公开(公告)号：KR100720775B1

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：KR1020037001075

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: The invention is a method of determining a set temperature profile for a method of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective corresponding set temperature profiles, in a method of heat processing a plurality of substrates that are classified into the plurality of groups. The invention includes a first heat processing step of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective predetermined provisional set temperature profiles for first-batch substrates that are classified into the plurality of groups, and of introducing a process gas to conduct a heat process to form films on the substrates; a first film-thickness measuring step of measuring a thickness of the films formed on the substrates; and a first set-temperature-profile amending step of respectively amending the provisional set temperature profiles based on the measured thickness, in such a manner that a thickness of films formed during a heat process is substantially the same between the plurality of groups. In the first heat processing step, the provisional set temperature profiles are profiles whose set temperatures change as time passes.

公开(公告)号：KR100676543B1

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020010056135

申请日：2001-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  샤수닐 ,  팬디프래딥 ,  에릭슨마크

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B31/18 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67248

Abstract: 피처리체의 온도를 추정하여, 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 정확한 온도를 추정한다.
반응관(2)은 히터(31∼35)와, 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼Sout
5 )를 구비하고, 웨이퍼 보트(23)를 수용한다. 제어부(100)는 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼ Sout
5 )와 히터(31∼35)의 전력을 사용하여, 반응관(2)내의 히터(31∼35)에 대응하는 5개의 영역의 웨이퍼(W)의 온도와 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 온도를 추정한다. 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 추정 온도와 실측 온도와의 관계로부터, 영역별로 추정 온도와 실측 온도와의 관계를 나타내는 함수(f1∼f5)를 구한다. 함수(f1∼f5)에, 추정한 웨이퍼 온도를 대입하여, 추정 웨이퍼 온도를 교정한다. 교정된 웨이퍼 온도가 목표 온도 궤도에 수렴하도록, 히터(31∼35)에 공급하는 전력을 개별로 제어한다.

公开(公告)号：KR1020030022311A

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020037001075

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.

Abstract translation: 本发明是一种确定设定温度分布图的方法，该设定温度分布图用于根据各自对应的设定温度分布图控制多个组的相应基板温度的方法，其中在对多个基板进行热处理的方法中，所述多个基板被分类为多个 组。 本发明包括：第一热处理步骤，根据被分类为多个组的第一批基板的各个预定的临时设定温度曲线，控制多个组的各个基板温度;以及引入处理气体以进行处理 热处理以在衬底上形成膜; 测量在基板上形成的膜的厚度的第一膜厚度测量步骤; 以及第一设定温度曲线修正步骤，其基于所测量的厚度分别修改所述临时设定温度曲线，使得在加热过程中形成的膜的厚度在所述多个组之间基本相同。 在第一热处理步骤中，临时设定温度曲线是其设定温度随时间变化的曲线。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020060114042A

公开(公告)日：2006-11-03

申请号：KR1020067021366

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: A method of controlling a substrate temperature according to a corresponding set temperature profile for each group and a method of determining the set temperature profile for the control in a method of heat treating a plurality of substrates classified into a plurality of groups, comprising the first heat treatment step of controlling the substrate temperature for each group according to a specified temporary set temperature file for first batch substrates classified into a plurality of groups and leading treatment gas for heat treatment so as to form a film on the substrates, a first film thickness measurement step of measuring the film thickness of the films formed on the substrates, and a first set temperature profile correction step of correcting the temporary set temperature profile based on the measured film thickness so that the film thicknesses formed during heat treatment are generally equal to each other between the groups, wherein, in the first heat treatment step, the temporary set temperature profile is a profile having the set temperatures varying with the elapse of time.

Abstract translation: 根据各组的对应设定温度曲线来控制衬底温度的方法以及在分类为多个组的多个衬底的热处理方法中确定用于控制的设定温度曲线的方法，所述方法包括第一热 处理步骤，根据分类为多个组的第一批次基板的特定临时设定温度文件和用于热处理的前导处理气体，以在基板上形成膜，根据指定的临时设定温度文件控制基板温度，第一膜厚度测量 测量形成在基板上的膜的膜厚度的步骤，以及基于测量的膜厚度校正临时设定温度分布的第一设定温度曲线校正步骤，使得在热处理期间形成的膜厚度彼此相等 在所述组之间，其中，在所述第一热处理步骤中， 轮廓设定温度曲线是具有随着时间的流逝而变化的设定温度的轮廓。

