公开(公告)号：KR1020020095215A

公开(公告)日：2002-12-20

申请号：KR1020027013885

申请日：2001-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  다카하시도시키 ,  고마츠다쿠미

IPC: H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

Abstract: A plasma processing apparatus for plasma processing using a high-density plasma and adaptable to finer microfabrication comprise an electrode plate provided with an upper electrode having a dielectric member or a cavity and a lower electrode serving as a susceptor and opposed to the upper electrode. The size and dielectric constant of the dielectric member are determined so that resonance may be caused by the frequency of high-frequency power fed to the central portion of the back of the electrode and that the electric field is perpendicular to the electrode plate may be produced so as to reduce the uneveness of the distribution of the electric field over the top surface of the electrode.

Abstract translation: 一种使用高密度等离子体等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，具有具有电介质部件或空腔的上部电极的电极板和作为基座的下部电极，与上部电极相对。 确定电介质构件的尺寸和介电常数，使得可以由馈送到电极背部的中心部分的高频电力的频率引起共振，并且可能产生与电极板垂直的电场 以减少在电极顶表面上的电场分布的不均匀性。

公开(公告)号：KR100839677B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020057014249

申请日：2004-02-03

Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수납하는 감압 가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기 내에 제 1 전극(12)이 배치된다. 처리 용기 내에는 처리 가스를 공급하기 위해, 공급계(62)가 배치된다. 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해, 처리 용기 내에 고주파 전계를 형성하는 전계 형성계(32)가 배치된다. 제 1 전극(12)의 주면에, 플라즈마가 생성되는 공간측을 향하여 돌출하는 다수의 볼록부(70)가 이산적으로 형성된다.

公开(公告)号：KR100674270B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020047014981

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시하라히로유키 ,  아라키요우이치 ,  다카하시도시키 ,  구보다쿠야 ,  이토아츠시 ,  오노요코

IPC: H01L21/3065 ,  B01J19/08

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32633

Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.

公开(公告)号：KR1020040094846A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：KR1020047014981

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시하라히로유키 ,  아라키요우이치 ,  다카하시도시키 ,  구보다쿠야 ,  이토아츠시 ,  오노요코

IPC: H01L21/3065 ,  B01J19/08

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32633

Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.

公开(公告)号：KR1020090027255A

公开(公告)日：2009-03-16

申请号：KR1020097001866

申请日：2001-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  다카하시도시키 ,  고마츠다쿠미

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

Abstract: A plasma processing apparatus for plasma processing using a high-density plasma and adaptable to finer microfabrication comprise an electrode plate provided with an upper electrode having a dielectric member or a cavity and a lower electrode serving as a susceptor and opposed to the upper electrode. The size and dielectric constant of the dielectric member are determined so that resonance may be caused by the frequency of high-frequency power fed to the central portion of the back of the electrode and that the electric field is perpendicular to the electrode plate may be produced so as to reduce the uneveness of the distribution of the electric field over the top surface of the electrode.

Abstract translation: 一种使用高密度等离子体等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，具有具有电介质部件或空腔的上部电极的电极板和作为基座的下部电极，与上部电极相对。 确定电介质构件的尺寸和介电常数，使得可以由馈送到电极背部的中心部分的高频电力的频率引起共振，并且可能产生与电极板垂直的电场 以减少在电极顶表面上的电场分布的不均匀性。

公开(公告)号：KR100934512B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020027013885

申请日：2001-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  다카하시도시키 ,  고마츠다쿠미

IPC: H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

Abstract: The present invention provides a plasma processing apparatus having an electrode plate arranging therein, an upper electrode to which a dielectric member or a cavity portion is provided, a dimension or a dielectric constant of which is determined in such a manner that resonance is generated at a frequency of high-frequency power supplied to the center of the back side and an electric field orthogonal to the electrode plate is generated, and a susceptor as a lower electrode so as to be opposed to each other, in order to reduce unevenness of an electric field distribution on the surface of the electrode in a plasma processing using a high-density plasma capable of coping with further refinement.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有：配置有电极板的电极板;设置有电介质部件或空洞部的上部电极，其尺寸或介电常数决定为使得在 产生提供给背面中心的高频电力的频率和与电极板正交的电场的频率，以及作为下部电极的基座彼此相对，以减少电的不均匀性 在使用能够应对进一步细化的高密度等离子体的等离子体处理中的电极表面上的场分布。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020050094475A

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：KR1020057014249

申请日：2004-02-03

Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: A plasma treating device for applying a plasma treatment to a substrate to be treated (W) includes a depressurizable treatment vessel (10) for receiving the substrate to be treated. A first electrode (12) is disposed in the treatment vessel. Disposed in the treatment vessel is a supply system (62) for supplying a treatment gas. For the formation of a plasma of treatment gas, an electric field forming system (32) for forming a high frequency electric field in the treatment vessel is disposed in the treatment vessel. The main surface of the first electrode (12) is distributively formed with a number of projections (70) projecting toward the space where plasma is produced.

Abstract translation: 用于将待处理的基板施加等离子体处理的等离子体处理装置（W）包括用于接收被处理基板的可降压处理容器（10）。 第一电极（12）设置在处理容器中。 设置在处理容器中的是用于供给处理气体的供给系统（62）。 为了形成处理气体的等离子体，在处理容器中设置用于在处理容器中形成高频电场的电场形成系统（32）。 第一电极（12）的主表面分布形成有朝向产生等离子体的空间突出的多个突起（70）。