公开(公告)号：KR1019990077287A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705433

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  나이토요코 ,  엔도슈니치 ,  사이토마사히데 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

Abstract: 예컨대 플라즈마 처리장치에 있어서, 압력 0.2Pa, 마이크로파전력 2.7kW, 고주파전력 1.5kW, 웨이퍼온도 350℃의 조건하에, 성막가스로서 C
4 F
8 가스 및 C
2 H
4 가스를 각각 60sccm 및 30sccm의 유량으로 도입한다. 동시에 플라즈마 가스를 150sccm의 유량으로 도입하고, 실리콘기판(11)상에 F의 함유량이 예컨대 22%의 CF막(13)을 성막한다. 이러한 CF막(13)에서는 비유전률이 2.4로 된다.

公开(公告)号：KR1019990077239A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705381

申请日：1997-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  이시즈카슈이치 ,  엔도슈니치 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 불소첨가 카본막(이하, "CF막"이라 칭함)을 이용한 층간절연막의 실용화를 도모하기 위하여 CF막의 공정을 가능하게 하는 것이다.
이를 위해 본 발명에서는 CF막(4)상에 도전막, 예컨대 TiN막(41)을 형성하고, 그 위에 레지스트막(42)의 패턴을 형성한 다음, 예컨대 BCl
3 가스에 의해 TiN막(41)을 에칭한다. 그 다음, O
2 플라즈마를 웨이퍼 표면에 조사하면, CF막(4)을 화학에칭함과 더불어 레지스트막(42)도 에칭하지만, TiN막(41)이 마스크의 역할을 수행하기 때문에, 예정하는 홀을 형성할 수 있다. CF막(4)의 표면은 알루미늄 등에 의해서 배선이 형성되는데, TiN막(41)은 배선과 CF막(4)의 밀착층의 역할을 수행하고, 또한 배선의 일부로 된다. 마스크로서는 도전막 대신에 SiO
2 등의 절연막을 이용하여도 된다.

公开(公告)号：KR100563610B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1019980705381

申请日：1997-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  이시즈카슈이치 ,  엔도슈니치 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은, 불소첨가 카본막(이하, "CF막"이라 칭함)을 이용한 층간절연막의 실용화를 도모하기 위하여 CF막의 공정을 가능하게 하는 것이다.
이를 위해 본 발명에서는, CF막(4)상에 도전막, 예컨대 TiN막(41)을 형성하고, 그 위에 레지스트막(42)의 패턴을 형성한 다음, 예컨대 BCl
3 가스에 의해 TiN막(41)을 에칭한다. 그 후, O
2 플라즈마를 웨이퍼 표면에 조사하면, CF막(4)을 화학에 칭함과 더불어 레지스트막(42)도 에칭하게 되는데, TiN막(41)이 마스크의 역할을 하기 때문에, 예정하는 홀을 형성할 수 있게 된다. CF막(4)의 표면에는 알루미늄 등에 의해 배선이 형성되는데, TiN막(41)이 배선과 CF막(4)의 밀착층의 역할을 하고, 또한 배선의 일부로 된다. 마스크로서는 도전막 대신 SiO
2 등의 절연막을 이용해도 좋다.

公开(公告)号：KR100427508B1

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1019980705433

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  나이토요코 ,  엔도슈니치 ,  사이토마사히데 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/029 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856

Abstract: For example, in a plasma processing system, C4F8 gas and C2H4 gas are introduced as film-forming gases at flow rates of 60 sccm and 30 sccm, respectively, under the conditions of a pressure of 0.2 Pa, a microwave power of 2.7 kW, a radiofrequency power of 1.5 kW, and a wafer temperature of 350° C. At the same time, a plasma gas is also introduced at a flow rate of 150 sccm to form CF film 13 having an F content of, for example, 22% on silicon substrate 11. This CF film 13 has a relative dielectric constant of 2.4.

Abstract translation: 例如，在等离子体处理系统中，在压力为0.2Pa，微波功率为2.7kW，压力为0.2kPa，流量为60sccm和30sccm的条件下，将C4F8气体和C2H4气体作为成膜气体引入， 1.5kW的射频功率和350℃的晶片温度; 同时，还以150sccm的流量引入等离子体气体，以在硅衬底11上形成F含量例如为22％的CF膜13.该CF膜13的相对介电常数 2.4。

公开(公告)号：KR1019990077209A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705351

申请日：1997-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  도자와마사키 ,  나이토요코 ,  나카세리사 ,  요코야마오사무 ,  이시즈카슈이치 ,  엔도슈니치 ,  사이토마사히데 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

Abstract: 본 발명에서는, 플라즈마 처리장치의 플라즈마실내에, 마이크로파를 도입함과 더불어 자계를 인가하여, 전자 사이클로트론 공명에 의해 플라즈마생성용 가스를 플라즈마화한다. 이 플라즈마를 플라즈마 처리장치의 성막실내로 도입하고, 탄소 및 불소의 화합물가스 혹은 탄소, 불소 및 수소의 화합물가스와, 탄화수소가스를 포함하는 성막가스를 플라즈마화한다. 그리고 이 플라즈마화된 성막가스에 의해 불소첨가 카본막으로 이루어진 절연막을 성막한다.