公开(公告)号：KR100615763B1

公开(公告)日：2006-08-25

申请号：KR1020000050637

申请日：2000-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키후지오 ,  사카모토코이치 ,  왕웬링 ,  야스하라모유루 ,  팬디프라디프 ,  샤선일

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C30B25/10 ,  C30B31/12 ,  F27D19/00 ,  H01L21/67248

Abstract: 참조용의 제 1 종형 열처리 장치(1A)에 의한 열처리 결과에 근거하여 제 2 종형 열처리 장치(1B)의 온도 교정을 실행한다. 우선, 제 1 장치(1A)에 있어서, 온도 측정용 웨이퍼(MW)를 히터(47 내지 49)에 의해 가열하여, 측정 온도를 온도 목표값에 수렴시키기 위한 온도 제어기(51 내지 53)의 온도 설정값을 구한다. 다음에 제 1 장치(1A)에 있어서, 이들의 온도 설정값을 사용하여, 열처리용의 웨이퍼(W)를 산화 처리하여, 산화막을 형성한다. 그리고, 이 산화막의 두께를 측정하여, 이것을 기준 막두께로서 기록한다. 다음에 제 2 장치(1B)에 있어서, 온도 목표값 근방에서 열처리용의 웨이퍼(W)를 산화 처리하여, 산화막을 형성한다. 그리고 이 산화막의 두께를 측정하여, 기준 막두께와의 막두께 차를 구한다. 제 2 장치(1B)에 있어서의 산화 처리를 반복하여, 막두께 차가 "0"으로 될 때의 제 2 장치(1B)의 온도 제어기(51 내지 53)의 온도 설정값을 구한다. 이와 같이 하여 얻어진 온도 설정값에 근거하여, 제 2 장치(1B)의 온도 교정을 실행한다.

公开(公告)号：KR1020010110291A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020017002823

申请日：2001-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키후지오 ,  사카모토고이치 ,  왕웬링 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/205

Abstract: 이중관구조의 반응관(1) 내의 웨이퍼보트(11)에 복수의 웨이퍼(W)를 선반형태로 얹어 놓고, 이들 반응관(1) 내의 각 존(6a,6b,6c)을 히터(4)의 가열부(4a,4b, 4c)에 의해 제 1 프로세스온도, 예를 들면 770℃까지 가열한다. 이어서 각 존(6a, 6b,6c)을 제 1 프로세스온도보다 낮은 제 2 프로세스온도, 예를 들면 750℃까지 온도를 하강시키면서 성막가스를 도입하여 성막을 행한다.
각 존(6a,6b,6c)을 제 1 프로세스온도까지 온도를 상승시키는 공정과, 제 2 프로세스온도까지 온도를 하강시키면서 성막가스를 도입하는 공정을 반복하여 행하면, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부의 온도가 중심부보다 낮은 상태에서 성막처리가 이루어져서, 웨이퍼(W)에 성막되는 막의 막두께의 균일성이 좋아진다.
또한 각 존(6a,6b,6c)에 있어서의 온도하강비율을 존마다 개별로 설정함으로써, 각 존에 있어서의 최적화된 성막처리를 달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100757552B1

公开(公告)日：2007-09-10

申请号：KR1020067021366

申请日：2001-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/935

Abstract: 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.

公开(公告)号：KR1020050118277A

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：KR1020057016567

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야쯔가께야스오 ,  가또오히또시 ,  야스하라모유루 ,  이리에다까시

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94

Abstract: A system for automatically checking a semiconductor manufacturing apparatus on the basis of the result of checking a substrate such as a semiconductor wafer for a particle. In a preferred embodiment, the surface of a wafer is divided into small regions of about 0.1 to 0.5 mm square so as to check each region for a particle. On the basis of the result of the checking, the presence/absence of a particle in each small region is related to the address of the small region, and the data on the presence/absence is created. The surface of the wafer is also divided into tens to hundreds of large evaluation regions. The number of small regions which are included in each evaluation region and in which a particle or particles are detected is compared with a predetermined reference number. According to the result of the comparison, binary data representing the particle adhesion state is given to each evaluation region. A correspondence table showing the relation between the distribution of binary data previously created on an empirical rule or experimentally and the particle adhesion factors is prepared. By referencing the correspondence table for the binary data created by the checking, the particle adhesion factor is identified.

