公开(公告)号：KR101617217B1

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020130002788

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시고로 ,  사이토타카노리 ,  왕웬링 ,  요시이코지 ,  야마구치타츠야

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC classification number: F27D19/00 ,  F27B17/0025 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: (과제) 외란에의해열처리장치내부의온도가바뀐경우에, 열처리장치내부의온도를신속하게리커버리시킬수 있는열처리장치를제공하는것이다. (해결수단) 피(被)처리체를수납하는처리실과, 상기처리실에수납된피처리체를가열하는가열부와, 상기처리실내의온도를검출하는온도검출부와, 상기온도검출부에의해검출된온도가, 외란에의해, 미리설정된제1 설정온도보다낮아진경우에, 상기온도검출부에의해검출된온도와동일한제2 설정온도를설정하고, 그리고, 상기제2 설정온도와상기제1 설정온도사이에있는제3 설정온도와, 상기온도검출부가검출한온도가동일해지도록상기가열부를제어하고, 그리고상기제3 설정온도와상기온도검출부가검출한온도가동일해진후에, 상기제1 설정온도와, 상기온도검출부가검출한온도가동일해지도록상기가열부를제어하는제어부를구비하는열처리장치.

公开(公告)号：KR1020130086162A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020130002788

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시고로 ,  사이토타카노리 ,  왕웬링 ,  요시이코지 ,  야마구치타츠야

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC classification number: F27D19/00 ,  F27B17/0025 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A thermal treatment apparatus and a control method thereof are provided to be able to rapidly recover the inner temperature of the thermal treatment apparatus in case that the inner temperature of the thermal treatment apparatus has changed. CONSTITUTION: A heating portion (52) heats a subject accepted in a treatment chamber (4). A temperature detection part detects the temperature inside the treatment chamber. A control unit (70) sets up a second pre-set temperature identical to the temperature detected by the temperature detection part in case that the temperature detected by the temperature detection part is lower than a first pre-set temperature. The control unit controls the heating portion so that a third pre-set temperature becomes identical to the temperature detected by the temperature detection part. The control unit controls the heating portion so that the first pre-set temperature becomes identical to the temperature detected by the temperature detection part. [Reference numerals] (AA) Exhaust

Abstract translation: 目的：提供一种热处理装置及其控制方法，以便能够在热处理装置的内部温度变化的情况下迅速恢复热处理装置的内部温度。 构成：加热部分（52）加热处理室（4）中接受的受试者。 温度检测部检测处理室内的温度。 在由温度检测部检测到的温度低于第一预设温度的情况下，控制单元（70）设定与由温度检测部检测出的温度相同的第二预设温度。 控制单元控制加热部，使得第三预设温度与由温度检测部检测到的温度相同。 控制单元控制加热部，使得第一预设温度与由温度检测部检测到的温度相同。 （附图标记）（AA）排气

公开(公告)号：KR1020120112131A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120031613

申请日：2012-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이코지 ,  야마구치타츠야 ,  왕웬링 ,  사이토타카노리

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G05D23/1931 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A heat treatment control system and a heat treatment control method are provided to rapidly and precisely perform thermal treatment for a processed object by controlling a heating part using the temperature of a processed object which is estimated by a temperature estimating part. CONSTITUTION: A heating portion(18A) is formed on an inner surface of a furnace body(5). A cover body(10) seals a lower opening of a treatment basin(3). The cover body is installed to be elevated by a lifting mechanism(13A). A temperature sensor(50) detects the temperature in the treatment basin. A temperature estimating part(51A) estimates the temperature of a processed object(W) based on a detection signal from the temperature sensor. [Reference numerals] (AA) From 80; (BB) From 81,82; (CC) From 83

