公开(公告)号：KR102022762B1

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

公开(公告)号：KR101941766B1

公开(公告)日：2019-01-23

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR1020170070852A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/34 ,  H01L21/6833 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

Abstract: 플라즈마처리시의척력(흡착력)을충분히얻을수 있고, 잔류전하를적게해서파티클의발생량도억제하는것이가능한플라즈마처리방법을제공한다. 탑재대의상면에마련한정전척에피처리체를흡착시킨상태에서피처리체에대하여플라즈마처리를실시하도록한 플라즈마처리방법에있어서, 정전척에인가전압으로서제 1 전압을인가하여피처리체를흡착함과함께정전척과피처리체와의사이에열전도가스를공급한상태에서플라즈마처리를실시하는플라즈마처리공정과, 플라즈마처리공정의종료시에열전도가스의공급을정지하여정전척과기피처리체와의사이에잔류하는열전도가스를배기시키면서인가전압을저하시키도록한 인가전압저하공정과, 인가전압저하공정후에, 정전척으로의인가전압을제로로해서피처리체를정전척으로부터이탈시키도록한 이탈공정을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，其能够充分地获得等离子体处理时的排斥力（吸附力），并且通过减少残留电荷量来减少残留颗粒的量。 一种等离子体处理方法，其中待处理物体在待处理物体被吸附在设置在载置台的上表面上的静电吸盘中的同时经受等离子体处理， 为在卡盘和工件之间所提供的热传导性气体hansangtae进行等离子体处理静电等离子体处理步骤，以停止所述传热气体的供给在等离子体处理过程结束排出静电卡盘之间，以及防水处理构件之间保留的传热气体 在施加电压降低步骤之后，通过将施加到静电吸盘的电压设定为零，从静电吸盘释放待处理物体的释放步骤。

公开(公告)号：KR101052156B1

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：KR1020097020116

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  요코야마오사무 ,  다나카도시마사 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명은, 원료 용기내의 고체 원료를 가열하여 기화시킨 원료 가스를 소비 구역에 공급하는 가스 공급 방법에 있어서, 소비 구역에 연통하는 처리가스 공급로에 캐리어 가스를 통류시키는 동시에, 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(a)과, 상기 원료 용기내의 고체원료를 가열하여, 원료 가스를 발생시키는 공정(b)과, 상기 공정(a)과 동일한 유량의 캐리어 가스를 상기 원료 용기내에 공급하여, 이 캐리어 가스와 함께 상기 원료 가스를 상기 처리가스 공급로에 통류시키면서 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(c)과, 상기 공정(a)에서 취득한 압력 측정값과, 상기 공정(c)에서 취득한 압력 측정값과, 캐리어 가스의 유량에 근거하여, 상기 원료 가스의 유량을 연산하는 공정(d)을 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 � �법이다.

公开(公告)号：KR101347430B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020127006748

申请日：2010-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  이시자카다다히로 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120135913A

公开(公告)日：2012-12-17

申请号：KR1020127027053

申请日：2011-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  룰란조나단 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라 ,  하타노다츠오 ,  가와사키히로아키

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C14/025 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 오목부를 갖는 피처리체의 표면에 오목부를 매립하도록 박막을 형성하는 박막의 형성 방법으로서, 상기 오목부를 포함하는 상기 피처리체의 표면에 매립용의 금속막을 형성해서 상기 오목부를 매립하는 공정과, 상기 금속막을 덮도록 해서 상기 피처리체의 표면의 전면(全面)에 확산 방지용의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 확산 방지용의 금속막이 형성된 상기 피처리체를 어닐하는 공정을 포함하는 박막의 형성 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120040749A

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020127006748

申请日：2010-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  이시자카다다히로 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR100987835B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：KR1020087021309

申请日：2007-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 오버행 부분을 생기게 하지 않고 시드막을 형성할 수 있는 시드막의 성막 방법을 제공하는 것에 있다. 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기(24) 내에서 플라즈마에 의해 금속 타겟(70)을 이온화시켜 금속 이온을 발생시키고, 금속 이온을 처리 용기 내의 탑재대(34) 상에 탑재한 표면에 오목부(4)를 갖는 피처리체에 바이어스 전력에 의해 인입하여 오목부 내를 포함하는 피처리체의 표면에 금속막을 형성하는 것에 의해 도금용의 시드막을 형성하도록 한 시드막의 성막 방법에 있어서, 바이어스 전력을, 피처리체의 표면에 일단 형성된 금속막이 스퍼터링되지 않는 크기로 설정하여 금속막을 형성하는 성막 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않고 금속막의 형성을 휴지하는 휴지 공정을 교대로 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020080094088A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020087021309

申请日：2007-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: This invention provides a method for seed film formation that can form a seed film without forming any overhung part. A metal target (70) is ionized by plasma within a vacuum drawable treatment vessel (24) to generate metal ions. The metal ions are drawn by bias electric power into an object, to be treated, having on its surface a recess (4) mounted on a mount table (34) within the treatment vessel to form a metal film on the surface of the object including the inside of the recess and thus to form a seed film for plating. In this method, a film forming step of forming a metal film at a bias electric power set so that a metal film, which has been once formed on the surface of the object, is not sputtered, and an idle step of not generating any metal ion to halt the formation of a metal film are alternately repeated a plurality of times.

Abstract translation: 本发明提供了可以形成种子膜而不形成任何悬垂部分的种子膜形成方法。 金属靶（70）通过真空拉伸处理容器（24）内的等离子体离子化，以产生金属离子。 金属离子通过偏置电力被拉入待处理的物体中，在其表面上具有安装在处理容器内的安装台（34）上的凹部（4），以在物体的表面上形成金属膜，包括： 从而形成用于电镀的种子膜。 在该方法中，在不形成金属膜的偏置电力的情况下形成金属膜，使得一旦形成在物体的表面上的金属膜不被溅射，并且没有产生任何金属的空闲步骤 离子以停止金属膜的形成交替重复多次。

公开(公告)号：KR1020080090559A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: Provided is a technology of embedding a recessed section formed on the surface of a subject to be processed, such as a semiconductor wafer (W), especially a fine hole or a trench having a diameter or a width of 100nm or less, only by plasma sputtering, with a metal, especially copper. A film forming step of depositing a small quantity metal film in the recessed section and a diffusion step of moving the deposited metal film toward the bottom section of the recessed section are alternately performed plurality of times. In the film forming step, bias power to be applied to a placing table for supporting the wafer (W) is set so that on the surface of the wafer (W), the deposition rate of the metal deposition generated due to metal particle drawing is substantially balanced with the etching rate of sputter etching generated by plasma. In the diffusion step, the wafer (W) is maintained at a temperature which permits surface diffusion of the metal film deposited in the recessed section to be generated.

Abstract translation: 本发明提供一种将半导体晶片（W），特别是具有直径或宽度为100nm以下的细孔或沟槽的半导体晶片（W）的表面上形成的凹部嵌入仅通过等离子体 用金属，特别是铜溅射。 在凹部中沉积少量金属膜的成膜步骤和使沉积的金属膜向凹部的底部移动的扩散步骤交替进行多次。 在成膜步骤中，设置施加到用于支撑晶片（W）的放置台的偏置功率，使得在晶片（W）的表面上，由于金属粒子绘制而产生的金属沉积物的沉积速率为 基本上与由等离子体产生的溅射蚀刻的蚀刻速率平衡。 在扩散步骤中，晶片（W）保持在允许沉积在凹部中的金属膜的表面扩散以产生的温度。