公开(公告)号：KR100572909B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020037013436

申请日：2002-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시우라츠토무 ,  아카호리다카시 ,  가와카미사토루 ,  이와마노부히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183

Abstract: 상부 전극(15a) 및 하부 전극(15b)은 평행식으로 챔버(2)내에 설치된다. 이러한 전극 사이에서, 상부 전극(15a)은 전기적으로 접지된다. 하부 전극(15b)은 로우-패스 필터(14)를 거쳐 제 1 무선 주파수 발전기(13)에 그리고 하이-패스 필터(23)를 거쳐 제 2 무선 주파수 발전기(22)에 연결된다. 웨이퍼(W)는 고온 정전 척(ESC)에 의해 하부 전극(15b)의 상부에 대해 보유된다. 무선 주파수 발전기(13, 22) 각각으로부터 제 1 및 제 2 무선 주파수 전력이 분배됨으로써, 플라즈마는 하부 전극(15b) 근방에서 생성되고, 웨이퍼(W)는 플라즈마에 의해 처리된다. 이러한 절차에 의해, 높은 플라즈마 처리 효율 및 단순한 구조를 갖는 플라즈마 처리 장치가 제공될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990077238A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705380

申请日：1997-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  나카세리사 ,  오카신스케

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 행함에 있어, 파티클 오염을 절감할 수 있는 플라즈마 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 예컨대, 전자사이클로트론공명을 이용하여 플라즈마를 발생시켜 SiOF 등의 박막을 형성하는 경우, 웨이퍼와 플라즈마 사이에, 예컨대 수 mm 두께의 시스영역이 형성되고, 시스영역과 플라즈마의 경계영역에 파티클이 트랩된다. 여기서, 성막처리 후에 마이크로파 전력을 갑자기 0으로 하지 않고, 예컨대 1kw 정도의 작은 값으로 하여, 예컨대 10초 정도 유지한다. 이와 같이 하면 플라즈마 밀도가 작아지게 되어 시스영역이 두껍게 되므로 파티클이 웨이퍼 표면에서 떨어지고, 그 후 마이크로파 전력을 끊을 때에 파티클이 자유롭게 움직여도 웨이퍼에 부착하는 확률이 적어지게 된다.

公开(公告)号：KR100397314B1

公开(公告)日：2003-09-06

申请号：KR1020007012346

申请日：1999-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Insulating films 21 through 24 of CF films (fluorine-contained carbon films) are formed on a substrate (not shown). In addition, Cu wiring layers 25 and 26 are formed on the CF films 21 and 23 via an adhesion layer 29 which comprises a Ti layer and a TiC layer. By forming the insulating films 21 through 24 of CF films, Cu in the wiring layers is prevented from diffusing into the insulating films 21 through 24. The relative dielectric constant of the CF film is smaller than the relative dielectric constant of a BCB film.

Abstract translation: 在基板（未图示）上形成CF膜（含氟碳膜）的绝缘膜21〜24。 此外，Cu布线层25和26经由包括Ti层和TiC层的粘合层29形成在CF膜21和23上。 通过形成CF膜的绝缘膜21至24，防止布线层中的Cu扩散到绝缘膜21至24中.CF膜的相对介电常数小于BCB膜的相对介电常数。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100379308B1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：KR1020007007544

申请日：1999-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76843

Abstract: A semiconductor device has a dielectric film made of a fluorine-added carbon film formed on a substrate, a metallic layer formed on the fluorine-added carbon film and an adhesive layer formed between the dielectric film and the metallic layer. The adhesive layer is made of a compound layer having carbon and the metal (or metal the same as the metal included in the metallic layer), to protect the metallic layer from being peeled-off from the fluorine-added carbon film.