Abstract translation: 目的：提供热处理控制系统和热处理控制方法，通过使用由温度估计部估计的加工对象的温度来控制加热部，对被处理物进行快速且精确地进行热处理。 构成：在炉体（5）的内表面上形成加热部（18A）。 盖体（10）密封处理池（3）的下部开口。 盖主体安装成由提升机构（13A）升高。 温度传感器（50）检测处理池中的温度。 温度推定部（51A）基于来自温度传感器的检测信号来估计被处理物体（W）的温度。 （标号）（AA）80; （BB）81,82; （CC）从83

公开(公告)号：KR1020110110077A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020110083204

申请日：2011-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고야마노리아끼 ,  오바따미노루 ,  왕웬링

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/0221 ,  G05B2219/32184 ,  G05B2219/32192 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: 종래의 정보 처리 장치에 있어서는, 다른 설정치로 행해진 처리에 관해서 각각 반도체 제조 장치 등으로부터 취득되는 값을, 용이하게 감시하는 것이 곤란했다.
반도체를 포함하는 처리 대상물에, 처리 조건을 설정하는 값인 설정치에 따른 처리를 행하는 반도체 제조 장치(200)의, 처리 시의 상태에 관해서 취득한 값인 취득치를 처리하는 정보 처리 장치(100)이며, 설정치를 접수하는 설정치 접수부(101)와, 취득치를 접수하는 상태치 접수부(102)와, 설정치와 취득치와의 관계를 나타내는 함수인 보정 함수에 따라서, 취득치의 보정량을 산출하는 보정량 산출부(103)와, 상태치 접수부(102)가 접수한 취득치를, 보정량 산출부(103)가 산출한 보정량을 이용해서 보정하는 보정부(104)와, 보정부(104)가 보정한 결과를 출력하는 출력부(105)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100720775B1

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：KR1020037001075

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: The invention is a method of determining a set temperature profile for a method of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective corresponding set temperature profiles, in a method of heat processing a plurality of substrates that are classified into the plurality of groups. The invention includes a first heat processing step of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective predetermined provisional set temperature profiles for first-batch substrates that are classified into the plurality of groups, and of introducing a process gas to conduct a heat process to form films on the substrates; a first film-thickness measuring step of measuring a thickness of the films formed on the substrates; and a first set-temperature-profile amending step of respectively amending the provisional set temperature profiles based on the measured thickness, in such a manner that a thickness of films formed during a heat process is substantially the same between the plurality of groups. In the first heat processing step, the provisional set temperature profiles are profiles whose set temperatures change as time passes.

公开(公告)号：KR100676543B1

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020010056135

申请日：2001-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  샤수닐 ,  팬디프래딥 ,  에릭슨마크

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B31/18 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67248

Abstract: 피처리체의 온도를 추정하여, 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 정확한 온도를 추정한다.
반응관(2)은 히터(31∼35)와, 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼Sout
5 )를 구비하고, 웨이퍼 보트(23)를 수용한다. 제어부(100)는 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼ Sout
5 )와 히터(31∼35)의 전력을 사용하여, 반응관(2)내의 히터(31∼35)에 대응하는 5개의 영역의 웨이퍼(W)의 온도와 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 온도를 추정한다. 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 추정 온도와 실측 온도와의 관계로부터, 영역별로 추정 온도와 실측 온도와의 관계를 나타내는 함수(f1∼f5)를 구한다. 함수(f1∼f5)에, 추정한 웨이퍼 온도를 대입하여, 추정 웨이퍼 온도를 교정한다. 교정된 웨이퍼 온도가 목표 온도 궤도에 수렴하도록, 히터(31∼35)에 공급하는 전력을 개별로 제어한다.

公开(公告)号：KR1020030022311A

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020037001075

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.

