公开(公告)号：KR101787806B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020140007139

申请日：2014-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  오카베신야 ,  야마모토다케시 ,  오니시도루

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76856

Abstract: 플라즈마 CVD법에의해 TiN막을성막할때, 성막매수가증가해도파티클의발생을억제할수 있는 TiN막의성막방법을제공한다. 처리용기내에피처리기판을반입하고, Ti 함유가스및 질화가스를처리용기내에공급함과아울러, 이들가스의플라즈마를생성해서피처리기판의표면에 TiN막을성막하는공정을, 복수의피처리기판에대해반복해서행하는 TiN막의성막방법에있어서, 소정매수의피처리기판에대해 TiN막을성막한후, 처리용기내에피처리기판이존재하지않는상태에서, 처리용기내에 Ti 함유가스를포함하는처리가스를공급함으로써 Ti막을형성하는 Ti막형성공정을 1회이상행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种TiN膜的形成方法，即使通过等离子体CVD法形成TiN膜时膜的个数增加，也能够抑制粒子的产生。 向处理容器内供给外延基板，向处理容器内供给含Ti气体和氮化气体，通过产生这些气体的等离子体，在被处理基板的表面形成TiN膜的工序， 在预定数量的待处理衬底上形成TiN膜，然后在处理容器中不存在epi处理器板的状态下向处理容器中供应含有含Ti气体的处理气体 用于形成Ti膜的Ti膜形成步骤至少执行一次。

公开(公告)号：KR1020140094464A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140007139

申请日：2014-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  오카베신야 ,  야마모토다케시 ,  오니시도루

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28088

Abstract: Provided is a TiN film forming method in which the generation of particles can be suppressed during the formation of TiN films using a plasma CVD scheme even if the number of substrates subjected to the TiN film formation is increased. The TiN film forming method repeatedly performs, for a plurality of substrates to be processed, a step of loading each substrate into a processing chamber, supplying Ti-containing gas and nitriding gas into the processing chamber, and forming the TiN film on a surface of the substrate by generating plasma of the supplied gas, wherein the method includes a Ti film forming step of forming the Ti film by supplying processing gas containing the Ti-containing gas into the processing chamber in a state where no substrate exists in the processing chamber after the TiN films are formed on a predetermined number of the substrates, and the method performs the Ti film forming step at least once.

Abstract translation: 提供一种TiN膜形成方法，其中即使经历TiN膜形成的基板的数量增加，也可以使用等离子体CVD方法在形成TiN膜期间抑制颗粒的产生。 对于多个待处理基板，TiN膜形成方法重复执行将各基板加载到处理室中的步骤，将含Ti气体和氮化气体供给到处理室中，并且在该表面上形成TiN膜 通过产生供给气体的等离子体的方法，其中该方法包括通过在处理室中不存在基板的状态下将含有含Ti气体的处理气体供给到处理室来形成Ti膜的Ti膜形成步骤， 在预定数量的基板上形成TiN膜，该方法至少进行一次Ti膜形成工序。