公开(公告)号：KR101895095B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020137030325

申请日：2012-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  도미타히로시 ,  오이와도쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116

Abstract: 기판상에에칭에의해형성된패턴의표면에퇴적한퇴적물을제거하는퇴적물제거방법으로서, 상기기판을가열하면서산소플라즈마에노출시키는산소플라즈마처리공정과, 상기산소플라즈마처리공정후, 상기기판을, 처리용기내에서불화수소가스와알코올가스의혼합가스의분위기에노출시키고, 또한, 상기알코올가스의분압을제 1 분압으로하는제 1 기간과, 처리용기내를배기하여상기알코올가스의분압을제 1 분압보다낮은제 2 분압으로하는제 2 기간을, 복수사이클반복하는사이클처리공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020140024386A

公开(公告)日：2014-02-28

申请号：KR1020137030325

申请日：2012-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  도미타히로시 ,  오이와도쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116

Abstract: 기판 상에 에칭에 의해 형성된 패턴의 표면에 퇴적한 퇴적물을 제거하는 퇴적물 제거 방법으로서, 상기 기판을 가열하면서 산소 플라즈마에 노출시키는 산소 플라즈마 처리 공정과, 상기 산소 플라즈마 처리 공정 후, 상기 기판을, 처리 용기내에서 불화 수소 가스와 알코올 가스의 혼합 가스의 분위기에 노출시키고, 또한, 상기 알코올 가스의 분압을 제 1 분압으로 하는 제 1 기간과, 처리 용기내를 배기하여 상기 알코올 가스의 분압을 제 1 분압보다 낮은 제 2 분압으로 하는 제 2 기간을, 복수 사이클 반복하는 사이클 처리 공정을 구비한다.