度轨道上。