公开(公告)号：KR100674270B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020047014981

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시하라히로유키 ,  아라키요우이치 ,  다카하시도시키 ,  구보다쿠야 ,  이토아츠시 ,  오노요코

IPC: H01L21/3065 ,  B01J19/08

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32633

Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.

公开(公告)号：KR1020040094846A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：KR1020047014981

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시하라히로유키 ,  아라키요우이치 ,  다카하시도시키 ,  구보다쿠야 ,  이토아츠시 ,  오노요코

IPC: H01L21/3065 ,  B01J19/08

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32633

Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.