Abstract translation: 本发明是一种确定设定温度分布图的方法，该设定温度分布图用于根据各自对应的设定温度分布图控制多个组的相应基板温度的方法，其中在对多个基板进行热处理的方法中，所述多个基板被分类为多个 组。 本发明包括：第一热处理步骤，根据被分类为多个组的第一批基板的各个预定的临时设定温度曲线，控制多个组的各个基板温度;以及引入处理气体以进行处理 热处理以在衬底上形成膜; 测量在基板上形成的膜的厚度的第一膜厚度测量步骤; 以及第一设定温度曲线修正步骤，其基于所测量的厚度分别修改所述临时设定温度曲线，使得在加热过程中形成的膜的厚度在所述多个组之间基本相同。 在第一热处理步骤中，临时设定温度曲线是其设定温度随时间变化的曲线。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR101482039B1

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR1020120033824

申请日：2012-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이코지 ,  야마구치타츠야 ,  왕웬링 ,  사이토타카노리

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 웨이퍼의 로드시에 있어서, 웨이퍼 온도를 확실하게 추정하여 웨이퍼에 대하여 신속한 열처리를 행한다.
열처리 장치(1)는, 보트(12)에 보유지지(holding)된 웨이퍼(w)를 처리하는 처리 용기(5)와, 처리 용기(5)를 가열하는 히터(3)와, 히터(3)로의 출력을 제어하는 제어부(35)를 구비하고 있다. 히터(3)와 처리 용기(5)와의 사이에 제1 온도 센서가 설치되고, 처리 용기(5) 내에 제2 온도 센서가 설치되고, 보트(12)와 함께 처리 용기(5) 내에 출납되는 제3 온도 센서가 설치되어 있다. 이들 온도 센서는 온도 예측부(34)에 접속되고, 온도 예측부(34)는, 어느 2개의 온도 센서, 예를 들면 제2 온도 센서 및 제3 온도 센서를 선택하여, 선택된 온도 센서로부터의 검출 온도를 각각 T
1 , T
2 로 했을 때, T＝T
1 ×(1－α)＋T
2 ×α, α＞1에 의해 웨이퍼 온도 T를 구한다.

公开(公告)号：KR1020130089586A

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020130002791

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시고로 ,  가사이타카히토 ,  사이토타카노리 ,  왕웬링 ,  요시이코지 ,  야마구치타츠야

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC classification number: G05B19/418 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A heat processing apparatus and a controlling method thereof are provided to prevent the overshoot of a temperature by including a step of selecting a temperature control model. CONSTITUTION: A processing chamber receives an object. A heating unit heats the object. A memory unit memorizes two or more temperature control models. A temperature control unit (36) controls the temperature of the heating unit. A device control unit (100) controls the temperature control unit and the memory unit. [Reference numerals] (111,121) Model memory unit; (112) Recipe memory unit; (115,125) I/O port; (118) Operating panel; (28) Pressure control unit; (AA) Mass flow controller

Abstract translation: 目的：提供一种热处理装置及其控制方法，用于通过包括选择温度控制模型的步骤来防止温度过冲。 构成：处理室接收物体。 加热单元加热物体。 存储单元记忆两个或多个温度控制模型。 温度控制单元（36）控制加热单元的温度。 设备控制单元（100）控制温度控制单元和存储器单元。 （附图标记）（111,121）型号存储单元; （112）配方存储单元; （115,125）I / O口; （118）操作面板; （28）压力控制单元; （AA）质量流量控制器

公开(公告)号：KR1020130029009A

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：KR1020120094300

申请日：2012-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이코지 ,  야마구치타츠야 ,  왕웬링 ,  사이토타카노리

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/463 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757

Abstract: PURPOSE: A thermal treatment apparatus, a temperature control system, a thermal treatment method, a temperature control method, and a readable medium having a program for executing the thermal treatment method or the temperature control method are provided to save power consumption. CONSTITUTION: A substrate holding part(44) supports substrates at regular intervals. The substrates are arranged in a process chamber(65). A heating part(63) heats the process chamber. A feeding part(91) supplies gas. A cooling part(90) cools the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供具有执行热处理方法或温度控制方法的程序的热处理装置，温度控制系统，热处理方法，温度控制方法和可读介质，以节省功耗。 构成：基板保持部（44）以规则的间隔支撑基板。 基板布置在处理室（65）中。 加热部件（63）加热处理室。 供给部（91）供给气体。 冷却部件（90）冷却处理室。