Abstract translation: 半导体器件具有在衬底上形成的由加氟碳膜制成的介电膜，在加氟碳膜上形成的金属层以及在介电膜和金属层之间形成的粘合剂层。 粘合剂层由具有碳和金属（或与金属层中包含的金属相同的金属）的化合物层构成，以防止金属层从添加氟的碳膜剥离。

公开(公告)号：KR1020010041608A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007009805

申请日：1999-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  오카신스케 ,  나카세리사 ,  아오키다케시 ,  아카호리다카시

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리 가스를 처리실(22)로 도입시키는 복수개의 처리 가스 구멍(55)을 구비하는 처리 가스 공급부(5)와 면에 대해 비스듬히 교차하는 축선(A)을 갖는 처리 가스 공급부(5)로 이루어진 플라즈마 처리 장치는 소정의 θ각도에서 적재대(4) 상에 얹힌 기판(W)의 피처리 면을 포함하고, 처리 가스 도입 구멍(55)의 축선은 기판(W)의 피처리 면의 중심(C)에 대해 법선(B)이 되며, 상기 피처리 면에서 소정의 거리 L만큼 플라즈마실(21)로 향하는 이격된 위치에서 서로 교차하므로 기판(W)상의 처리 가스 분포도가 균일해 진다.

公开(公告)号：KR1019990077287A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705433

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  나이토요코 ,  엔도슈니치 ,  사이토마사히데 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

Abstract: 예컨대 플라즈마 처리장치에 있어서, 압력 0.2Pa, 마이크로파전력 2.7kW, 고주파전력 1.5kW, 웨이퍼온도 350℃의 조건하에, 성막가스로서 C
4 F
8 가스 및 C
2 H
4 가스를 각각 60sccm 및 30sccm의 유량으로 도입한다. 동시에 플라즈마 가스를 150sccm의 유량으로 도입하고, 실리콘기판(11)상에 F의 함유량이 예컨대 22%의 CF막(13)을 성막한다. 이러한 CF막(13)에서는 비유전률이 2.4로 된다.

公开(公告)号：KR100564168B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, the thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.

公开(公告)号：KR1020010079817A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：KR1020017003260

申请日：1999-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케 ,  나카세리사 ,  아카호리다카시 ,  가와카미사토루

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 적재대(4) 주위에, 예를 들어 질화알루미늄으로 제조된 링체(5)를 적재대(4)의 지지면과 동일한 높이가 되도록 설치한다. 이 링체(5)의 표면부에 전극(52)을 매설한다. 또한, 적재대(4)의 상부 영역을 둘러싸도록 링형의 성막 가스 공급부(6)를 설치한다. 이 성막 가스 공급부(6)의 내주벽에, 진공 용기(2)내로 노출되도록 전극(63)을 설치한다. 플라스마의 발생을 정지하기 직전에 파티클 인입용 전극(52, 63)에 정전압을 인가한다. 이것에 의해, 플라스마가 소실되었을 때에, 그 속에 갇혀 있던 파티클을 전극(52,63)으로 인입한다.

公开(公告)号：KR1020010075198A

公开(公告)日：2001-08-09

申请号：KR1020017003494

申请日：1999-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시히노부오 ,  후키아게노리아키 ,  아카호리다카시

IPC: H01L21/205

Abstract: 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 이것에 의해, 마이크로파의 오프 시간 중에 웨이퍼(10)상의 잔류 가스가 새로운 처리 가스와 교체되도록 한다. 그것에 의해, 웨이퍼(10)의 중심부와 주변부에서 가스의 해리 정도에 그다지 차가 생기지 않도록 하여 균일한 플라즈마처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1019990077237A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705379

申请日：1997-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  도자와마사키 ,  나이토요코 ,  나카세리사 ,  이시즈카슈이치 ,  사이토마사히데 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

Abstract: 진공용기의 내부에 부착된 불소를 함유하는 카본막의 세정에 요하는 시간을 단축하고, 또한 세정의 경우에 재치대의 표면을 보호하는 것.
예컨대, 플라즈마 처리장치에서 CF막을 성막한 후에, 세정가스로서 O
2 가스를 진공용기(2) 내에 도입하고, 진공용기(2)의 내부에 부착된 CF막의 세정을 행한다. 세정에서는 O
2 가스를 플라즈마화 하고, 플라즈마에 의해 생긴 O의 활성종에 의해 CF막의 표면을 물리적, 화학적으로 CC결합이나 CF결합을 절단한다. O
2 가스는 절단된 곳으로부터 CF막의 내부로 들어가고, CF막의 C와 반응하여 CO
2 를 생성하여 비산해 간다. 한편, F는 F
2 로서 비산해 가고, 이렇게 하여 CF막이 제거된다.