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公开(公告)号：KR1020040094846A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：KR1020047014981
申请日：2003-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , B01J19/08
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32633
Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.
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公开(公告)号：KR1020170135709A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020170064916
申请日：2017-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 일실시형태의자기저항소자의제조방법은, 기판상에, 실리콘, 산소, 및탄소를포함하는하지막을형성하는공정과, 산소함유가스의플라즈마를이용하여하지막에대하여플라즈마애싱을실행하는공정과, 애싱된하지막상에금속층및 자성층을포함하는다층막을형성하는공정과, 수소함유가스의플라즈마를이용하여다층막에대하여플라즈마에칭을실행하는공정을포함한다.
Abstract translation: 磁阻元件的一个实施例的制造方法，不使用任何步骤中，含氧气体的等离子体以在基板上形成的膜，包含硅，氧和碳处理实施相对于等离子体灰化至膜 在灰化的基膜上形成包括金属层和磁性层的多层膜的步骤，以及利用含氢气体的等离子体对多层膜进行等离子体蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：KR100674270B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020047014981
申请日：2003-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , B01J19/08
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32633
Abstract: 처리 영역내의 처리 가스의 배기 효율 향상 및 플라즈마의 누설 억제를 확실히 실행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마그네트론 방식 평행평판 플라즈마 처리 장치(30)는 처리실 용기(3)를 갖고, 처리실 용기(3)는 그 정상부에 가스 도입 구멍을 다수 구비한 상부 전극(1)과, 그 하부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재면을 정상부에 구비한 하부 전극(2)과, 하부 전극(2)의 정상부의 위치에 있어서, 처리실 용기(3)내를 처리 영역(8)과 배기 영역(9)으로 격리하는 격리판(50)을 갖는다. 격리판(50)은 처리 영역(8)내의 처리 가스를 배기 영역(9)으로 배기하도록 처리 영역(8)과 배기 영역(9)을 연통하는 복수의 가스 통로 구멍(5a)을 가짐과 동시에 비도전성부재(5b)로 이루어진다. 가스 통로 구멍(5a)에 대향하는 가스 통로 측면(20b)에는 도전성부재(5c)가 배치되어 있다. 도전성부재(5c)에는, 가스 통로 측면(20b)이 처리 영역면(20a)보다도 높은 전위가 되도록 전압(V)이 전원(21)에 의해 인가된다.
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