Abstract translation: 基于对诸如用于颗粒的半导体晶片的衬底进行检查的结果来自动检查半导体制造装置的系统。 在优选实施例中，将晶片的表面分成约0.1至0.5mm正方形的小区域，以便检查每个区域的颗粒。 基于检查结果，每个小区域中的粒子的存在/不存在与小区域的地址有关，并且创建有关/不存在的数据。 晶片的表面也分为数十到数百个大的评估区域。 将包括在每个评估区域中并且其中检测到颗粒或颗粒的小区域的数量与预定的参考数字进行比较。 根据比较结果，给出了表示粒子附着状态的二值数据给每个评价区域。 准备表示先前根据经验规则或实验产生的二进制数据的分布与颗粒粘附因子之间的关系的对应表。 通过参考由检查产生的二进制数据的对应表，识别颗粒粘附因子。

公开(公告)号：KR1020020021054A

公开(公告)日：2002-03-18

申请号：KR1020010056135

申请日：2001-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 왕웬링 ,  사카모토고이치 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  샤수닐 ,  팬디프래딥 ,  에릭슨마크

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B31/18 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: To estimate an accurate temperature for a heat treatment equipment by estimating the temperature of a substance to be treated in order to perform the heat treatment of the substance. CONSTITUTION: A reactive pipe 2 is provided with heaters 31-35, temperature sensors Sin1-Sin5 and Sout1-Sout5 and houses a wafer boat 23. A control part 100 estimates the temperatures of wafers W of five zones corresponding to the heaters 31-35 of the pipe 2 and also the temperatures of sensors Sin1-Sin5 by means of the electric power of the sensors Sin1-Sin5, Sout1-Sout5 and the heaters 31-35. The functions f1-f5 showing the relation between the estimated temperature and actual temperature of every zone are calculated from the relation of estimated and actual temperatures among sensors Sin1-Sin5. The estimated wafer temperatures are substituted for the functions f1-f5 for correcting the wafer temperatures. The electric power supplied to the heaters 31-35 are individually controlled so that the corrected wafer temperatures are converged on a target temperature track.

Abstract translation: 目的：通过估计待处理物质的温度以进行物质的热处理来估计热处理设备的准确温度。 构成：反应管2设置有加热器31-35，温度传感器Sin1-Sin5和Sout1-Sout5并容纳晶片舟23.控制部件100估计对应于加热器31-35的五个区域的晶片W的温度 并且还通过传感器Sin1-Sin5，Sout1-Sout5和加热器31-35的电力传递Sin1-Sin5传感器的温度。 表示各区域的估计温度与实际温度之间的关系的函数f1-f5根据传感器Sin1-Sin5中估计温度与实际温度的关系计算。 估计的晶片温度代替用于校正晶片温度的功能f1-f5。 供给到加热器31-35的电力被单独控制，使得校正的晶片温度会聚在目标温度轨道上。

公开(公告)号：KR100713288B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020010051377

申请日：2001-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토고이치 ,  왕웬링 ,  스즈키후지오 ,  야스하라모유루 ,  스즈키게이스케

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 피처리체에 제 1 열처리 및 제 2 열처리를 수행하는 열처리 장치에 있어서의 설정 온도 궤적을 결정하는 방법에 관한 것이다.
이 방법은 제 1 열처리 공정을 임시의 제 1 설정 온도 궤적을 사용하여 제 1 시험 피처리체에 수행하는 단계, 상기 제 1 시험 피처리체에 수행된 상기 제 1 열처리 공정의 결과를 측정하는 단계, 및 상기 제 1 열처리 공정의 측정 결과에 기초하여 상기 임시의 제 1 설정 온도 궤적을 수정함으로써, 상기 제 1 열처리 공정에서의 제 1 설정 온도 궤적을 결정하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은, 상기 제 2 열처리 공정을 임시의 제 2 설정 온도 궤적을 이용하여, 상기 제 1 열처리 공정이 상기 결정된 제 1 설정 온도 궤적을 이용하여 수행되어진 제 2 시험 피처리체에 수행하는 단계, 상기 제 2 시험 피처리체에 수행된 상기 제 1 열처리 공정 및 상기 제 2 열처리 공정의 결과를 측정하는 단계, 및 상기 제 1 열처리 공정 및 상기 제 2 열처리 공정의 측정 결과에 기초하여 상기 임시의 제 2 설정 온도 궤적을 수정함으로써, 상기 제 2 열처리 공정에서의 제 2 설정 온도 궤적을 결정하는 단계를 포함한다.